Silicikarbido-kovrita grafita substrato por duonkonduktaĵo, MOCVD-susceptoro

Mallonga Priskribo:

VET Energy SiC-kovrita susceptoro estas alt-efikeca produkto desegnita por provizi konstantan kaj fidindan funkciadon dum plilongigita periodo. Ĝi havas superbonan varmoreziston kaj termikan homogenecon, altan purecon, erozioreziston, igante ĝin la perfekta solvo por aplikoj de prilaborado de vaflaĵoj.

Originloko:Ĝeĝjango, Ĉinio (Kontinento)

Kemia Komponaĵo:SiC-kovrita grafito

Fleksa forto:470Mpa

Varmokondukteco:300 W/mK

Kvalito:Perfekta

Funkcio:CVD-SiC

Apliko:Duonkonduktaĵo / Fotovoltaiko

Denseco:3.21 g/cm³

Termika ekspansio:4 10-6/K

Cindro: <5ppm

Specimeno:Disponebla

HS-kodo:6903100000

Sendu retpoŝton al ni Elŝuti kiel PDF

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

VET Energy SiC Coated Susceptorestas alt-efikeca solvo zorgeme kreita por liveri fidindan, koheran rendimenton dum plilongigita vivdaŭro, plenumante la rigorajn postulojn de duonkonduktaĵa fabrikado. Kun escepta varmorezisto, supera termika homogeneco kaj alta pureco, ĉi tiu produkto estas ideala por MOCVD-platportiloj kaj aliaj valf-prilaboraj aplikoj, kiuj postulas stabilecon kaj precizecon. Ĝia fortika eroziorezisto igas ĝin altkvalita elekto por medioj, kie daŭripovo kaj kemia rezisteco estas esencaj.

NiaSiC-kovrita grafita susceptorostaras kiel kritika komponanto en la procezo de fabrikado de duonkonduktaĵoj, utiligante la ekskluzivan patentitan teknologion de VET Energy por atingi ekstreme altan purecon, superan tegaĵan homogenecon kaj rimarkindan termikan stabilecon. La tegaĵo plibonigas la grafitan substraton per alta kemia rezisto kaj signife plilongigita servodaŭro. La dediĉo de VET Energy al kvalito rezultigis SiC-kovritan susceptoron, kiu plenumas la evoluantajn bezonojn de la merkato de grafitaj vaflaj portantoj, starigante altan normon por SiC-kovritaj grafitaj susceptoroj uzataj enMOCVD-procezoj.

Ĉefaj Trajtoj de SiC-Tegitaj Susceptoroj:

1. Rezisto al oksidiĝo je alta temperaturo:Eltenas temperaturojn ĝis 1700℃, kio taŭgas por ekstremaj prilaboraj kondiĉoj.

2. Alta Pureco kaj Termika Unuformeco:Certigas konsekvencajn rezultojn, esencajn porMOCVD-susceptorojkaj aliaj precizaj aplikoj.

3. Bonega Kororezisto:Rezistema al acido, alkalo, salo kaj diversaj organikaj reakciiloj.

4. Plibonigita Surfaca Malmoleco:Kompakta surfaco kun fajnaj partikloj, kiuj provizas pli altan daŭrivon kaj longvivecon.

5. Plilongigita Servodaŭro:Realigita por daŭra funkciado, superante normajn siliciajn karbido-kovritajn susceptorojn en severaj prilaboraj medioj.

Kiel ĉefa fabrikanto, VET Energy specialiĝas pri adaptita grafito kajproduktoj de siliciokarbidokun diversaj tegaĵaj opcioj, inkluzive deSiC-tegaĵo, TaC-tegaĵo, vitreca karbona tegaĵo, kaj piroliza karbona tegaĵo. Ni fiere servas la duonkonduktaĵajn kaj fotovoltaikajn industriojn, liverante siliciokarbido-kovritajn grafitajn susceptorojn, kiuj plenumas specifajn funkciajn postulojn.

Nia teknika teamo, kun sperto de ĉefaj hejmaj esplorinstitucioj, dediĉas sin al la antaŭenigo de materialaj solvoj por la evoluantaj bezonoj de laSiC-kovrita grafita susceptoromerkato. Per nia patentita procezo, VET Energy disvolvis unikan teknologion, kiu signife plibonigas la ligforton inter la siliciokarbida tegaĵo kaj la substrato, reduktante la riskon de malligiĝo kaj plibonigante longdaŭran fidindecon.

Aplikoj kaj Avantaĝoj en Semikonduktaĵa Prilaborado

LaSiC-tegaĵo por MOCVDebligasgrafita susceptorokomponantoj por konservi integrecon sub alttemperaturaj kaj korodaj medioj, kio estas esenca por preciza duonkonduktaĵa produktado. Ĉi tiuj SiC-kovritaj grafitaj komponantoj estas aparte valoraj en procezoj postulantaj siliciajn karbido-kovritajn susceptorojn porgrafitaj oblataj portantoj, kiuj postulas altan termikan stabilecon, purecon kaj reziston al kemia erozio.

Per niaj progresintaj teknikoj pri siliciokarbido-tegaĵo, VET Energy daŭre subtenas la merkaton de grafitaj oblataj portantoj per liverado de personecigitaj, alt-efikecaj...SiC-kovritaj grafitaj susceptorojkiuj traktas industri-specifajn defiojn, de MOCVD-procezoj ĝis alt-purecaj aplikoj en la semikonduktaĵa kampo.