Günstiger Preis China Hochtemperaturbeständiger Molybdän-Graphit-Tiegel-Metallschmelztiegel

Kurze Beschreibung:


Produktdetail

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Gute Qualität steht an erster Stelle; Service steht an erster Stelle; Organisation ist Zusammenarbeit – das ist unsere Unternehmensphilosophie, die wir regelmäßig verfolgen. Wir bieten Ihnen günstige, hochtemperaturbeständige Schmelztiegel aus Molybdän-Graphit in China. Wir freuen uns über neue Interessenten im Ausland und möchten die Zusammenarbeit mit unseren langjährigen Kunden weiter ausbauen.
Gute Qualität steht an erster Stelle; Service steht an erster Stelle; Organisation ist Zusammenarbeit“ ist unsere Unternehmensphilosophie, die von unserem Unternehmen regelmäßig beobachtet und verfolgt wird fürChina Molybdän Tiegel, Tiegel zu verkaufenWir bieten unseren Kunden erfahrenen Service, schnelle Antworten, pünktliche Lieferung, hervorragende Qualität und beste Preise. Kundenzufriedenheit und gute Kreditwürdigkeit stehen bei uns an erster Stelle. Wir kümmern uns um jedes Detail der Auftragsabwicklung, bis unsere Kunden sichere und einwandfreie Produkte mit gutem Logistikservice und günstigen Preisen erhalten. Daher verkaufen sich unsere Waren in Afrika, dem Nahen Osten und Südostasien sehr gut. Getreu unserer Geschäftsphilosophie „Kunden zuerst, wir streben nach vorne“ heißen wir Kunden aus dem In- und Ausland herzlich willkommen.

Produktbeschreibung

Kohlenstoff / Kohlenstoffverbundstoffe(nachfolgend bezeichnet als „C/C oder FCKW“) ist ein Verbundwerkstoff auf Kohlenstoffbasis, der durch Kohlenstofffasern und deren Produkte (Kohlenstofffaser-Vorformlinge) verstärkt wird. Er vereint die Trägheit von Kohlenstoff mit der hohen Festigkeit von Kohlenstofffasern. Er zeichnet sich durch gute mechanische Eigenschaften, Hitzebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeit aus.

CVD-SiCDie Beschichtung weist die Eigenschaften einer gleichmäßigen Struktur, eines kompakten Materials, einer hohen Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohen Reinheit, Säure- und Basenbeständigkeit und Beständigkeit gegen organische Reagenzien auf und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum zu einer Umweltverschmutzung der Peripheriegeräte und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

Eine SiC-Beschichtung kann jedoch bei 1600 Grad ihre physikalische und chemische Stabilität bewahren. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig eingesetzt.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hohen Temperaturen zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden und verleiht dieser besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig, korrosions- und oxidationsbeständig.

 SiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Haupteigenschaften:

1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit:

die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: Hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperaturchlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cm³)

3.21

Biegefestigkeit

(Mpa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

SiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Informationen zum Unternehmen

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Fabrikausrüstungen

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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