Покрытие из карбида кремнияГрафитовый диск представляет собой защитный слой карбида кремния, наносимый на поверхность графита методом физического или химического осаждения из паровой фазы и распыления. Полученный защитный слой карбида кремния прочно сцепляется с графитовой матрицей, делая поверхность графитовой основы плотной и свободной от пустот, что придает графитовой матрице особые свойства, включая стойкость к окислению, кислото- и щелочестойкость, эрозионную стойкость, коррозионную стойкость и т. д. В настоящее время покрытие Гана является одним из лучших основных компонентов для эпитаксиального выращивания карбида кремния.
Полупроводник на основе карбида кремния является основным материалом для недавно разработанных широкозонных полупроводников. Приборы на его основе обладают высокой термостойкостью, высоким сопротивлением напряжению, высокой частотой, высокой мощностью и радиационной стойкостью. Он имеет преимущества высокой скорости переключения и высокой эффективности. Это позволяет значительно снизить энергопотребление, повысить эффективность преобразования энергии и уменьшить габариты изделия. В основном он используется в системах связи 5G, оборонной промышленности и военной отрасли. В области радиочастот, представленной аэрокосмической отраслью, и в области силовой электроники, представленной электромобилями и «новой инфраструктурой», существуют очевидные и значительные рыночные перспективы как в гражданской, так и в военной сферах.
Подложка из карбида кремния является основным материалом для недавно разработанных широкозонных полупроводников. Подложка из карбида кремния в основном используется в микроволновой электронике, силовой электронике и других областях.Карбид кремния находится на переднем крае цепочки производства широкозонных полупроводников и является передовым и базовым ключевым материалом. Подложки из карбида кремния делятся на два типа: полуизолирующие и проводящие. Среди них полуизолирующие подложки из карбида кремния обладают высоким сопротивлением (сопротивление ≥ 10⁵ Ом·см). Полуизолирующие подложки в сочетании с гетерогенными эпитаксиальными слоями нитрида галлия могут использоваться в качестве материала для радиочастотных устройств, в основном в системах связи 5G, оборонной промышленности и военной промышленности; другие — проводящие подложки из карбида кремния с низким сопротивлением (диапазон сопротивления 15–30 мОм·см). Гомогенная эпитаксия проводящих подложек из карбида кремния и карбида кремния может использоваться в качестве материалов для силовых устройств. Основные сценарии применения — электромобили, энергетические системы и другие области.
Дата публикации: 21 февраля 2022 г.