सेमीकंडक्टरसाठी ग्राफाईट सबस्ट्रेटवर SiC कोटिंग/लेपितग्राफाइट ट्रे，Sic Graphiteएपिटॅक्सी ससेप्टर्स,
कार्बन ससेप्टर्स पुरवतो, एपिटॅक्सी आणि एमओसीव्हीडी, एपिटॅक्सी ससेप्टर्स, ग्राफाइट ट्रे, वेफर ससेप्टर्स,

CVD-SiC कोटिंगमध्ये एकसमान रचना, घट्ट पदार्थ, उच्च तापमान प्रतिरोध, ऑक्सिडेशन प्रतिरोध, उच्च शुद्धता, आम्ल व अल्कली प्रतिरोध आणि सेंद्रिय अभिकर्मक प्रतिरोध ही वैशिष्ट्ये असून, त्याचे भौतिक आणि रासायनिक गुणधर्म स्थिर असतात.

उच्च-शुद्धतेच्या ग्रॅफाइट सामग्रीच्या तुलनेत, ग्रॅफाइट ४००°C तापमानावर ऑक्सिडाइज होऊ लागते, ज्यामुळे ऑक्सिडेशनमुळे पावडरची हानी होते, परिणामी बाह्य उपकरणे आणि व्हॅक्यूम चेंबर्समध्ये पर्यावरणीय प्रदूषण होते आणि उच्च-शुद्धतेच्या वातावरणातील अशुद्धता वाढते.

तथापि, एसआयसी (SiC) कोटिंग १६०० अंश तापमानावर भौतिक आणि रासायनिक स्थिरता टिकवून ठेवू शकते, त्यामुळे आधुनिक उद्योगात, विशेषतः सेमीकंडक्टर उद्योगात याचा मोठ्या प्रमाणावर वापर केला जातो.

आमची कंपनी ग्रॅफाइट, सिरॅमिक्स आणि इतर पदार्थांच्या पृष्ठभागावर CVD पद्धतीने SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवा प्रदान करते. यामध्ये कार्बन आणि सिलिकॉन असलेले विशेष वायू उच्च तापमानावर अभिक्रिया करून उच्च शुद्धतेचे SiC रेणू मिळवतात. हे रेणू लेपित पदार्थांच्या पृष्ठभागावर जमा होऊन SiC चा संरक्षक थर तयार करतात. तयार झालेला SiC हा ग्रॅफाइट बेसला घट्टपणे जोडला जातो, ज्यामुळे ग्रॅफाइट बेसला विशेष गुणधर्म प्राप्त होतात. यामुळे ग्रॅफाइटचा पृष्ठभाग एकसंध, सच्छिद्रता-मुक्त, उच्च तापमान प्रतिरोधक, गंज-प्रतिरोधक आणि ऑक्सिडेशन-प्रतिरोधक बनतो.

मुख्य वैशिष्ट्ये:

१. उच्च तापमानातील ऑक्सिडेशनला प्रतिकारशक्ती:

१७०० अंश सेल्सियस इतक्या उच्च तापमानातही ऑक्सिडेशनला प्रतिकार करण्याची क्षमता खूप चांगली असते.

२. उच्च शुद्धता: उच्च तापमानाच्या क्लोरीनीकरण परिस्थितीत रासायनिक बाष्प निक्षेपणाद्वारे बनवलेले.

३. झीज प्रतिरोध: उच्च कठीणपणा, घट्ट पृष्ठभाग, बारीक कण.

४. क्षरण प्रतिरोध: आम्ल, अल्कली, क्षार आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.

सीव्हीडी-एसआयसी लेपनांची मुख्य वैशिष्ट्ये:

पुरवठा क्षमता:

१०००० नग प्रति महिना
पॅकेजिंग आणि वितरण:
पॅकिंग: मानक आणि मजबूत पॅकिंग
पॉली बॅग + बॉक्स + कार्टन + पॅलेट
पोर्ट:
निंगबो/शेन्झेन/शांघाय
लागणारा वेळ: