Haberler

Seramik Yüzeylerde Metalizasyon Araştırmalarının Mevcut Durumu ve Eğilimleri
admin tarafından 25-07-16 tarihinde yayınlandı
Seramik alt tabaka sinterlenip şekillendirildikten sonra, yüzeyinin metalize edilmesi ve ardından görüntü aktarımı yoluyla yüzey deseninin oluşturulması gerekir; bu sayede seramik alt tabakanın elektriksel bağlantı performansı elde edilir. Yüzey metalizasyonu, seramik alt tabakaların üretiminde çok önemli bir adımdır...
Devamını oku
Silisyum Karbür (SiC) Kristallerinin Büyümesiyle İlgili Teknoloji Nedir?
admin tarafından 25-07-10 tarihinde yayınlandı
1. Silisyum karbür tozu katkılama teknolojisi: Silisyum karbür tozuna uygun miktarda Se elementi katkılanması, 4H-SiC tek kristal formunun kararlı büyümesini sağlayabilir. Pratik deneyimler, toz malzemelere Se elementi katkılanmasının büyüme hızını artırabileceğini göstermiştir...
Devamını oku
PVT Yönteminin Silisyum Karbür (SiC) Kristal Büyüme Prensibi
admin tarafından 25-07-03 tarihinde yayınlandı
Tam adı Fiziksel Buhar Taşımacılığı olan PVT yöntemi, yüksek sıcaklık ve yüksek basınç altında silisyum karbür (SiC) kristalleri yetiştirmek için yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir. Temel prensibi, silisyum karbür tozunu 2300℃'nin üzerindeki bir sıcaklıkta ve düşük basınçlı bir ortamda süblimleşmeye kadar ısıtmaktır...
Devamını oku
Silisyum karbür (SiC) kristal büyütme fırını nedir?
admin tarafından 25-06-24 tarihinde yayınlandı
SiC, geniş bant aralığı, yüksek termal iletkenlik, yüksek kritik kırılma alan dayanımı ve yüksek elektron doygunluk sürüklenme hızı gibi özelliklere sahiptir. Yüksek sıcaklık, yüksek basınç, yüksek frekans ve yüksek güç koşulları altında uygulama gereksinimlerini karşılayabilir. Geniş bir kullanım alanına sahiptir...
Devamını oku
CVD SiC Kaplama Nedir?
admin tarafından 25-06-09 tarihinde yayınlandı
CVD SiC kaplama, şaşırtıcı bir hızla yarı iletken üretim süreçlerinin sınırlarını yeniden şekillendiriyor. Görünüşte basit olan bu kaplama teknolojisi, çip üretimindeki parçacık kirlenmesi, yüksek sıcaklık korozyonu ve plazma erozyonu gibi üç temel zorluğa önemli bir çözüm haline geldi. ...
Devamını oku
Kuvars Teknenin İşlevi ve Kullanımı
admin tarafından 25-06-04 tarihinde yayınlandı
Yüksek saflıkta kuvars malzemeden üretilen hassas bir alet bileşeni olan kuvars tekne, yarı iletken üretimi, optoelektronik endüstrisi, kimyasal analiz ve yüksek sıcaklık deneyleri gibi birçok alanda önemli bir rol oynamaktadır. Eşsiz fiziksel ve kimyasal özellikleri ona geniş bir kullanım alanı kazandırmaktadır...
Devamını oku
Farklı Sıcaklıkların CVD SiC Kaplamanın Büyümesi Üzerindeki Etkisi
admin tarafından 25-05-26 tarihinde yayınlandı
CVD SiC Kaplama Nedir? Kimyasal buhar biriktirme (CVD), yüksek saflıkta katı malzemeler üretmek için kullanılan bir vakum biriktirme işlemidir. Bu işlem genellikle yarı iletken üretim alanında, wafer yüzeyinde ince filmler oluşturmak için kullanılır. CVD ile silisyum karbür hazırlama sürecinde...
Devamını oku
Güneş enerjili grafit tekne nedir?
admin tarafından 25-04-22 tarihinde yayınlandı
Hızla gelişen güneş fotovoltaik (PV) endüstrisinde, enerji dönüşüm verimliliğini artırmak için hassasiyet ve malzeme inovasyonu kritik öneme sahiptir. Bu süreçteki isimsiz kahramanlardan biri de, yüksek sıcaklıkta yarı iletken üretiminde kullanılmak üzere tasarlanmış özel bir bileşen olan Güneş Grafit Teknesi'dir...
Devamını oku
TaC Kaplama Nedir?
admin tarafından 25-04-10 tarihinde yayınlandı
Hızla gelişen yarı iletken endüstrisinde, performansı, dayanıklılığı ve verimliliği artıran malzemeler kritik öneme sahiptir. Bu yeniliklerden biri de grafit bileşenlere uygulanan son teknoloji ürünü koruyucu bir katman olan Tantal Karbür (TaC) kaplamadır. Bu blog yazısı, TaC kaplamanın tanımını, teknik özelliklerini ve daha fazlasını ele almaktadır...
Devamını oku