Chất nền Graphite phủ Silicon Carbide cho chất bán dẫn, MOCVD Susceptor

Các tính năng chính của bộ phận tiếp xúc phủ SiC:

1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:Chịu được nhiệt độ lên tới 1700℃, phù hợp với điều kiện xử lý khắc nghiệt.

2. Độ tinh khiết cao và đồng đều nhiệt:Đảm bảo kết quả nhất quán, quan trọng đối vớiNgười dễ bị nhiễm MOCVDvà các ứng dụng chính xác khác.

3. Khả năng chống ăn mòn tuyệt vời:Chịu được axit, kiềm, muối và nhiều chất phản ứng hữu cơ khác nhau.

4. Tăng cường độ cứng bề mặt:Bề mặt nhỏ gọn với các hạt mịn mang lại độ bền và tuổi thọ cao hơn.

5. Kéo dài tuổi thọ sử dụng:Được thiết kế để có hiệu suất bền vững, vượt trội hơn các bộ cảm ứng phủ silicon carbide tiêu chuẩn trong môi trường xử lý khắc nghiệt.

Là một nhà sản xuất hàng đầu, VET Energy chuyên về than chì tùy chỉnh vàsản phẩm silicon carbidevới nhiều lựa chọn lớp phủ khác nhau, bao gồmLớp phủ SiC, Lớp phủ TaC, lớp phủ carbon thủy tinhvà lớp phủ carbon nhiệt phân. Chúng tôi tự hào phục vụ ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện, cung cấp các bộ cảm ứng graphite phủ silicon carbide đáp ứng các nhu cầu vận hành cụ thể.

Đội ngũ kỹ thuật của chúng tôi, với kinh nghiệm từ các viện nghiên cứu hàng đầu trong nước, luôn tận tâm phát triển các giải pháp vật liệu cho nhu cầu ngày càng thay đổi củaChất dẫn điện graphite phủ SiCthị trường. Thông qua quy trình được cấp bằng sáng chế của mình, VET Energy đã phát triển công nghệ độc đáo giúp cải thiện đáng kể độ bền liên kết giữa lớp phủ silicon carbide và chất nền, giảm nguy cơ bong tróc và tăng cường độ tin cậy lâu dài.