Instrumentum semiconductorium est cor instrumentorum machinarum industrialium modernarum, late in computatris, electronicis domesticis, communicationibus retium, electronicis autocineticis, et aliis partibus adhibitum. Industria semiconductorum ex quattuor elementis fundamentalibus constat: circuitibus integratis, instrumentis optoelectronicis, instrumentis discretis, et sensoribus, quae plus quam 80% circuitum integratorum constituunt, saepe et semiconductoribus et circuitibus integratis aequivalentibus.
Circuitus integratus, secundum genus producti, in quattuor partes praecipue dividitur: microprocessores, memorias, machinas logicas, partes simulationis. Attamen, cum campi applicationis machinarum semiconductorum continua amplificatione, multae occasiones speciales requirunt ut semiconductores adhaerere possint usui temperaturarum altarum, radiationis fortis, potentiae magnae, aliorumque ambituum, sine laesione. Prima et secunda generatio materiarum semiconductorum potentia carent, itaque tertia generatio materiarum semiconductorum orta est.
In praesenti, materiae semiconductrices latae zonae intervalli repraesentatae acarburum silicii(SiC), gallii nitrurum (GaN), zinci oxidum (ZnO), adamas, aluminii nitrurum (AlN) mercatum dominantem cum maioribus commodis occupant, simul materiae semiconductrices tertiae generationis appellatae. Materiae semiconductrices tertiae generationis, cum latiore lacuna zonae electricae, eo altiores sunt campi electrici disruptionis, conductivitate thermali, saturatione electronica et facultate radiationis resistentiae, aptiores sunt ad fabricanda instrumenta altae temperaturae, altae frequentiae, resistentia radiationis et altae potentiae, vulgo notae ut materiae semiconductrices latae lacunae zonae (latitudo zonae prohibita maior est quam 2.2 eV), etiam materiae semiconductrices altae temperaturae appellatae. Ex investigationibus hodiernis de materiis et instrumentis semiconductricibus tertiae generationis, materiae semiconductrices carburi silicii et gallii nitruri maturiores sunt, et...technologia carburi siliciiest maturissimum, dum investigatio de oxido zinci, adamante, nitrido aluminii aliisque materiis adhuc in stadio initiali est.
Materiae et Proprietates earum:
Carburum siliciiMateria late adhibita in sphaericiis ceramicis, valvis, materiis semiconductoribus, gyroscopiis, instrumentis mensurae, industria aerospatiali aliisque campis, materia irreparabilis facta est in multis campis industrialibus.
SiC est genus superreticuli naturalis et polytypus homogeneus typicus. Plus quam ducentae (nunc notae) familiae polytypicae homotypicae exstant propter differentiam in ordine compactionis inter strata diatomica Si et C, quae ad diversas structuras crystallinas ducit. Ergo, SiC aptissimum est novae generationi materiarum substrati diodorum electroluminescentium (LED), materiis electronicis magnae potentiae.
| proprius | |
| proprietas physica | Duritia alta (3000kg/mm), rubinum secare potest |
| Alta resistentia attritionis, secunda tantum adamantibus | |
| Conductivitas thermalis triplo maior est quam Si et octo~decies maior quam GaAs. | |
| Stabilitas thermalis SiC alta est et impossibile est eum liquefacere sub pressione atmosphaerica. | |
| Bona dissipatio caloris magni momenti est instrumentis magnae potentiae. | |
|
proprietas chemica | Resistentia corrosionis valde valida, resistens fere cuilibet noto agente corrosivo temperatura ambiente |
| Superficies SiC facile oxidatur ad SiO formandum, tenui strato, ulteriorem oxidationem eius impedire potest. Supra 1700℃, pellicula oxidi liquefiit et celeriter oxidatur. | |
| Lacuna zonae 4H-SIC et 6H-SIC est fere ter maior quam Si et bis maior quam GaAs: Intensitas campi electrici disruptionis magnitudinis ordine maior est quam Si, et velocitas translationis electronicae saturata est. Bis et dimidio Si. Lacuna zonae 4H-SIC latior est quam 6H-SIC. |
Tempus publicationis: Kal. Aug. anni MMXXII