-
Dräi Haapttechnike fir de SiC-Kristallwuesstum
Wéi an der Fig. 3 gewisen, ginn et dräi dominant Techniken, déi drop aus sinn, SiC-Eenkristaller mat héijer Qualitéit an Effizienz ze liwweren: Flëssegkeetsphase-Epitaxie (LPE), physikaleschen Dampftransport (PVT) an Héichtemperatur-chemesch Dampfoflagerung (HTCVD). PVT ass e gutt etabléierte Prozess fir d'Produktioun vu SiC-Sin...Liest méi -
Kuerz Aféierung am Halbleiter GaN vun der drëtter Generatioun a verwandte epitaktesch Technologie
1. Hallefleeder vun der drëtter Generatioun Déi éischt Hallefleedertechnologie gouf op Basis vu Hallefleedermaterialien wéi Si a Ge entwéckelt. Si ass d'Materialbasis fir d'Entwécklung vun Transistoren an integréierter Schaltungstechnologie. D'Halbleedermaterialien vun der éischter Generatioun hunn d'Grondlag geluecht...Liest méi -
23,5 Milliarden, Suzhou säi Super-Eenhoorn geet op den IPO
No 9 Joer Entrepreneurship huet Innoscience méi wéi 6 Milliarden Yuan u Finanzéierung gesammelt, an hir Bewäertung huet erstaunlech 23,5 Milliarden Yuan erreecht. D'Lëscht vun den Investisseuren ass sou laang wéi Dosende vu Firmen: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Liest méi -
Wéi verbesseren Tantalkarbid-beschichtete Produkter d'Korrosiounsbeständegkeet vu Materialien?
Tantalkarbidbeschichtung ass eng üblech Uewerflächenbehandlungstechnologie, déi d'Korrosiounsbeständegkeet vu Materialien däitlech verbessere kann. Tantalkarbidbeschichtung kann duerch verschidde Virbereedungsmethoden, wéi chemesch Dampfoflagerung, physesch..., op d'Uewerfläch vum Substrat befestegt ginn.Liest méi -
Aféierung an d'GaN Hallefleeder vun der drëtter Generatioun an déi domat verbonne epitaktesch Technologie
1. Hallefleeder vun der drëtter Generatioun Déi éischt Hallefleedertechnologie gouf op Basis vu Hallefleedermaterialien wéi Si a Ge entwéckelt. Si ass d'Materialbasis fir d'Entwécklung vun Transistoren an integréierter Schaltungstechnologie. Déi éischt Hallefleedermaterialien hunn d'Grondlag geluecht...Liest méi -
Numeresch Simulatiounsstudie iwwer den Effekt vu porösem Graphit op de Wuesstum vu Siliziumcarbidkristaller
De Basisprozess vum SiC-Kristallwuesstum ass opgedeelt an Sublimatioun an Zersetzung vu Réistoffer bei héijer Temperatur, Transport vu Gasphas-Substanzen ënner der Aktioun vum Temperaturgradient, a Rekristalliséierungswuesstum vu Gasphas-Substanzen um Keimkristall. Op Basis dovun,...Liest méi -
Aarte vu spezielle Grafit
Spezialgrafit ass e Grafitmaterial mat héijer Rengheet, héijer Dicht a héijer Stäerkt a weist eng exzellent Korrosiounsbeständegkeet, héich Temperaturstabilitéit a gutt elektresch Leetfäegkeet. E gëtt aus natierlechem oder künstleche Grafit hiergestallt, nodeems en héichtemperaturéiert an héichdrockveraarbecht gouf...Liest méi -
Analyse vun Dënnschichtoflagerungsausrüstung – d'Prinzipien an Uwendungen vun der PECVD/LPCVD/ALD-Ausrüstung
Dënnschichtoflagerung ass d'Beschichtung vun enger Schicht Film op dem Haaptsubstratmaterial vum Hallefleeder. Dëse Film kann aus verschiddene Materialien hiergestallt ginn, wéi zum Beispill Isolatiounsverbindung Siliziumdioxid, Hallefleederpolysilizium, Metallkoffer, etc. D'Ausrüstung, déi fir d'Beschichtung benotzt gëtt, gëtt Dënnschichtoflagerung genannt...Liest méi -
Wichteg Materialien, déi d'Qualitéit vum monokristalline Siliziumwuesstum bestëmmen – thermescht Feld
De Wuesstumsprozess vu monokristallinem Silizium gëtt komplett am thermesche Feld duerchgefouert. E gutt thermescht Feld ass bäidroe fir d'Qualitéit vun de Kristaller ze verbesseren an huet eng méi héich Kristallisatiounseffizienz. Den Design vum thermesche Feld bestëmmt gréisstendeels d'Ännerungen an den Temperaturgradienten...Liest méi