Noticias

¿Por qué el silicio es tan duro pero tan frágil?
por admin el 24-12-10
El silicio es un cristal atómico cuyos átomos están conectados entre sí mediante enlaces covalentes, formando una estructura de red espacial. En esta estructura, los enlaces covalentes entre átomos son muy direccionales y poseen una alta energía de enlace, lo que le confiere al silicio una gran dureza al resistir fuerzas externas.
Leer más
¿Por qué se doblan las paredes laterales durante el grabado en seco?
por admin el 24-12-03
Falta de uniformidad en el bombardeo iónico. El grabado en seco suele ser un proceso que combina efectos físicos y químicos, donde el bombardeo iónico es un método importante de grabado físico. Durante el proceso de grabado, el ángulo de incidencia y la distribución de energía de los iones pueden ser desiguales. Si la incidencia iónica...
Leer más
Introducción a tres tecnologías CVD comunes
por admin el 24-12-03
La deposición química en fase de vapor (CVD) es la tecnología más utilizada en la industria de semiconductores para depositar diversos materiales, incluyendo una amplia gama de materiales aislantes, la mayoría de los materiales metálicos y las aleaciones metálicas. La CVD es una tecnología tradicional de preparación de películas delgadas. Su principio...
Leer más
¿Puede el diamante reemplazar a otros dispositivos semiconductores de alta potencia?
por admin el 24-11-25
Como piedra angular de los dispositivos electrónicos modernos, los materiales semiconductores están experimentando cambios sin precedentes. Hoy en día, el diamante está demostrando gradualmente su gran potencial como material semiconductor de cuarta generación gracias a sus excelentes propiedades eléctricas y térmicas y su estabilidad en condiciones extremas...
Leer más
¿Cuál es el mecanismo de planarización del CMP?
por admin el 24-11-25
El doble damasceno es una tecnología de proceso utilizada para fabricar interconexiones metálicas en circuitos integrados. Es una evolución del proceso Damasco. Mediante la formación simultánea de orificios pasantes y ranuras en el mismo paso del proceso y su relleno con metal, la fabricación integrada de...
Leer más
Grafito con recubrimiento de TaC
por admin el 24-11-21
I. Análisis de los parámetros del proceso 1. Sistema TaCl₃-C₃H₃-H₂-Ar 2. Temperatura de deposición: Según la fórmula termodinámica, se calcula que cuando la temperatura es superior a 1273 K, la energía libre de Gibbs de la reacción es muy baja y esta se completa relativamente. El rea...
Leer más
Tecnología de procesos y equipos de crecimiento de cristales de carburo de silicio
por admin el 24-11-21
1. Ruta de la tecnología de crecimiento de cristales de SiC PVT (método de sublimación), HTCVD (CVD de alta temperatura), LPE (método de fase líquida) son tres métodos comunes de crecimiento de cristales de SiC; el método más reconocido en la industria es el método PVT, y más del 95% de los monocristales de SiC se cultivan mediante PVT ...
Leer más
Preparación y mejora del rendimiento de materiales compuestos de silicio y carbono porosos
por admin el 24-11-13
Las baterías de iones de litio se están desarrollando principalmente en dirección a una alta densidad energética. A temperatura ambiente, los materiales de electrodo negativo a base de silicio se alean con litio para producir una fase rica en litio, la Li3.75Si, con una capacidad específica de hasta 3572 mAh/g, muy superior a la teórica...
Leer más
Oxidación térmica del silicio monocristalino
por admin el 24-11-13
La formación de dióxido de silicio en la superficie del silicio se denomina oxidación, y la creación de dióxido de silicio estable y fuertemente adherente condujo al nacimiento de la tecnología planar de circuitos integrados de silicio. Si bien existen muchas maneras de cultivar dióxido de silicio directamente sobre la superficie del silicio...
Leer más