ບົດນຳ: ບົດບາດສຳຄັນຂອງວັດສະດຸທໍ່ເຕົາໃນການຜະລິດເຄື່ອງເຄິ່ງຕົວນຳ
ໃນການຜະລິດແຜ່ນເວເຟີເຄິ່ງຕົວນຳ, ທໍ່ເຕົາແຜ່ກະຈາຍແມ່ນໜຶ່ງໃນອົງປະກອບຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງທີ່ສຳຄັນທີ່ສຸດທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນປະມວນຜົນຄວາມຮ້ອນ. ມັນສະໜອງສະພາບແວດລ້ອມປະຕິກິລິຍາທີ່ຄວບຄຸມໄດ້ສຳລັບຂະບວນການເຄິ່ງຕົວນຳທີ່ສຳຄັນຫຼາຍຢ່າງ, ລວມທັງ:
- ການຜຸພັງດ້ວຍຄວາມຮ້ອນ;
- ການແຜ່ກະຈາຍສານເຈືອປົນ;
- ການຫລອມໂລຫະ;
- ການວາງ LPCVD;
- ການປິ່ນປົວດ້ວຍແຜ່ນເວເຟີທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.
ບໍ່ເຫມືອນກັບອົງປະກອບເຕົາອົບອຸດສາຫະກໍາແບບດັ້ງເດີມ, ທໍ່ເຕົາອົບເຄິ່ງຕົວນໍາຕ້ອງຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຂັ້ມງວດທີ່ສຸດ ເພາະວ່າແມ່ນແຕ່ການປົນເປື້ອນຮ່ອງຮອຍ ຫຼື ການສ້າງອະນຸພາກກໍ່ສາມາດສົ່ງຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ຜົນຜະລິດຂອງແຜ່ນເວເຟີ ແລະ ຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນ.
ໃນລະຫວ່າງຂະບວນການແຜ່ກະຈາຍ ແລະ ຜຸພັງຂອງເຄິ່ງຕົວນຳ, ທໍ່ເຕົາໄຟມັກຈະຖືກສຳຜັດກັບ:
- ສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງຕັ້ງແຕ່ 800°C ຫາ 1200°C;
- ອາຍແກັສທີ່ຜຸພັງເຊັ່ນ: O₂ ແລະ H₂O;
- ອາຍແກັສທີ່ບໍ່ມີປະຕິກິລິຍາລວມທັງ N₂ ແລະ Ar;
- ສານຕັ້ງຕົ້ນຂອງສານເສີມເຊັ່ນ: POCl₃ ແລະ BBr₃;
- ສານເຄມີຊະນິດທີ່ກັດກ່ອນເຊັ່ນ HCl.
ດັ່ງນັ້ນ, ວັດສະດຸທໍ່ເຕົາໄຟຕ້ອງສະໜອງພ້ອມໆກັນ:
- ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີສູງຫຼາຍ;
- ສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ;
- ການປົນເປື້ອນໂລຫະຕໍ່າ;
- ຄວາມຕ້ານທານການກັດກ່ອນສູງ;
- ການສ້າງອະນຸພາກຕໍ່າ;
- ອາຍຸການໃຊ້ງານຍາວນານ.
ອີງຕາມມາດຕະຖານວັດສະດຸອຸປະກອນເຄິ່ງຕົວນຳ ແລະ ການປະຕິບັດຂອງອຸດສາຫະກຳ, ວັດສະດຸທໍ່ເຕົາອົບທີ່ໃຊ້ກັນຢ່າງກວ້າງຂວາງທີ່ສຸດປະກອບມີ:
- ຫີນ Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງ (ຊິລິກາປະສົມ, SiO₂)
- ຊິລິກອນຄາໄບ (ເຊລາມິກ SiC)
- ອາລູມິນາເຊລາມິກ (Al₂O₃)
- ເຊລາມິກຊິລິກອນໄນໄຕຣດ (Si₃N₄)
ທໍ່ Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
ໃນບັນດາວັດສະດຸທໍ່ເຕົາອົບເຄິ່ງຕົວນຳທັງໝົດ, ທໍ່ quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງຍັງຄົງເປັນທາງອອກທີ່ໂດດເດັ່ນສຳລັບການຜະລິດແຜ່ນຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມເນື່ອງຈາກຄວາມບໍລິສຸດທີ່ໂດດເດັ່ນ, ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງຄວາມຮ້ອນ ແລະ ເຕັກໂນໂລຊີການປຸງແຕ່ງທີ່ສົມບູນ.
ທໍ່ quartz ຊັ້ນເຄິ່ງຕົວນຳແມ່ນຜະລິດຈາກຊິລິກາທີ່ປະສົມຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຊິ່ງສ່ວນປະກອບຫຼັກແມ່ນຊິລິກອນໄດອອກໄຊ (SiO₂). ລະດັບຄວາມບໍລິສຸດມັກຈະເກີນ 99.99%, ໂດຍມີການຄວບຄຸມຢ່າງເຂັ້ມງວດຕໍ່ສິ່ງເຈືອປົນຂອງໂລຫະລວມທັງ: Fe; Na; K; Cu; Al.
ໃນຂະບວນການຜຸພັງດ້ວຍຄວາມຮ້ອນ, ທໍ່ເຕົາ quartz ໃຫ້ສະພາບແວດລ້ອມປະຕິກິລິຍາທີ່ເໝາະສົມສຳລັບການສ້າງຊັ້ນຊິລິກອນອອກໄຊ.
ປະຕິກິລິຍາທົ່ວໄປປະກອບມີ:
ການຜຸພັງແຫ້ງ:
Si + O₂ → SiO₂
ການຜຸພັງປຽກ:
Si + H₂O → SiO₂ + H₂
ຂະບວນການຜຸພັງເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນມີຄວາມຈໍາເປັນສໍາລັບ:
- ການສ້າງປະຕູໄຟຟ້າ;
- ການເຮັດໃຫ້ພື້ນຜິວສະອາດ;
- ໂຄງສ້າງການໂດດດ່ຽວ.
ທໍ່ Quartz ຍັງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂະບວນການແຜ່ກະຈາຍສານ dopant, ລວມທັງ:
- ການແຜ່ກະຈາຍຟອສຟໍຣັດໂດຍໃຊ້ POCl₃;
- ການແຜ່ກະຈາຍຂອງໂບຣອນໂດຍໃຊ້ BBr₃;
- ຂະບວນການແຜ່ກະຈາຍຂອງສານຫນູ.
ນອກຈາກນັ້ນ, ທໍ່ເຕົາ quartz ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນລະບົບ LPCVD ສໍາລັບ:
- ການຕົກตะกอนຊິລິໂຄນໄນໄຕຣດ;
- ການຕົກຕະກອນຊິລິໂຄນ polycrystalline.
ຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼັກຂອງທໍ່ເຕົາ quartz ປະກອບມີ:
- ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີທີ່ດີເລີດ
- ການຂະຫຍາຍຕົວທາງຄວາມຮ້ອນຕ່ຳ
- ຄວາມເປັນເອກະພາບທາງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ
ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ທໍ່ quartz ຍັງມີຂໍ້ຈຳກັດບາງຢ່າງ. ຂໍ້ຈຳກັດຕົ້ນຕໍແມ່ນຄວາມໝັ້ນຄົງທາງກົນຈັກທີ່ອຸນຫະພູມສູງ. ພາຍໃຕ້ການປະຕິບັດງານທີ່ຍາວນານສູງກວ່າປະມານ 1100–1200°C, quartz ອາດຈະປະສົບກັບ:
- ການຜິດຮູບຂອງທໍ່;
- ການຫຍ่อนຍານ;
- ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ.
ດັ່ງນັ້ນ, quartz ຍັງຄົງເປັນທາງເລືອກທີ່ຕ້ອງການສຳລັບການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳຊິລິໂຄນສາຍຫຼັກ ແຕ່ບໍ່ເໝາະສົມສຳລັບຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງຫຼາຍ ຫຼື ການກັດກ່ອນສູງ.
ທໍ່ຊິລິກອນຄາໄບ: ວິທີແກ້ໄຂທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງສຳລັບການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳຂັ້ນສູງ
ເຊລາມິກຊິລິກອນຄາໄບ (SiC) ໄດ້ກາຍເປັນວັດສະດຸທາງເລືອກທີ່ມີຄວາມຫວັງສຳລັບທໍ່ເຕົາອົບທີ່ກ້າວໜ້າ.
SiC ເປັນສານປະກອບເຊລາມິກໂຄວາເລນທີ່ປະກອບດ້ວຍຊິລິກອນ ແລະ ອະຕອມຄາບອນ. ເຊລາມິກ SiC ຊັ້ນເຄິ່ງຕົວນຳມັກຈະປະກອບມີ:
- ປະຕິກິລິຍາຜູກມັດ SiC;
- SiC ທີ່ຖືກເຜົາໄໝ້;
- ວັດສະດຸ SiC CVD ຄວາມບໍລິສຸດສູງ.
ເມື່ອປຽບທຽບກັບ quartz, SiC ໃຫ້ການປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ:
- ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມ;
- ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ;
- ການນຳຄວາມຮ້ອນ;
- ຄວາມທົນທານທາງເຄມີ.
ໜຶ່ງໃນຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ສຳຄັນທີ່ສຸດຂອງທໍ່ເຕົາ SiC ແມ່ນຄວາມສາມາດໃນການອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີກວ່າຂອງມັນ.
ໃນຂະນະທີ່ quartz ໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນຖືກຈຳກັດຢູ່ໃນສະພາບການປະຕິບັດງານປະມານ 1200°C, ເຊລາມິກ SiC ສາມາດທົນກັບອຸນຫະພູມເກີນ 1500°C, ເຮັດໃຫ້ມັນເໝາະສົມກັບຂະບວນການຄວາມຮ້ອນຂັ້ນສູງ.
ຄວາມແຕກຕ່າງຂອງການນຳຄວາມຮ້ອນກໍ່ມີຄວາມສຳຄັນເຊັ່ນກັນ:
- ຄວດສ໌: ~1.4 W/m·K
- ຊິລິກອນຄາໄບ: 120–200 W/m·K
ການນຳຄວາມຮ້ອນທີ່ສູງຂຶ້ນຂອງ SiC ຊ່ວຍໃຫ້:
- ການຕອບສະໜອງຄວາມຮ້ອນໄວຂຶ້ນ;
- ປັບປຸງຄວາມສະເໝີພາບຂອງອຸນຫະພູມ;
- ຫຼຸດຜ່ອນການຜັນຜວນທາງຄວາມຮ້ອນ.
ໃນການນໍາໃຊ້ semiconductor, ທໍ່ເຕົາ SiC ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນພິຈາລະນາສໍາລັບ:
- ການອົບແຫ້ງດ້ວຍອຸນຫະພູມສູງ;
- ຂະບວນການແຜ່ຂະຫຍາຍຂັ້ນສູງ;
- ການຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງານຊິລິກອນຄາໄບ;
- ການປະມວນຜົນເຄິ່ງຕົວນຳ GaN.
ທໍ່ອາລູມິນາ (Al₂O₃): ວັດສະດຸເຊລາມິກອຸນຫະພູມສູງທີ່ມີປະສິດທິພາບດ້ານຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ
ທໍ່ເຊລາມິກອາລູມິນາແມ່ນຜະລິດຈາກອາລູມິນຽມອອກໄຊ (Al₂O₃) ສ່ວນໃຫຍ່, ໂດຍປົກກະຕິແລ້ວມີລະດັບຄວາມບໍລິສຸດຕັ້ງແຕ່ 95% ຫາ 99.8%.
ຄວາມສາມາດໃນການໃຊ້ງານຂອງເຊລາມິກອາລູມິນາສາມາດບັນລຸໄດ້ປະມານ: 1400–1700°C ເຊິ່ງສູງກວ່າຫີນຄວດທຳມະດາ.
ເນື່ອງຈາກລັກສະນະເຫຼົ່ານີ້, ທໍ່ເຕົາອະລູມິນາຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນ:
ເຕົາອົບເຄິ່ງຕົວນຳຫ້ອງທົດລອງ;
- ອຸປະກອນຄົ້ນຄວ້າ ແລະ ພັດທະນາ;
- ລະບົບການປະມວນຜົນຄວາມຮ້ອນແບບທົດລອງ.
ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ອະລູມິນາມີການຮັບຮອງເອົາຈຳກັດໃນການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳໃນປະລິມານສູງ. ເຫດຜົນຫຼັກແມ່ນການຄວບຄຸມການປົນເປື້ອນ.
ເມື່ອປຽບທຽບກັບ quartz, ເຊລາມິກ alumina ອາດຈະແນະນໍາ:
- ການປົນເປື້ອນອາລູມິນຽມ;
- ລະດັບສິ່ງປົນເປື້ອນສູງຂຶ້ນ.
ສຳລັບການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳຂັ້ນສູງທີ່ຕ້ອງການລະດັບການປົນເປື້ອນຕ່ຳຫຼາຍ, ແຮ່ quartz ແລະ SiC ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຍັງຄົງເປັນທາງເລືອກທີ່ຕ້ອງການ.
ທໍ່ຊິລິໂຄນໄນໄຕຣດ (Si₃N₄): ເຊລາມິກຂັ້ນສູງສຳລັບຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ
ຊິລິກອນໄນໄຕຣດ (Si₃N₄) ເປັນວັດສະດຸເຊລາມິກທີ່ກ້າວໜ້າອີກຊະນິດໜຶ່ງທີ່ຮູ້ຈັກກັນດີໃນດ້ານຄຸນສົມບັດກົນຈັກທີ່ໂດດເດັ່ນ. ການນຳໃຊ້ເຊມິຄອນດັກເຕີທີ່ມີທ່າແຮງລວມມີ:
- ອົງປະກອບເຕົາອົບພິເສດ;
- ຄົ້ນຄວ້າອຸປະກອນເຄິ່ງຕົວນຳ;
- ໂຄງສ້າງເຊລາມິກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.
ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ທໍ່ເຕົາ Si₃N₄ ບໍ່ໄດ້ຖືກນຳໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນເຕົາເຜົາແຜ່ກະຈາຍຂອງຕົວນຳໄຟຟ້າເນື່ອງຈາກ:
- ຄວາມສັບສົນໃນການຜະລິດທີ່ສູງຂຶ້ນ;
- ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ສູງຂຶ້ນ;
- ຄວາມສົມບູນຂອງລະບົບຕ່ອງໂສ້ການສະໜອງອຸດສາຫະກຳທີ່ຈຳກັດ.
ສະຫຼຸບ
ທໍ່ເຕົາແຜ່ກະຈາຍແມ່ນອົງປະກອບທີ່ສຳຄັນແຕ່ມັກຖືກປະເມີນຄ່າຕໍ່າເກີນໄປໃນການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳ. ວັດສະດຸຂອງມັນມີອິດທິພົນໂດຍກົງຕໍ່:
- ຜົນຜະລິດຂອງແຜ່ນເວເຟີ;
- ຄວາມໝັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການ;
- ປະສິດທິພາບຂອງອະນຸພາກ;
- ອາຍຸການໃຊ້ງານຂອງອຸປະກອນ.
ປັດຈຸບັນ:
ທໍ່ຄວດສ໌ຄອບງຳຂະບວນການຜຸພັງ ແລະ ການແຜ່ກະຈາຍແບບດັ້ງເດີມ ເນື່ອງຈາກຄວາມບໍລິສຸດ ແລະ ຄວາມສຸກທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງມັນ.
ທໍ່ SiCໃຫ້ຄວາມສາມາດດ້ານຄວາມຮ້ອນຂັ້ນສູງສຳລັບການນຳໃຊ້ເຄິ່ງຕົວນຳລຸ້ນຕໍ່ໄປ.
ທໍ່ອາລູມິນາ ແລະ ຊິລິກອນໄນໄຕຣດ ໃຫ້ບໍລິການໃນການນຳໃຊ້ອຸນຫະພູມສູງພິເສດ ບ່ອນທີ່ປະສິດທິພາບກົນຈັກໄດ້ຮັບຄວາມສຳຄັນ.
ໃນຂະນະທີ່ການຜະລິດເຄິ່ງຕົວນຳຍັງສືບຕໍ່ໄປສູ່ອຸນຫະພູມທີ່ສູງຂຶ້ນ, ເວເຟີຂະໜາດໃຫຍ່ກວ່າ ແລະ ອຸປະກອນແບນວິດກວ້າງ, ວັດສະດຸທໍ່ເຕົາເຊລາມິກທີ່ກ້າວໜ້າຈະມີບົດບາດສຳຄັນເພີ່ມຂຶ້ນໃນອຸປະກອນຂະບວນການເຄິ່ງຕົວນຳໃນອະນາຄົດ.
ເວລາໂພສ: ກໍລະກົດ-24-2026
