Recubrimiento de SiC/recubrimiento de sustrato de grafito para semiconductores, bandejas de grafito, susceptores de epitaxia de grafito SiC

Descripción breve:

 


  • Lugar de origen:Zhejiang, China (continental)
  • Número de modelo:Barco3004
  • Composición química:Grafito recubierto de SiC
  • Resistencia a la flexión:470 MPa
  • Conductividad térmica:300 W/mK
  • Calidad:Perfecto
  • Función:CVD-SiC
  • Solicitud:Semiconductores/Fotovoltaicos
  • Densidad:3,21 g/cc
  • Expansión térmica:4 10-6/K
  • Ceniza: <5 ppm
  • Muestra:Disponible
  • Código HS:6903100000
  • Detalle del producto

    Etiquetas de productos

    Recubrimiento de SiC/recubrimiento de sustrato de grafito para semiconductores.Bandejas de grafito,Grafito de siliciosusceptores de epitaxia,
    El carbono suministra susceptores, EPITAXIA Y MOCVD, susceptores de epitaxia, Bandejas de grafito, Susceptores de obleas,

    Descripción del Producto

    El recubrimiento CVD-SiC tiene las características de estructura uniforme, material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos y álcalis y reactivo orgánico, con propiedades físicas y químicas estables.

    En comparación con los materiales de grafito de alta pureza, el grafito comienza a oxidarse a 400 °C, lo que provocará una pérdida de polvo debido a la oxidación, lo que generará contaminación ambiental en los dispositivos periféricos y las cámaras de vacío y aumentará las impurezas del entorno de alta pureza.

    Sin embargo, el recubrimiento de SiC puede mantener la estabilidad física y química a 1600 grados y se utiliza ampliamente en la industria moderna, especialmente en la industria de semiconductores.

    Nuestra empresa ofrece servicios de recubrimiento de SiC mediante el método CVD sobre superficies de grafito, cerámica y otros materiales. Esto permite que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionen a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza. Estas moléculas se depositan sobre la superficie de los materiales recubiertos y forman una capa protectora de SIC. El SIC formado se une firmemente a la base de grafito, lo que le confiere propiedades especiales, lo que permite que la superficie del grafito sea compacta, libre de poros y resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.

    Características principales:

    1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

    La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1700 C.

    2. Alta pureza: fabricado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.

    3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

    4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

    Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidad

    (g/cc)

    3.21

    Resistencia a la flexión

    (Mpa)

    470

    Expansión térmica

    (10-6/K)

    4

    Conductividad térmica

    (W/mK)

    300

    Capacidad de suministro:

    10000 piezas por mes
    Embalaje y entrega:
    Embalaje: embalaje estándar y resistente
    Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Palet
    Puerto:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghái
    Plazo de entrega:

    Cantidad (piezas) 1 – 1000 >1000
    Tiempo estimado (días) 15 A negociar


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