Olùpèsè China SiC tí a fi Graphite MOCVD bo Epitaxy Suscepter

Àwòrán tí a fi ẹ̀rọ ṣe àgbékalẹ̀ SiC tí a fi ẹ̀rọ ṣe MOCVD Epitaxy Suscepter tí a fi àwòrán rẹ̀ hàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ìmọ́tótó < 5ppm
‣ Iṣọkan doping to dara
‣ Ipọnju giga ati ifaramọ
‣ O dara lati koju ibajẹ ati resistance erogba

‣ Ṣíṣe àtúnṣe ọ̀jọ̀gbọ́n
‣ Akoko akoko kukuru
‣ Ipese to duro ṣinṣin
‣ Iṣakoso didara ati ilọsiwaju nigbagbogbo

Àwòrán GaN lórí Sapphire(LED RGB/Mini/Micro);
Epitaxy ti GaN lori Si Substrate(UVC);
Epitaxy ti GaN lori Si Substrate(Ẹrọ itanna);
Epitaxy ti Si lori Si Substrate(Asopọmọra ti a ṣepọ);
Epitaxy ti SiC lori SiC Substrate(Sọ́bìtì);
Epitaxy ti InP lori InP

Fi imeeli ranṣẹ si wa Ṣe ìgbàsókè gẹ́gẹ́ bíi PDF

Àlàyé Ọjà

Àwọn àmì ọjà

Rira MOCVD Suscepter to ga julọ lori ayelujara ni China

Wafer kan gbọ́dọ̀ la àwọn ìgbésẹ̀ díẹ̀ kọjá kí ó tó di pé ó ti ṣetán fún lílò nínú àwọn ẹ̀rọ itanna. Ìlànà pàtàkì kan ni silicon epitaxy, nínú èyí tí a ti ń gbé àwọn wafers náà sórí àwọn susceptors graphite. Àwọn ànímọ́ àti dídára àwọn susceptors ní ipa pàtàkì lórí dídára ti epitaxial layer wafer náà.

Fún àwọn ìpele ìfipamọ́ fíìmù bíi epitaxy tàbí MOCVD, VET ń pèsè ẹ̀rọ graphite tó mọ́ tónítóní tí a lò láti fi ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ tàbí "wafers". Ní kókó iṣẹ́ náà, àwọn ohun èlò yìí, àwọn ohun èlò ìfàsẹ́yìn epitaxy tàbí àwọn ìpele satẹlaiti fún MOCVD, ni a kọ́kọ́ fi sí àyíká ìfipamọ́:

● Ooru giga.
● Àìsí omi gíga.
● Lílo àwọn ohun èlò tí ó ń fa kíkankíkan tí ó ń fa kíkankíkan.
● Kò sí ìbàjẹ́ kankan, kò sí ìfọ́ ara.
● Agbára láti kojú àwọn ásíìdì líle nígbà tí a bá ń ṣe iṣẹ́ ìwẹ̀nùmọ́

VET Energy ni olùpèsè gidi ti àwọn ọjà graphite àti silicon carbide tí a ṣe àdáni pẹ̀lú ìbòrí fún ilé iṣẹ́ semiconductor àti photovoltaic. Àwọn ẹgbẹ́ ìmọ̀ ẹ̀rọ wa wá láti àwọn ilé ìwádìí tó ga jùlọ ní orílẹ̀-èdè wa, wọ́n sì lè pèsè àwọn ìdáhùn ohun èlò tó dára fún ọ.

A n ṣe agbekalẹ awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii, a si ti ṣe agbekalẹ imọ-ẹrọ iyasọtọ ti a fun ni aṣẹ, eyiti o le jẹ ki asopọ laarin ibora ati substrate naa le nipọn ati ki o dinku si fifọ.

Awọn ẹya ara ẹrọ ti awọn ọja wa:

1. Agbara ifoyina otutu giga titi di 1700℃.
2. Iwa mimọ giga ati iṣọkan ooru
3. O tayọ resistance ipata: acid, alkali, iyo ati awọn ohun elo adayeba.
4. Agbara giga, oju ti o kere, awọn patikulu ti o dara.
5. Iṣẹ́ tó gùn jù àti pé ó lè pẹ́ tó

CVD SiC Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCibora
Ohun ìní	Iye deedee
Ìṣètò Kírísítà	FCC β ìpele polycrystalline, pàápàá jùlọ (111) ìtọ́sọ́nà
Ìwọ̀n	3.21 g/cm³
Líle	Líle Vickers 2500 (Ẹrù 500g)
SiZe ọkà	2 ~ 10μm
Ìmọ́tótó Kẹ́míkà	99.99995%
Agbára Ooru	640 J·kg^-1·K^-1
Iwọn otutu Sublimation	2700℃
Agbára Rírọ̀	415 MPa RT 4-point
Modulu Young	430 GPA 4pt tẹ, 1300℃
Ìgbékalẹ̀ Ooru	300W·m^-1·K^-1
Ìfàsẹ́yìn Ooru (CTE)	4.5×10^-6K^-1