Àwọ̀ SiC/Graphite Substrate/Tẹ́ẹ̀tì fún Semiconductor

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ààbò Graphite VET Energy SiC tí a fi bo Epitaxial Growth jẹ́ ọjà tí ó ní agbára gíga tí a ṣe láti pèsè iṣẹ́ tí ó dúró ṣinṣin àti èyí tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé fún àkókò gígùn. Ó ní agbára ìdènà ooru tí ó dára gidigidi àti ìṣọ̀kan ooru, mímọ́ ga, àti agbára ìfọ́, èyí tí ó mú kí ó jẹ́ ojútùú pípé fún àwọn ohun èlò ṣíṣe wafer.

Fi imeeli ranṣẹ si wa Ṣe ìgbàsókè gẹ́gẹ́ bíi PDF

Àlàyé Ọjà

Àwọn àmì ọjà

Aṣọ SiC/tí a fi gíráfítì bò fún Semiconductor

ÀwọnÀpò Gráfítì tí a fi SiC bojẹ́ ojútùú tó lágbára tó sì gbéṣẹ́ tó sì ṣe é láti bá àwọn ìbéèrè tó lágbára ti ilé iṣẹ́ ìṣiṣẹ́ semiconductor mu.ìbòrí silikoni carbide (SiC), ohun èlò yìí ń fúnni ní ìdúróṣinṣin ooru tó tayọ, ìdènà oxidation, àti ìgbésí ayé iṣẹ́ gígùn, èyí tó mú kí ó dára fún lílò nínú àwọn ìlànà MOCVD, àwọn ohun èlò wafer graphite, àti àwọn àyíká mìíràn tó ní iwọ̀n otútù gíga.

Àwọn ẹ̀yà ara ẹ̀ya ara:
· Agbara Gbigbona Ti o dara julọ
· Agbara resistance ti ara to dara julọ
· Agbara Kemikali to dara julọ
· Ìmọ́tótó Gíga Jùlọ
· Wíwà ní Àwòrán Dídídí
· Lò ó lábẹ́ afẹ́fẹ́ oxidizing

Ohun elo:

Awọn ẹya ara ẹrọ ati Awọn anfani Ọja:

1. Agbara Igbona to gaju:Pẹlu mimọ gigaIbora SiC, substrate naa le koju awọn iwọn otutu to gaju, o rii daju pe iṣẹ ṣiṣe deede ni awọn agbegbe ti o nilo bi iṣelọpọ epitaxy ati semiconductor.

2. Àìlágbára tó pọ̀ sí i:Àwọn èròjà graphite tí a fi SiC bo ni a ṣe láti dènà ìbàjẹ́ kẹ́míkà àti ìfọ́mọ́lẹ̀, èyí tí ó ń mú kí ìgbésí ayé substrate náà pọ̀ sí i ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn substrate graphite déédéé.

3. Grafiti tí a fi Vitreous bo:Ìṣètò vitreous aláìlẹ́gbẹ́ tiIbora SiCn pese lile dada to dara julọ, ti o dinku wiwu ati yiya lakoko iṣiṣẹ iwọn otutu giga.

4. Àwọ̀ SiC Mímọ́ Gíga:Ohun èlò ìpìlẹ̀ wa ń ṣe ìdánilójú pé kò ní ìbàjẹ́ púpọ̀ nínú àwọn ìlànà semikondokito onímọ̀, èyí sì ń fúnni ní ìgbẹ́kẹ̀lé fún àwọn ilé iṣẹ́ tí ó nílò ìwẹ̀nùmọ́ ohun èlò líle.

5. Ohun elo Ọja jakejado:ÀwọnÀàbò graphite tí a fi SiC boỌjà ń tẹ̀síwájú láti dàgbàsókè bí ìbéèrè fún àwọn ọjà tí a fi SiC bo ní ìlọsíwájú nínú iṣẹ́-ṣíṣe semiconductor ṣe ń pọ̀ sí i, tí ó ń gbé substrate yìí kalẹ̀ gẹ́gẹ́ bí olùkópa pàtàkì nínú ọjà títà wafer graphite àti ọjà àwọn atẹ graphite tí a fi silicon carbide bo.

Àwọn Ohun Ànímọ́ Tó Wà Nínú Ohun Èlò Gíráfítì Ìpìlẹ̀:

Ìwúwo tó hàn gbangba:	1.85 g/cm3
Agbara Resistance Itanna:	11 μΩm
Agbára Rírọ̀:	49 MPa (500kgf/cm2)
Líle etíkun:	58
Eérú:	<5ppm
Ìgbékalẹ̀ Ooru:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCibora
性质 / Ohun-ini	典型数值 / Iye Aṣoju
晶体结构 / Crystal Structure	FCC β alakoso 多晶，主要为（111）取向
密度 / iwuwo	3.21 g/cm³
硬度 / Lile	2500 维氏硬度 (ẹrù 500g)
晶粒大小 / Ọkà SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / Kẹmika Mimọ	99.99995%
热容 / Agbara Ooru	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Iwọn otutu Sublimation	2700℃
抗弯强度 / Agbara Flexural	415 MPa RT 4-point
Modulus 杨氏模量 / Young's Modul	430 GPA 4pt tẹ, 1300℃
导热系数 / Imudara Ooru	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Imugboroosi Gbona(CTE)	4.5×10^-6K^-1

VET Energy ni olùpèsè gidi ti àwọn ọjà graphite àti silicon carbide tí a ṣe àdáni pẹ̀lú oríṣiríṣi ìbòrí bíi ìbòrí SiC, ìbòrí TaC, ìbòrí erogba gilasi, ìbòrí erogba pyrolytic, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, ó lè pèsè oríṣiríṣi àwọn ẹ̀yà ara tí a ṣe àdáni fún ilé iṣẹ́ semiconductor àti photovoltaic.

Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile oke, o le pese awọn solusan ohun elo ọjọgbọn diẹ sii fun ọ.

A n ṣe agbekalẹ awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii, a si ti ṣe agbekalẹ imọ-ẹrọ iyasọtọ ti a fun ni aṣẹ, eyiti o le jẹ ki asopọ laarin ibora ati substrate naa le nipọn ati ki o dinku si fifọ.

Ẹ kí yin káàbọ̀ pẹ̀lú ayọ̀ láti wá sí ilé iṣẹ́ wa, ẹ jẹ́ kí a tún jíròrò rẹ̀!