Новости

Почему кремний такой твёрдый, но такой хрупкий?
от admin 24-12-10
Кремний — атомный кристалл, атомы которого соединены друг с другом ковалентными связями, образуя пространственную сетчатую структуру. В этой структуре ковалентные связи между атомами являются очень направленными и имеют высокую энергию связи, что позволяет кремнию проявлять высокую твердость при сопротивлении внешним силам...
Читать далее
Почему боковые стенки изгибаются во время сухого травления?
от admin 24-12-03
Неравномерность ионной бомбардировки Сухое травление обычно представляет собой процесс, сочетающий физические и химические эффекты, в котором ионная бомбардировка является важным методом физического травления. В процессе травления угол падения и распределение энергии ионов могут быть неравномерными. Если падающий ион...
Читать далее
Введение в три распространённые технологии CVD
от admin 24-12-03
Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) является наиболее широко используемой технологией в полупроводниковой промышленности для осаждения различных материалов, включая широкий спектр изоляционных материалов, большинство металлических материалов и материалов из металлических сплавов. CVD является традиционной технологией получения тонких пленок. Ее принцип...
Читать далее
Может ли алмаз заменить другие мощные полупроводниковые приборы?
от admin 24-11-25
Будучи краеугольным камнем современных электронных устройств, полупроводниковые материалы претерпевают беспрецедентные изменения. Сегодня алмаз постепенно демонстрирует свой огромный потенциал как полупроводниковый материал четвертого поколения с его превосходными электрическими и термическими свойствами и стабильностью в экстремальных условиях.
Читать далее
Каков механизм планаризации CMP?
от admin 24-11-25
Dual-Damascene — это технологический процесс, используемый для производства металлических межсоединений в интегральных схемах. Это дальнейшее развитие процесса Damascus. Формируя сквозные отверстия и пазы одновременно на одном и том же этапе процесса и заполняя их металлом, интегрированное производство м...
Читать далее
Графит с покрытием TaC
от admin 24-11-21
I. Исследование параметров процесса 1. Система TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Температура осаждения: Согласно термодинамической формуле, подсчитано, что при температуре выше 1273 К свободная энергия Гиббса реакции очень низкая, а реакция относительно завершена. Реакция...
Читать далее
Технология и оборудование для выращивания кристаллов карбида кремния
от admin 24-11-21
1. Технология выращивания кристаллов SiC PVT (метод сублимации), HTCVD (высокотемпературное химическое осаждение из газовой фазы), LPE (жидкофазный метод) — три распространенных метода выращивания кристаллов SiC; наиболее признанным в отрасли методом является метод PVT, и более 95% монокристаллов SiC выращиваются с помощью метода PVT...
Читать далее
Подготовка и улучшение характеристик пористых кремний-углеродных композиционных материалов
от admin 24-11-13
Литий-ионные аккумуляторы в основном развиваются в направлении высокой плотности энергии. При комнатной температуре материалы отрицательного электрода на основе кремния сплавляются с литием, образуя богатый литием продукт фазы Li3.75Si, с удельной емкостью до 3572 мАч/г, что значительно превышает теоретическую...
Читать далее
Термическое окисление монокристаллического кремния
от admin 24-11-13
Образование диоксида кремния на поверхности кремния называется окислением, а создание стабильного и прочно прилипающего диоксида кремния привело к рождению технологии планарных кремниевых интегральных схем. Хотя существует много способов выращивания диоксида кремния непосредственно на поверхности кремния...
Читать далее