သတင်းများ

ကြွေထည်မျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ခြင်းဆိုင်ရာ သုတေသန၏ လက်ရှိအခြေအနေနှင့် လမ်းကြောင်း
admin မှ ၂၅-၀၇-၁၆ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ကြွေထည်အောက်ခံကို sintered လုပ်ပြီး ဖွဲ့စည်းပြီးနောက်၊ ၎င်း၏မျက်နှာပြင်ကို metallized လုပ်ရန် လိုအပ်ပြီး ထို့နောက် ကြွေထည်အောက်ခံ၏ လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိရန် မျက်နှာပြင်ပုံစံကို image transfer မှတစ်ဆင့် ပြုလုပ်သည်။ မျက်နှာပြင် metallization သည် ကြွေထည်အောက်ခံများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးကြီးသော အဆင့်တစ်ခုဖြစ်သည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားမှုနှင့် ဆက်စပ်သော နည်းပညာကား အဘယ်နည်း။
admin မှ ၂၅-၀၇-၁၀ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
၁။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့် ရောစပ်နည်းပညာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့်တွင် Ce ဒြပ်စင်ကို သင့်လျော်သောပမာဏဖြင့် ရောစပ်ခြင်းဖြင့် 4H-SiC ၏ တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲပုံစံ၏ တည်ငြိမ်သောကြီးထွားမှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ရရှိစေပါသည်။ အမှုန့်ပစ္စည်းများတွင် Ce ဒြပ်စင်များကို ရောစပ်ခြင်းသည် ကြီးထွားမှုနှုန်းကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ကြောင်း လက်တွေ့အတွေ့အကြုံများက ပြသထားသည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
PVT နည်းလမ်း၏ အခြေခံမူ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု
admin မှ ၂၅-၀၇-၀၃ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
PVT နည်းလမ်း၏ အပြည့်အစုံအမည်မှာ Physical Vapor Transportation ဖြစ်ပြီး ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပုံဆောင်ခဲများကို မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် မြင့်မားသောဖိအားအောက်တွင် ကြီးထွားစေရန် အသုံးများသောနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အခြေခံမူမှာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့်ကို ၂၃၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထက် အပူချိန်တွင်နှင့် ဖိအားနည်းသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် အပူပေးပြီး sublimation လုပ်ရန်ဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမီးဖိုဆိုတာဘာလဲ။
admin မှ ၂၅-၀၆-၂၄ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
SiC တွင် bandgap ကြီးမားခြင်း၊ အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်း၊ ဝေဖန်ပိုင်းခြားနိုင်သော စက်ကွင်းအစွမ်းသတ္တိမြင့်မားခြင်းနှင့် အီလက်ထရွန်ပြည့်ဝမှုနှုန်းမြင့်မားခြင်း စသည့် ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။ ၎င်းသည် မြင့်မားသော အပူချိန်၊ မြင့်မားသောဖိအား၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောပါဝါအခြေအနေများတွင် အသုံးချမှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။ ၎င်းကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
CVD SiC အလွှာဆိုတာ ဘာလဲ။
admin မှ ၂၅-၀၆-၀၉ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
CVD SiC အပေါ်ယံလွှာသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များ၏ ကန့်သတ်ချက်များကို အံ့သြဖွယ်ကောင်းသောနှုန်းဖြင့် ပြန်လည်ပုံဖော်နေပါသည်။ ဤရိုးရှင်းပုံရသော အပေါ်ယံလွှာနည်းပညာသည် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုတွင် အမှုန်ညစ်ညမ်းမှု၊ အပူချိန်မြင့်ချေးခြင်းနှင့် ပလာစမာတိုက်စားခြင်းကဲ့သို့သော အဓိကစိန်ခေါ်မှုသုံးခုအတွက် အဓိကဖြေရှင်းချက်တစ်ခု ဖြစ်လာခဲ့သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Quartz လှေ၏ လုပ်ဆောင်ချက်နှင့် အသုံးပြုပုံ
admin မှ ၂၅-၀၆-၀၄ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
Quartz လှေသည် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော quartz ပစ္စည်းဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော တိကျသောတူရိယာအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအနေဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ optoelectronics လုပ်ငန်း၊ ဓာတုဗေဒခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းနှင့် အပူချိန်မြင့်စမ်းသပ်မှုများကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များစွာတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်။ ၎င်း၏ထူးခြားသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများက ၎င်းကို ကျယ်ပြန့်စွာ...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
CVD SiC အပေါ်ယံလွှာ ကြီးထွားမှုအပေါ် အပူချိန်အမျိုးမျိုး၏ အကျိုးသက်ရောက်မှု
admin မှ ၂၅-၀၅-၂၆ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
CVD SiC အလွှာလွှာဆိုတာဘာလဲ။ ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) သည် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုအစိုင်အခဲပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုသောဗန်းပြအလွှာလွှာပြုလုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုနယ်ပယ်တွင် ဝေဖာများ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အလွှာပါးများဖွဲ့စည်းရန် မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ CV မှ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကိုပြင်ဆင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆိုလာ ဂရပ်ဖိုက်လှေဆိုတာ ဘာလဲ။
admin မှ ၂၅-၀၄-၂၂ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
အလျင်အမြန်ပြောင်းလဲနေသော နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး ဓာတ်အားပေးစက်ရုံ (PV) လုပ်ငန်းတွင်၊ စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှု ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် တိကျမှုနှင့် ပစ္စည်းဆန်းသစ်တီထွင်မှုသည် အရေးကြီးပါသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်တွင် မထင်ရှားသော သူရဲကောင်းများထဲတွင် အပူချိန်မြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော အထူးပြု အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည့် Solar Graphite Boat ပါဝင်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
TaC အလွှာလွှာဆိုတာ ဘာလဲ။
admin မှ ၂၅-၀၄-၁၀ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
အလျင်အမြန်ပြောင်းလဲနေသော semiconductor လုပ်ငန်းတွင် စွမ်းဆောင်ရည်၊ တာရှည်ခံမှုနှင့် ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည့် ပစ္စည်းများသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ ထိုသို့သော ဆန်းသစ်တီထွင်မှုတစ်ခုမှာ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများတွင် အသုံးပြုထားသော ခေတ်မီကာကွယ်ရေးအလွှာတစ်ခုဖြစ်သည့် Tantalum Carbide (TaC) အလွှာဖြစ်သည်။ ဤဘလော့ဂ်သည် TaC အလွှာ၏ အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်၊ နည်းပညာ...
ပိုပြီးဖတ်ပါ