Pjesë Epitaksiale Si

Komponentë të veshur me CVD SiC për epitaksi silikoni (Si Epi)

Të projektuar me precizion për sisteme depozitimi Epitaksial Siliconi me një pllakë të vetme dhe në seri, susceptorët tanë të veshur me SiC CVD, disqet satelitore dhe përbërësit e fushës termike ofrojnë uniformitet termik të jashtëzakonshëm dhe zero çlirim gazrash. Shtresa e veshjes kubike β-SiC me dendësi të lartë e mbështjell plotësisht substratin e grafitit me pastërti të lartë, duke parandaluar gdhendjen reaktive të gazit (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) dhe duke garantuar nivele ultra të ulëta të papastërtive metalike (< 5 ppm) gjatë përpunimit Si Epi në temperaturë të lartë (1000°C - 1200°C).

Uniformiteti i fushës termike

Emisiviteti i kontrolluar siguron konsistencë të saktë të trashësisë së filmit të pllakës së paketimit nga skaji në qendër.

Rezistenca ndaj gdhendjes me HCl

Ofron mbrojtje të fuqishme kundër kimikateve të pastrimit të dhomës në vend dhe goditjeve termike.

Pajtueshmëria e Sistemit OEM

Makine CNC precize e përpunuar për t'iu përshtatur veglave kryesore Epi me një pllakë të vetme 200 mm/300 mm (Materiale të Aplikuara, ASM).

Parametri Teknik	Vlera e Specifikimit	Metoda Standarde / Testimi
Materiali i veshjes	CVD β-SiC (Faza Kubike)	Strukturë kristalore me dendësi të lartë
Materiali i substratit	Grafit izostatik ultra i pastër	Dendësia: 1.82 - 1.88 g/cm³
Pastërtia Kimike	Papastërtitë totale < 5 ppm	Testuar për GDMS
Trashësia e veshjes	80 μm - 150 μm	Uniformiteti ≤ ±5%