Recubrimiento de SiC/sustrato de grafito para semiconductores,Bandejas de grafitoGrafito SiCsusceptores de epitaxia,
El carbono suministra susceptores, EPITAXIA Y MOCVD, susceptores de epitaxia, Bandejas de grafito, Susceptores de oblea,
El recubrimiento de CVD-SiC se caracteriza por tener una estructura uniforme, un material compacto, alta resistencia a la temperatura, resistencia a la oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos y álcalis y a reactivos orgánicos, además de propiedades físicas y químicas estables.
En comparación con los materiales de grafito de alta pureza, el grafito comienza a oxidarse a 400 °C, lo que provoca una pérdida de polvo debido a la oxidación, lo que resulta en contaminación ambiental para los dispositivos periféricos y las cámaras de vacío, y aumenta las impurezas en el entorno de alta pureza.
Sin embargo, el recubrimiento de SiC puede mantener la estabilidad física y química a 1600 grados, y se utiliza ampliamente en la industria moderna, especialmente en la industria de semiconductores.
Nuestra empresa ofrece servicios de recubrimiento de SiC mediante el método CVD sobre superficies de grafito, cerámica y otros materiales. Mediante gases especiales que contienen carbono y silicio, se obtienen moléculas de SiC de alta pureza que se depositan sobre la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora de SiC. El SiC formado se adhiere firmemente a la base de grafito, otorgándole propiedades especiales. Esto se traduce en una superficie de grafito compacta, sin porosidad, resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.
Características principales:
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena incluso a temperaturas tan altas como 1700 °C.
2. Alta pureza: fabricado mediante deposición química de vapor bajo condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densidad | (g/cc)
| 3.21 |
| Resistencia a la flexión | (Mpa)
| 470 |
| Expansión térmica | (10-6/K) | 4
|
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidad de suministro:
10.000 piezas al mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: Embalaje estándar y resistente
Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Palé
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghái
Plazo de entrega:
| Cantidad (piezas) | 1 – 1000 | >1000 |
| Tiempo estimado (días) | 15 | Por negociar |
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