SiC Epitaksial Bölekleri

SiC epitaksial ösüşi üçin ösen CVD örtükleri

Ekstremal termal stressde (1500°C - 1700°C) işleýän ýokary kuwwatly ýarymgeçiriji enjam prosesleri üçin niýetlenen CVD SiC we TaC örtükli planetar susseptorlarymyz, hemra disklerimiz we gaz deflektorlarymyz ajaýyp derejede guruldy. Bölejikleriň döremeginiň, ýüzüň dargamagynyň we reaktiv gaz aşynmagynyň (H₂, SiH₄, C₃H∯) öňüni almak üçin döredilen öňdebaryjy örtüklerimiz uzak işleýiş ömrüni, ajaýyp garyndy gözegçiligini we ýokary plýonka galyňlygynyň deňligini üpjün edýär.6 dýuýmlyk we 8 dýuýmlyk SiC epitaksial plitalary.

Ultra ýokary temperatura durnuklylygy

Agyr H₂/silan reduksiýa ediji gurşawlarda 1700°C çenli termal durnukly.

Gradient CTE deňleşdirmesi

Çalt termal sikllerde örtügiň delaminasiýasyny, mikro çatlamalary we dökülmeleri aradan aýyrýar.

8 dýuýmlyk Wafer ölçeginiň taýýarlygy

Indiki nesil ýokary öndürijilikli SiC Epi reaktorlary (LPE, Aixtron, Nuflare) üçin niýetlenen takyk CNC işleme usuly.

Tehniki parametr	Spesifikasiýa bahasy	Standart / Synag usuly
Örtük materialynyň opsiýalary	CVD SiC / Tantal Karbidi (TaC)	Ýokary arassalykly germetik gatlak
Esasy substrat	Arassalanan izostatik grafit	Köp mukdarda garyndy < 5 ppm
Termal şoka garşylyk	Delta T > 500°C rampa tizligi	Çatlama / Gaplama ýok
Ýüziň büdür-büdürligi (Ra)	≤ 0.4 μm (Aýna bilen jylaňlanan)	Wafer ýapyşmagynyň we bölejikleriniň öňüni alýar