Si Epitaksial Bölekleri

Kremniý epitaksiýasy üçin CVD SiC bilen örtülen komponentler (Si Epi)

Bir waferli we tapgyrlaýyn kremniý epitaksial çökündi ulgamlary üçin takyk işlenip düzülen CVD SiC örtülen susseptorlarymyz, hemra disklerimiz we termal meýdan bölekleri ajaýyp termal deňligi we nol gaz çykaryşyny üpjün edýär. Ýokary dykyzlykly kub β-SiC örtük gatlagy ýokary arassa grafit substratyny doly gurşap alýar, reaktiw gazyň aşynmagynyň (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) öňüni alýar we ýokary temperatura Si Epi işlenilende (1000°C - 1200°C) örän pes metal garyndy derejesini (< 5 ppm) kepillendirýär.

Termal Meýdançasynyň Birmeňzeşligi

Gözegçilik edilýän emissiýa plyonkanyň gyrasyndan merkeze çenli galyňlygynyň takyk yzygiderliligini üpjün edýär.

HCl aşındyrma garşylygy

Kamerany arassalamak üçin ulanylýan himiki maddalardan we termal şoklardan ygtybarly gorag üpjün edýär.

OEM ulgamynyň utgaşyklylygy

Esasy 200mm/300mm bir waferli Epi gurallaryna (Applied Materials, ASM) laýyk gelmek üçin takyk CNC işlenip taýýarlanyldy.

Tehniki parametr	Spesifikasiýa bahasy	Standart / Synag usuly
Örtük materialy	CVD β-SiC (Kub fazasy)	Ýokary dykyzlykly kristal gurluşy
Substrat materialy	Ultra-Saf Izostatik Grafit	Dykyzlyk: 1.82 - 1.88 g/sm³
Himiki arassalyk	Jemi garyndylar < 5 ppm	GDMS synagdan geçirildi
Örtük galyňlygy	80 μm - 150 μm	Birmeňzeşlik ≤ ±5%