Элементи гармидиҳии графитӣ бо пӯшиши SiC бо тозагии баландсифат

Тавсифи мухтасар:

Гармкунаки графитӣ як навъи маводи гармидиҳии барқӣ аст, ки бо роҳи гарм кардани маводи графитӣ, ки одатан аз графит ва сафол сохта мешавад, гармӣ тавлид мекунад. Сохтори мавҷноки он метавонад гармиро самаранок пароканда кунад ва дар саноат, сохтмон, кишоварзӣ ва ҳаёти ҳаррӯза васеъ истифода мешавад. Аз сабаби гузаронандагии хуби гармӣ ва устувории ҳарорати баланд, унсури гармидиҳии графитӣ дар саноат васеъ истифода мешавад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Барчаспҳои маҳсулот

Хусусиятҳои асосии гармкунаки графитӣ:

1. якрангии сохтори гармидиҳӣ.

2. гузаронандагии хуби барқӣ ва бори баланди барқӣ.

3. муқовимат ба зангзанӣ.

4. ғайриоксидшавӣ.

5. покии баланди кимиёвӣ.

6. қувваи баланди механикӣ.

Бартарии он дар самаранокии энергетикӣ, арзиши баланд ва нигоҳдории кам мебошад. Мо метавонем аз таги графитии зиддиоксидшавӣ ва мӯҳлати хизмати дарозмуддат, қолаби графитӣ ва ҳама қисмҳои гармкунаки графитӣ истеҳсол кунем.

Параметрҳои асосии гармкунаки графитӣ

Мушаххасоти техникӣ	Семицера-М3
Зичии ҳаҷмии (г/см3)	≥1.85
Миқдори хокистар (PPM)	≤500
Сахтии соҳил	≥45
Муқовимати мушаххас (μ.Ω.m)	≤12
Қувваи хамшавӣ (Mpa)	≥40
Қувваи фишурдакунӣ (МПа)	≥70
Андозаи максималии дона (мкм)	≤43
Коэффитсиенти васеъшавии гармӣ Мм/°C	≤4.4*10-6

Энергияи VET ин аст истеҳсолкунандаи воқеии маҳсулоти фармоишии графит ва карбиди кремний бо пӯшиши CVD,метавонад таъмин кунадгуногунқисмҳои фармоишӣ барои саноати нимноқилҳо ва фотоэлектрикӣ. OДастаи техникии шумо аз муассисаҳои пешбари тадқиқотии ватанӣ меояд, метавонад роҳҳои ҳалли масолеҳи касбиро пешниҳод кунадбарои шумо.

Мо пайваста равандҳои пешрафтаро барои пешниҳоди маводҳои пешрафтатар таҳия мекунем,ваяк технологияи истисноии патентшударо таҳия кардаанд, ки метавонад пайванди байни рӯйпӯш ва субстратро мустаҳкамтар ва камтар осебпазир гардонад.

Fхусусиятҳои маҳсулоти мо:

1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд то 1700℃.
2. Покии баланд ваякрангии гармӣ
3. Муқовимати аъло ба зангзанӣ: кислота, ишқорӣ, намак ва реагентҳои органикӣ.
4. Сахтии баланд, сатҳи фишурда, зарраҳои майда.
5. Мӯҳлати хизмати дарозтар ва пойдортар

дилу раг SiC薄膜基本物理性能 Хусусиятҳои асосии физикии CVD SiCпӯшиш
性质 / Амвол	典型数值 / Арзиши маъмулӣ
晶体结构 / Сохтори булӯрӣ	Марҳилаи FCC β多晶，主要为（111）取向
密度 / Зичӣ	3.21 г/см³
硬度 / Сахтӣ	2500 维氏硬度（500г бор）
晶粒大小 / Шумораи ғалладона	2~10μm
纯度 / Покии кимиёвӣ	99.99995%
热容 / Иқтидори гармӣ	640 Ҷ·кг^-1·К^-1
升华温度 / Ҳарорати сублиматсия	2700℃
抗弯强度 / Қувваи хамшавӣ	415 МПа RT 4-нуқтаӣ
杨氏模量 Модули Янг /	430 Gpa 4pt хам, 1300℃
导热系数 / ТермалНоқилият	300 Вт·м^-1·К^-1
热膨胀系数 / Васеъшавии гармӣ (CTE)	4.5×10^-6K^-1