Àwòrán graphite tí a fi SiC bojẹ́ kókó pàtàkì tí a ń lò nínú onírúurú iṣẹ́ ìṣelọ́pọ́ semiconductor. A ń lo ìmọ̀ ẹ̀rọ tí a fọwọ́ sí láti ṣe suscetpor tí a fi SiC bo pẹ̀lú ìwẹ̀nùmọ́ gíga gan-an, ìṣọ̀kan ìbòrí tó dára àti ìgbésí ayé iṣẹ́ tó dára, àti àwọn ohun ìní ìdènà kẹ́míkà gíga àti ìdúróṣinṣin ooru.
Awọn ẹya ara ẹrọ ti awọn ọja wa:
1. Agbara ifoyina otutu giga titi di 1700℃.
2. Iwa mimọ giga ati iṣọkan ooru
3. O tayọ resistance ipata: acid, alkali, iyo ati awọn ohun elo adayeba.
4. Agbara giga, oju ti o kere, awọn patikulu ti o dara.
5. Iṣẹ́ tó gùn jù àti pé ó lè pẹ́ tó
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCibora | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye deede |
| 晶体结构 / Ìṣètò Kírísítà | Ìpele FCC β多晶，主要为（111)取向 |
| 密度 / Ìwọ̀n | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Líle | 2500 维氏硬度 (ẹrù 500g) |
| 晶粒大小 / Iwọn ọkà | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Ìmọ́tótó Kẹ́míkà | 99.99995% |
| 热容 / Agbara Ooru | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Iwọn otutu sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Agbára Rírọ̀ | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Modulu Young | 430 GPA 4pt tẹ, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalÌgbékalẹ̀ ìṣiṣẹ́ | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ìfàsẹ́yìn Ooru (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy jẹ́ olùpèsè ọ̀jọ̀gbọ́n tí ó ń dojúkọ ìwádìí àti ìṣẹ̀dá àwọn ohun èlò tó ga jùlọ bíi graphite, silicon carbide, quartz, àti ìtọ́jú ohun èlò bíi SiC coating, TaC coating, glassy carbon coating, pyrolytic carbon coating, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. Àwọn ọjà náà ni a ń lò fún photovoltaic, semiconductor, new energy, metallurgy, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.
Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile oke, o le pese awọn solusan ohun elo ọjọgbọn diẹ sii fun ọ.
Awọn anfani Agbara VET pẹlu:
• Ilé iṣẹ́ tirẹ̀ àti yàrá ìwádìí ọ̀jọ̀gbọ́n;
• Awọn ipele mimọ ati didara ti o jẹ asiwaju ile-iṣẹ;
• Iye owo idije & Akoko ifijiṣẹ yara;
• Ọpọlọpọ ajọṣepọ ile-iṣẹ ni agbaye;
A gba yin laye lati ṣabẹwo si ile-iṣẹ ati yàrá wa nigbakugba!
