Habarlar

Kremniý karbid kristal ösüş peçiniň tehniki kynçylyklary nämelerdir?
admin tarapyndan 24-06-07 senesinde
Kristal ösüş peçi kremniý karbidi kristal ösüş üçin esasy enjamdyr. Ol däp bolan kristal kremniý derejeli kristal ösüş peçine meňzeýär. Peçiň gurluşy gaty çylşyrymly däl. Ol esasan peçiň göwresinden, ýyladyş ulgamyndan, spiral geçiriji mehanizmden ybarat...
Köpräk okaň
Kremniý karbidiniň epitaksial gatlagynyň kemçilikleri nämelerdir?
admin tarapyndan 24-06-05 senesinde
SiC epitaksial materiallarynyň ösdürilip ýetişdirilmeginiň esasy tehnologiýasy, ilki bilen, kemçilikleriň gözegçilik tehnologiýasydyr, esasanam enjamyň näsazlygyna ýa-da ygtybarlylygynyň peselmegine meýilli kemçilikleriň gözegçilik tehnologiýasy üçin. Substrat kemçilikleriniň epi... çenli uzalyp gidýän mehanizmini öwrenmek.
Köpräk okaň
Oksidlenen dik däne we epitaksial ösüş tehnologiýasy - II
admin tarapyndan 24-05-30 senesinde
2. Epitaksial inçe plýonkanyň ösüşi Substrat Ga2O3 güýç enjamlary üçin fiziki goldaw gatlagyny ýa-da geçiriji gatlagy üpjün edýär. Indiki möhüm gatlak naprýaženiýe garşylygy we daşaýjylary daşamak üçin ulanylýan kanal gatlagy ýa-da epitaksial gatlakdyr. Böküliş naprýaženiýesini ýokarlandyrmak we konsentrasiýany azaltmak üçin...
Köpräk okaň
Galliý oksidiniň monokristallary we epitaksial ösüş tehnologiýasy
admin tarapyndan 24-05-30 senesinde
Kremniý karbidi (SiC) we galliý nitridi (GaN) bilen görkezilýän giň zolakly (WBG) ýarymgeçirijiler giňden üns çekdi. Adamlar kremniý karbidiniň elektrik awtoulaglarynda we elektrik ulgamlarynda ulanylyş mümkinçiliklerine, şeýle hem galliýiň ulanylyş mümkinçiliklerine uly umyt baglaýarlar...
Köpräk okaň
Kremniý karbidiniň tehniki päsgelçilikleri nämelerdir?
admin tarapyndan 24-05-22 senesinde
Durnukly öndürijilikli ýokary hilli kremniý karbid plitalaryny durnukly köpçülikleýin öndürmekdäki tehniki kynçylyklara aşakdakylar girýär: 1) Kristallaryň 2000°C-den ýokary ýokary temperaturaly ýapyk gurşawda ösmegi zerur bolany üçin, temperatura gözegçilik talaplary örän ýokary; 2) Kremniý karbidiniň ... bolandygy sebäpli
Köpräk okaň
Kremniý karbidiniň tehniki päsgelçilikleri nämeler?
admin tarapyndan 24-05-22 senesinde
Ýarymgeçiriji materiallaryň birinji nesli integral mikrosxemalaryň önümçiliginiň esasy bolan däp bolan kremniý (Si) we germaný (Ge) bilen görkezilýär. Olar pes woltly, pes ýygylykly we pes kuwwatly tranzistorlarda we detektorlarda giňden ulanylýar. Ýarymgeçiriji önümleriniň 90% -den gowragy...
Köpräk okaň
SiC mikro poroşogy nähili ýasalýar?
admin tarapyndan 24-05-13 senesinde
SiC monokristally 1:1 stehiometrik gatnaşykda iki elementden, Si we C-den düzülen IV-IV topar birleşme ýarymgeçiriji materialdyr. Onuň berkligi diňe almazdan soň ikinji orunda durýar. SiC taýýarlamak üçin kremniý oksidiniň uglerody dikeltmek usuly esasan aşakdaky himiki reaksiýa formulasyna esaslanýar...
Köpräk okaň
Epitaksial gatlaklar ýarymgeçiriji enjamlara nähili kömek edýär?
admin tarapyndan 24-05-13 senesinde
Epitaksial wafer adynyň gelip çykyşy Ilki bilen, kiçi bir düşünjäni giňden ýaýradalyň: wafer taýýarlamak iki esasy baglanyşygy öz içine alýar: substrat taýýarlamak we epitaksial proses. Substrat ýarymgeçiriji monokristal materialdan ýasalan waferdir. Substrat wafer önümçiligine gönüden-göni girip biler...
Köpräk okaň
Himiki bug çökündisiniň (HBÇ) inçe plýonka çökündisiniň tehnologiýasyna giriş
admin tarapyndan 24-05-06 senesinde
Himiki bug çökündisi (HBÇ) dürli funksional plýonkalary we inçe gatlakly materiallary taýýarlamak üçin ulanylýan möhüm inçe plýonka çökündisi tehnologiýasydyr we ýarymgeçiriji önümçilikde we beýleki pudaklarda giňden ulanylýar. 1. HBÇ-niň iş prinsipi HBÇ prosesinde gaz prekursory (bir ýa-da...
Köpräk okaň