O le masini semiconductor o le fatu lea o masini faʻaonaponei faʻaonaponei, e faʻaaogaina lautele i komepiuta, mea faʻaeletoronika faʻatau, fesoʻotaʻiga fesoʻotaʻiga, mea faʻaeletoronika taʻavale, ma isi vaega o le fatu, o le alamanuia semiconductor e masani lava ona aofia ai vaega autu e fa: matagaluega tuʻufaʻatasi, masini optoelectronic, masini vavaeʻese, ma sensor, lea e sili atu i le 80% o matagaluega tuʻufaʻatasi, e masani ona tutusa ma semiconductor ma matagaluega tuʻufaʻatasi.
O le matagaluega tu'ufa'atasi, e tusa ai ma le vaega o oloa e vaevaeina tele i ni vaega e fa: microprocessor, manatua, masini fa'alogika, vaega simulator. Peita'i, fa'atasi ai ma le fa'alauteleina pea o le fanua fa'aoga o masini semiconductor, o le tele o taimi fa'apitoa e mana'omia ai semiconductors ia mafai ona tausisi i le fa'aogaina o le vevela maualuga, fa'avevela malosi, malosiaga maualuga ma isi siosiomaga, aua le fa'aleagaina, o le augatupulaga muamua ma le lona lua o mea semiconductor e leai se malosi, o lea na fa'atupuina ai le augatupulaga lona tolu o mea semiconductor.
I le taimi nei, o meafaitino semiconductor lautele le va o le band gap o loʻo faʻatusalia esilicon carbide(SiC), gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO), taimane, alumini nitride (AlN) o loʻo umia le maketi sili ona tele ma faʻamanuiaga sili atu, e taʻua faʻatasi o mea semiconductor tupulaga lona tolu. O le tupulaga lona tolu o mea semiconductor e lautele le lautele o le band gap, o le maualuga o le eletise breakdown field, thermal conductivity, electronic saturated rate ma le maualuga o le gafatia e teteʻe atu ai i le radiation, e sili atu ona talafeagai mo le faia o masini vevela maualuga, maualuga le frequency, teteʻe atu i le radiation ma masini eletise maualuga, e masani ona taʻua o mea semiconductor lautele bandgap (lautele o le band faʻasaina e sili atu i le 2.2 eV), e taʻua foʻi o mea semiconductor vevela maualuga. Mai suʻesuʻega o loʻo iai nei i mea ma masini semiconductor tupulaga lona tolu, o mea semiconductor silicon carbide ma gallium nitride ua sili atu ona matutua, matekinolosi silicon carbideo le mea sili ona matua, ae o suʻesuʻega i luga o le zinc oxide, taimane, alumini nitride ma isi meafaitino o loʻo i ai pea i le tulaga muamua.
Meafaitino ma o latou Meatotino：
Silikoni karbidaE faʻaaogaina lautele lenei mea i uʻamea polo keramika, valves, mea semiconductor, gyros, mea fuaina, aerospace ma isi vaega, ua avea ma mea e le mafai ona suia i le tele o vaega tau alamanuia.
O le SiC o se ituaiga o le superlattice masani ma o se polytype homogeneous masani. E silia ma le 200 (ua iloa nei) aiga homotypic polytypic ona o le eseesega o le faasologa o le afifiina i le va o vaega diatomic Si ma le C, lea e taitai atu ai i ni fausaga tioata eseese. O le mea lea, e matua talafeagai lava le SiC mo le tupulaga fou o mea e fa'amumu ai le malamalama (LED) substrate, mea eletise malosi maualuga.
| uiga | |
| meatotino faaletino | Ma'a'a maualuga (3000kg/mm), e mafai ona tipiina le ruby |
| Tete'e maualuga i le ofuina, lona lua i le taimane | |
| E 3 taimi e maualuga atu ai le conductivity thermal nai lo le Si ma le 8~10 taimi e maualuga atu nai lo le GaAs. | |
| E maualuga le mautu o le SiC i le vevela ma e le mafai ona liusuavai i le mamafa o le ea. | |
| E taua tele le lelei o le fa'asa'olotoina o le vevela mo masini e maualuga le malosi | |
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meatotino fa'akemikolo | E matua malosi lava le tete'e atu i le 'ele, e tete'e atu i so'o se mea e 'ele ai i le vevela o le potu |
| E faigofie ona fa'a'okesaita le fogā'ele'ele SiC e fausia ai le SiO, o se vaega manifinifi, e mafai ona taofia ai lona fa'a'okesaitaina atili, i totonu I luga atu o le 1700 ℃, e vave ona liusuavai le ata oxide ma faʻaʻeseʻesea vave | |
| O le vaeluaga o le fusi o le 4H-SIC ma le 6H-SIC e tusa ma le 3 taimi le maualuga nai lo le Si ma le 2 taimi le maualuga o le GaAs: O le malosi o le eletise ua malepe e maualuga atu nai lo le Si, ma o le saoasaoa o le eletise ua fa'atumuina. E lua ma le afa taimi le Si. O le va o le fusipa'u o le 4H-SIC e lautele atu nai lo le 6H-SIC |
Taimi na lafoina ai: Aokuso-01-2022