CVD SiC-kovritaj komponantoj por silicia epitaksio (Si Epi)

Precize inĝenieritaj por unu-plataj kaj aro-siliciaj epitaksiaj deponaj sistemoj, niaj CVD-SiC-kovritaj susceptoroj, satelitaj diskoj kaj termikaj kampaj komponantoj liveras elstaran termikan homogenecon kaj nulan elgasadon. La alt-denseca kuba β-SiC-tega tavolo plene enkapsuligas la alt-purecan grafitan substraton, malhelpante reaktivan gasgravadon (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) kaj garantiante ultra-malaltajn nivelojn de metalaj malpuraĵoj (< 5 ppm) dum alt-temperatura Si Epi-prilaborado (1000°C - 1200°C).