Pelapisan SiC/pelapisan substrat Grafit untuk Semikonduktor，Baki Grafit，Grafit Siklikpenerima epitaksi,
Karbon memasok kerentanan, EPITAKSI DAN MOCVD, penerima epitaksi, Baki Grafit, Reseptor Wafer,

Lapisan CVD-SiC memiliki karakteristik struktur seragam, material padat, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & basa dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.

Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan kotoran di lingkungan dengan kemurnian tinggi.

Namun, lapisan SiC dapat mempertahankan kestabilan fisika dan kimia pada suhu 1600 derajat. Lapisan ini banyak digunakan dalam industri modern, terutama industri semikonduktor.

Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik, dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul tersebut diendapkan pada permukaan material yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk terikat kuat pada dasar grafit, sehingga memberikan sifat khusus pada dasar grafit, sehingga membuat permukaan grafit menjadi padat, bebas porositas, tahan suhu tinggi, tahan korosi, dan tahan oksidasi.

Fitur utama:

1. Tahan terhadap oksidasi suhu tinggi:

ketahanan oksidasi masih sangat baik ketika suhu mencapai 1700 C.

2. Kemurnian tinggi: dibuat melalui deposisi uap kimia di bawah kondisi klorinasi suhu tinggi.

3. Tahan erosi: kekerasan tinggi, permukaan padat, partikel halus.

4. Tahan terhadap korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:

Kemampuan Pasokan:

10000 Potongan/Potongan per Bulan
Pengemasan & Pengiriman:
Pengepakan: Pengepakan Standar & Kuat
Tas poli + Kotak + Karton + Palet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Waktu pengerjaan: