半導体用グラファイト基板へのSiCコーティング／コーティンググラファイトトレイ、Sic グラファイトエピタキシー受容体,
炭素は感受性物質を供給する, エピタキシーとMOCVD, エピタキシー受容体, グラファイトトレイ, ウェーハサセプター,

CVD-SiCコーティングは、均一な構造、緻密な材料​​、耐高温性、耐酸化性、高純度、耐酸性・耐アルカリ性、耐有機試薬性、そして安定した物理的・化学的特性といった特徴を有しています。

高純度グラファイト材料と比較すると、グラファイトは400℃で酸化が始まり、酸化による粉末の損失を引き起こし、周辺機器や真空チャンバーの環境汚染、高純度環境の不純物の増加につながる。

しかし、SiCコーティングは1600度でも物理的および化学的安定性を維持できるため、現代産業、特に半導体産業で広く使用されています。

当社は、グラファイト、セラミックス、その他の材料の表面にCVD法によるSiCコーティング加工サービスを提供しています。この加工では、炭素とシリコンを含む特殊ガスを高温で反応させ、高純度のSiC分子を生成します。生成された分子はコーティング対象材料の表面に堆積し、SiC保護層を形成します。形成されたSiCはグラファイト基材にしっかりと結合し、グラファイト基材に特殊な特性を付与します。これにより、グラファイト表面は緻密で、気孔がなく、耐高温性、耐腐食性、耐酸化性に優れたものとなります。

主な特徴：

1. 高温酸化耐性：

温度が1700℃という高温でも、酸化耐性は非常に良好です。

2. 高純度：高温塩素化条件下での化学気相堆積法により製造。

3. 耐侵食性：高硬度、緻密な表面、微細粒子。

4. 耐腐食性：酸、アルカリ、塩、有機試薬。

CVD-SICコーティングの主な仕様：

供給能力：

月間10000個
梱包と配送：
梱包：標準的で丈夫な梱包
ポリ袋＋箱＋カートン＋パレット
ポート：
寧波/深セン/上海
リードタイム：