Покрытие SiC с графитовой подложкой для полупроводников, покрытие из карбида кремния, токоприемник MOCVD

Краткое описание:

Покрытие SiC графитовой подложки для полупроводников позволяет получить деталь превосходной чистоты и устойчивости к окислительной атмосфере.CVD SiC или CVI SiC наносятся на графит деталей простой или сложной конструкции.Покрытие можно наносить различной толщины и на очень большие детали.


  • Место происхождения:Чжэцзян, Китай (материк)
  • Номер модели:Номер модели:
  • Химический состав:Графит с покрытием SiC
  • Предел прочности при изгибе:470 МПа
  • Теплопроводность:300 Вт/мК
  • Качество:Идеальный
  • Функция:CVD-SiC
  • Приложение:Полупроводники/Фотоэлектрические
  • Плотность:3,21 г/см3
  • Тепловое расширение:4 10-6/К
  • Пепел: <5 частей на миллион
  • Образец:Доступный
  • Код ТН ВЭД:6903100000
  • Информация о продукте

    Теги продукта

    Описание продукта

    К особым преимуществам наших графитовых токоприемников с покрытием SiC относятся чрезвычайно высокая чистота, однородное покрытие и превосходный срок службы.Они также обладают высокой химической стойкостью и термостабильностью.

    Покрытие SiC графитовой подложки для полупроводников позволяет получить деталь превосходной чистоты и устойчивости к окислительной атмосфере.
    CVD SiC или CVI SiC наносятся на графит деталей простой или сложной конструкции.Покрытие можно наносить различной толщины и на очень большие детали.

    Покрытие SiC/суцептор MOCVD с покрытием

    Функции:
    · Отличная устойчивость к тепловому удару
    · Отличная устойчивость к физическим ударам
    · Отличная химическая стойкость
    · Супервысокая чистота
    · Наличие сложной формы
    · Можно использовать в окислительной атмосфере

    Приложение:

    2

     

    Типичные свойства базового графитового материала:

    Кажущаяся плотность: 1,85 г/см3
    Электрическое сопротивление: 11 мкОм·м
    Изгибная прочность: 49 МПа (500кгс/см2)
    Твердость по Шору: 58
    Пепел: <5 частей на миллион
    Теплопроводность: 116 Вт/мК (100 ккал/мч-℃)

    Углерод является источником токоприемников и графитовых компонентов для всех современных реакторов эпитаксии.Наше портфолио включает цилиндрические токоприемники для агрегатов прикладного и LPE, блинчатые токоприемники для агрегатов LPE, CSD и Gemini, а также однопластинчатые токоприемники для агрегатов прикладного и ASM. Объединив прочные партнерские отношения с ведущими OEM-производителями, знания материалов и производственные ноу-хау, компания SGL предлагает оптимальный дизайн для вашего применения.

     


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат WhatsApp!