Ýokary arassalykly SiC örtükli grafit gyzdyryjy gyzdyryjy element

Ýokary arassalykly SiC örtükli grafit gyzdyryjysynyň gyzdyryjy elementi Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

Grafit gyzdyryjy, adatça grafit we keramikadan ýasalan grafit materialyny elektrik arkaly gyzdyrmak arkaly ýylylyk öndürýän elektrik gyzdyryjy materialyň bir görnüşidir. Onuň tolkunly gurluşy ýylylygy netijeli ýaýradyp bilýär we senagatda, gurluşykda, oba hojalygynda we gündelik durmuşda giňden ulanylýar. Gowy ýylylyk geçirijiligi we ýokary temperatura durnuklylygy sebäpli grafit gyzdyryjy element senagatda giňden ulanylýar.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

Grafit gyzdyryjynyň esasy aýratynlyklary:

1. ýyladyş gurluşynyň birmeňzeşligi.

2. gowy elektrik geçirijiligi we ýokary elektrik ýükü.

3. korroziýa garşylygy.

4. oksidlenmezlik.

5. ýokary himiki arassalyk.

6. ýokary mehaniki berklik.

Artykmaçlygy energiýa tygşytlaýjy, ýokary gymmatly we az tehniki hyzmat. Biz antioksidlenmä we uzak ömürli grafit tigelini, grafit galypyny we grafit gyzdyryjynyň ähli böleklerini öndürip bilýäris.

Grafit gyzdyryjynyň esasy parametrleri

Tehniki aýratynlyklar	Semicera-M3
Köp mukdarda dykyzlyk (g/sm3)	≥1.85
Kül mukdary (PPM)	≤500
Kenaryň gatylygy	≥45
Özboluşly garşylyk (μ.Ω.m)	≤12
Bükülme güýji (Mpa)	≥40
Basyş güýji (Mpa)	≥70
Maksimum däne ölçegi (μm)	≤43
Termal giňelme koeffisiýenti Mm/°C	≤4.4*10-6

WET Energiýasy ...CVD örtügi bilen ýöriteleşdirilen grafit we kremniý karbid önümleriniň hakyky öndürijisi,üpjün edip bilerdürliýarymgeçiriji we fotoelektrik senagaty üçin ýöriteleşdirilen bölekler. OSiziň tehniki toparyňyz ýerli ylmy-barlag edaralaryndan gelýär, has professional material çözgütlerini hödürläp bilerseniň üçin.

Biz has ösen materiallary üpjün etmek üçin yzygiderli ösen prosesleri ösdürýäris,weörtük bilen substratyň arasyndaky baglanyşygy has berk we aýrylmagy has az mümkin edýän eksklýuziw patentlenen tehnologiýany işläp düzdüler.

Fönümlerimiziň aýratynlyklary:

1. 1700-e çenli ýokary temperatura oksidlenme garşylygy℃.
2. Ýokary arassalyk wetermal birmeňzeşlik
3. Ajaýyp korroziýa garşylyk: kislota, şeker, duz we organiki reagentler.
4. Ýokary gatylyk, ykjam ýüz, ownuk bölejikler.
5. Hyzmat möhleti has uzak we has berk

Ýürek-damar keselleri SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-niň esasy fiziki häsiýetleriörtük
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty gymmatlyk
晶体结构 / Kristal gurluşy	FCC β fazasy多晶，主要为（111 ）取向
密度 / Dykyzlyk	3.21 g/sm³
硬度 / Gatylyk	2500 维氏硬度（ 500g ýük）
晶粒大小 / Däne SiZe	2~10μm
纯度 / Himiki arassalyk	99.99995%
热容 / Ýylylyk kuwwaty	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimasiýa temperaturasy	2700℃
抗弯强度 / Bükülme güýji	415 MPa RT 4-nokat
杨氏模量 / Ýaşyň moduly	430 Gpa 4pt bükülme, 1300℃
导热系数 / TermalGeçirijilik	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Termal giňelme (CTE)	4.5×10^-6K^-1