SiC-Beschichtung/Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiter, Graphitschalen, SiC-Graphit-Epitaxie-Suszeptoren

Kurze Beschreibung:

 


  • Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)
  • Modellnummer:Boot3004
  • Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit
  • Biegefestigkeit:470 MPa
  • Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK
  • Qualität:Perfekt
  • Funktion:CVD-SiC
  • Anwendung:Halbleiter/Photovoltaik
  • Dichte:3,21 g/cm³
  • Wärmeausdehnung:4 10-6/K
  • Asche: <5 ppm
  • Probe:Verfügbar
  • HS-Code:6903100000
  • Produktdetail

    Produkt Tags

    SiC-Beschichtung/Beschichtung eines Graphitsubstrats für HalbleiterGraphitschalen, Sic GraphitEpitaxie-Suszeptoren,
    Kohlenstoff liefert Suszeptoren, EPITAXY UND MOCVD, Epitaxie-Suszeptoren, Graphitschalen, Wafer-Suszeptoren,

    Produktbeschreibung

    Die CVD-SiC-Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Laugenbeständigkeit sowie Beständigkeit gegen organische Reagenzien aus und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften.

    Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum zu einer Umweltverschmutzung der Peripheriegeräte und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

    Eine SiC-Beschichtung kann jedoch bei 1600 Grad ihre physikalische und chemische Stabilität bewahren. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig eingesetzt.

    Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hohen Temperaturen zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden und verleiht dieser besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig, korrosions- und oxidationsbeständig.

    Haupteigenschaften:

    1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit:

    die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1700 °C noch sehr gut.

    2. Hohe Reinheit: Hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperaturchlorierungsbedingungen.

    3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

    4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.

    Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

    SiC-CVD

    Dichte

    (g/cm³)

    3.21

    Biegefestigkeit

    (Mpa)

    470

    Wärmeausdehnung

    (10-6/K)

    4

    Wärmeleitfähigkeit

    (W/mK)

    300

    Lieferfähigkeit:

    10000 Stück/Stücke pro Monat
    Verpackung & Lieferung:
    Verpackung: Standard- und starke Verpackung
    Polybeutel + Box + Karton + Palette
    Hafen:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Vorlaufzeit:

    Menge (Stück) 1 – 1000 >1000
    Geschätzte Zeit (Tage) 15 Zu verhandeln


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