SiC húðun/húðun á grafít undirlagi fyrir hálfleiðara,GrafítbakkarSic grafítepitaxy-næmar,
Kolefni veitir mótefni, EPITAXY OG MOCVD, epitaxy-næmar, Grafítbakkar, Vafraskynjarar,

CVD-SiC húðun hefur einkenni einsleitrar uppbyggingar, þétts efnis, háhitaþols, oxunarþols, mikils hreinleika, sýru- og basaþols og lífrænna hvarfefna, með stöðugum eðlis- og efnafræðilegum eiginleikum.

Í samanburði við grafítefni með mikla hreinleika byrjar grafít að oxast við 400°C, sem veldur dufttapi vegna oxunar, sem leiðir til umhverfismengunar í jaðartækjum og lofttæmisklefum og eykur óhreinindi í umhverfi með mikla hreinleika.

Hins vegar getur SiC húðun viðhaldið líkamlegum og efnafræðilegum stöðugleika við 1600 gráður, hún er mikið notuð í nútíma iðnaði, sérstaklega í hálfleiðaraiðnaði.

Fyrirtækið okkar býður upp á SiC húðunarþjónustu með CVD aðferð á yfirborði grafíts, keramik og annarra efna, þannig að sérstakar lofttegundir sem innihalda kolefni og kísill hvarfast við háan hita til að fá SiC sameindir með mikilli hreinleika. Sameindir setjast á yfirborð húðaðra efna og mynda SIC verndarlag. SIC sem myndast er fast bundið við grafítgrunninn, sem gefur grafítgrunninum sérstaka eiginleika og gerir yfirborð grafítsins þétt, gegndræpt, hitaþolið, tæringarþolið og oxunarþolið.

Helstu eiginleikar:

1. Oxunarþol við háan hita:

Oxunarþolið er enn mjög gott þegar hitastigið er allt að 1700°C.

2. Mikil hreinleiki: framleitt með efnafræðilegri gufuútfellingu við klórun við háan hita.

3. Viðnám gegn rofi: mikil hörku, þétt yfirborð, fínar agnir.

4. Tæringarþol: sýrur, basar, salt og lífræn hvarfefni.

Helstu forskriftir CVD-SIC húðunar:

Framboðsgeta:

10000 stykki/stykki á mánuði
Pökkun og afhending:
Pökkun: Staðlað og sterkt pökkun
Polypoki + Kassi + Askja + Bretti
Höfn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Afgreiðslutími: