Lapisan SiC/dilapisi substrat Grafit kanggo Semikonduktor,Baki GrafitGrafit Sicsuseptor epitaksi,
Karbon nyedhiyakake suseptor, EPITAKSI LAN MOCVD, suseptor epitaksi, Baki Grafit, Suseptor Wafer,

Lapisan CVD-SiC nduwèni ciri-ciri struktur seragam, bahan kompak, tahan suhu dhuwur, tahan oksidasi, kemurnian dhuwur, tahan asam & alkali lan reagen organik, kanthi sifat fisik lan kimia sing stabil.

Dibandhingake karo bahan grafit kanthi kemurnian dhuwur, grafit wiwit teroksidasi ing suhu 400°C, sing bakal nyebabake ilang bubuk amarga oksidasi, sing nyebabake polusi lingkungan menyang piranti periferal lan ruang vakum, lan nambah rereged lingkungan kanthi kemurnian dhuwur.

Nanging, lapisan SiC bisa njaga stabilitas fisik lan kimia ing suhu 1600 derajat, Iki digunakake sacara wiyar ing industri modern, utamane ing industri semikonduktor.

Perusahaan kita nyedhiyakake layanan proses pelapisan SiC kanthi metode CVD ing permukaan grafit, keramik, lan bahan liyane, supaya gas khusus sing ngandhut karbon lan silikon bisa reaksi ing suhu dhuwur kanggo entuk molekul SiC sing kemurnian dhuwur, molekul sing diendapkan ing permukaan bahan sing dilapisi, mbentuk lapisan pelindung SIC. SIC sing dibentuk naleni kanthi kuat menyang basis grafit, menehi sifat khusus kanggo basis grafit, saengga nggawe permukaan grafit kompak, bebas porositas, tahan suhu dhuwur, tahan korosi lan tahan oksidasi.

Fitur utama:

1. Tahan oksidasi suhu dhuwur:

Resistensi oksidasi isih apik banget nalika suhu nganti 1700 C.

2. Kemurnian dhuwur: digawe kanthi deposisi uap kimia ing kondisi klorinasi suhu dhuwur.

3. Tahan erosi: atose dhuwur, permukaan kompak, partikel alus.

4. Tahan korosi: reagen asam, alkali, uyah lan organik.

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC:

Kemampuan Pasokan:

10000 Potongan/Potongan saben Wulan
Pengemasan & Pangiriman:
Pengepakan: Pengepakan Standar & Kuat
Kantong poli + Kothak + Karton + Palet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Wektu Pangiriman: