يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەر زامانىۋى سانائەت ماشىنا ئۈسكۈنىلىرىنىڭ يادروسى بولۇپ، كومپيۇتېر، ئىستېمال ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى، تور ئالاقىسى، ئاپتوموبىل ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى قاتارلىق ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلىدۇ. يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتى ئاساسلىقى تۆت ئاساسلىق تەركىبتىن تەركىب تاپقان: بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولى، ئوپتوئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر، ئايرىم ئۈسكۈنە، سېنزور، بۇ بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولىنىڭ %80 تىن كۆپرەكىنى ئىگىلەيدۇ، شۇڭا كۆپىنچە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋە بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولىغا تەڭ كېلىدۇ.
مەھسۇلات تۈرىگە ئاساسەن، ئىنتېگرال توك يولى ئاساسلىقى تۆت تۈرگە بۆلىنىدۇ: مىكرو بىر تەرەپ قىلغۇچ، ئىچكى ساقلىغۇچ، لوگىكا ئۈسكۈنىلىرى، سىمۇلياتور زاپچاسلىرى. قانداقلا بولمىسۇن، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنىڭ قوللىنىش دائىرىسى ئۈزلۈكسىز كېڭىيىشىگە ئەگىشىپ، نۇرغۇن ئالاھىدە ئەھۋاللاردا يېرىم ئۆتكۈزگۈچلەرنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرا، كۈچلۈك رادىئاتسىيە، يۇقىرى قۇۋۋەت قاتارلىق مۇھىتلارغا ماسلىشىشى، زىيان يەتكۈزمەسلىكى، بىرىنچى ۋە ئىككىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارنىڭ كۈچى يەتمەسلىكى تەلەپ قىلىنىدۇ، شۇڭا ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار بارلىققا كەلدى.
ھازىر، كەڭ بەلۋاغ بوشلۇقىدىكى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار ... نى ئىپادىلەيدۇ.كرېمنىي كاربىدى(SiC)، گاللىي نىترىد (GaN)، سىنىك ئوكسىد (ZnO)، ئالماس، ئاليۇمىن نىترىد (AlN) بازاردا ئۈستۈنلۈكنى ئىگىلەيدۇ، ئۇلار ئورتاق ھالدا ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار دەپ ئاتىلىدۇ. ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار كەڭ بەلۋاغ كەڭلىكىدە، پارچىلىنىش ئېلېكتر مەيدانى، ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى، ئېلېكترونلۇق تويۇنۇش سۈرئىتى ۋە رادىئاتسىيەگە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى شۇنچە يۇقىرى بولۇپ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا، يۇقىرى چاستوتا، رادىئاتسىيەگە قارشى تۇرۇش ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئۈسكۈنىلەرنى ياساشقا تېخىمۇ ماس كېلىدۇ، ئادەتتە كەڭ بەلۋاغ يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار دەپ ئاتىلىدۇ (چەكلەنگەن بەلۋاغ كەڭلىكى 2.2 eV دىن چوڭ)، يەنە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار دەپمۇ ئاتىلىدۇ. ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار ۋە ئۈسكۈنىلەر توغرىسىدىكى ھازىرقى تەتقىقاتلاردىن قارىغاندا، كرېمنىي كاربىد ۋە گاللىي نىترىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى تېخىمۇ پىشىپ يېتىلگەن، ھەمدەكرېمنىي كاربىد تېخنىكىسىئەڭ پىشىپ يېتىلگەن تەتقىقات بولۇپ، سىنك ئوكسىد، ئالماس، ئاليۇمىن نىترىد ۋە باشقا ماتېرىياللار توغرىسىدىكى تەتقىقاتلار يەنىلا دەسلەپكى باسقۇچتا تۇرماقتا.
ماتېرىياللار ۋە ئۇلارنىڭ خۇسۇسىيەتلىرى:
كرېمنىي كاربىدىبۇ ماتېرىيال كېرامىك شار ياستۇقلىرى، كلاپانلار، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار، گىروس، ئۆلچەش ئەسۋابلىرى، ئاۋىئاتسىيە قاتارلىق ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلىپ، نۇرغۇن سانائەت ساھەلىرىدە ئورنىنى ئالغىلى بولمايدىغان ماتېرىيالغا ئايلاندى.
SiC بىر خىل تەبىئىي ئۈستۈنكى تور ۋە تىپىك بىر خىل كۆپ خىل تىپ. Si ۋە C ئىككى ئاتوملۇق قەۋەتلىرى ئوتتۇرىسىدىكى ئوراش تەرتىپىنىڭ ئوخشىماسلىقى سەۋەبىدىن، 200 دىن ئارتۇق (ھازىرچە مەلۇم) بىر خىل كۆپ خىل تىپ ئائىلىسى بار، بۇ پەرقلىق كىرىستال قۇرۇلمىسىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. شۇڭا، SiC يېڭى ئەۋلاد يورۇقلۇق چىقىرىدىغان دىئود (LED) ئاساسىي ماتېرىيال، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئېلېكترونلۇق ماتېرىياللارغا ناھايىتى ماس كېلىدۇ.
| خاراكتېرلىك | |
| فىزىكىلىق مۈلۈك | يۇقىرى قاتتىقلىق (3000kg/mm)، ياقۇتنى كېسىشكە بولىدۇ |
| يۇقىرى ئۇپراشقا چىداملىق، پەقەت ئالماستىن قالسىلا ئىككىنچى ئورۇندا تۇرىدۇ | |
| ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى Si دىن 3 ھەسسە، GaAs دىن 8 ~ 10 ھەسسە يۇقىرى. | |
| SiC نىڭ ئىسسىقلىق مۇقىملىقى يۇقىرى بولۇپ، ئاتموسفېرا بېسىمىدا ئېرىپ كېتىش مۇمكىن ئەمەس. | |
| يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئۈسكۈنىلەر ئۈچۈن ياخشى ئىسسىقلىق تارقىتىش ئىقتىدارى ناھايىتى مۇھىم. | |
|
خىمىيىلىك خۇسۇسىيەت | ناھايىتى كۈچلۈك چىرىشكە قارشىلىق كۆرسىتىدۇ، ئۆي تېمپېراتۇرىسىدا دېگۈدەك ھەر قانداق مەلۇم چىرىش كۈچىگە چىداملىق |
| SiC يۈزى ئاسانلا ئوكسىدلىنىپ، SiO2 نى ھاسىل قىلىدۇ، بۇ نېپىز قەۋەت ئۇنىڭ كېيىنكى ئوكسىدلىنىشىنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ، 1700℃ دىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا، ئوكسىد پەردىسى ئېرىپ، تېز ئوكسىدلىنىدۇ | |
| 4H-SIC ۋە 6H-SIC نىڭ بەلۋاغ بوشلۇقى Si نىڭكىدىن تەخمىنەن 3 ھەسسە، GaAs نىڭكىدىن 2 ھەسسە چوڭ: پارچىلىنىش ئېلېكتر مەيدانىنىڭ كۈچلۈكلۈكى Si دىن بىر دەرىجە يۇقىرى، ئېلېكتروننىڭ يۆتكىلىش سۈرئىتى تويۇنغان Si نىڭ ئىككى يېرىم ھەسسىسى. 4H-SIC نىڭ توك يولى بوشلۇقى 6H-SIC نىڭكىدىن كەڭ. |
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2022-يىلى 8-ئاينىڭ 1-كۈنى