Altnivelaj CVD-tegaĵoj por SiC-epitaksa kresko

Adaptitaj por procezoj de altpotencaj duonkonduktaĵaj aparatoj funkciantaj sub ekstrema termika streso (1500°C - 1700°C), niaj CVD-SiC kaj TaC-kovritaj planedaj susceptoroj, satelitaj diskoj kaj gasdeviigiloj estas konstruitaj por elstari. Dizajnitaj por malhelpi partiklan generadon, surfacan degeneron kaj reaktivan gasgravadon (H₂, SiH₄, C₃H∯), niaj progresintaj tegaĵoj certigas longajn funkciajn vivdaŭrojn, superan dopantan kontrolon kaj altan filmdikecan homogenecon trans...6-colaj kaj 8-colaj SiC-epitaksaj oblatoj.