Новини

Процес BCD
адміністратором від 24-09-18
Що таке процес BCD? Процес BCD - це інтегрована технологія обробки даних на одному кристалі, вперше представлена компанією ST у 1986 році. Ця технологія дозволяє створювати біполярні, CMOS та DMOS-пристрої на одному кристалі. Її зовнішній вигляд значно зменшує площу кристала. Можна сказати, що процес BCD повністю використовує...
Читати далі
BJT, CMOS, DMOS та інші технології обробки напівпровідників
адміністратором від 24-09-10
Ласкаво просимо на наш веб-сайт, де ви знайдете інформацію про продукцію та отримаєте консультації. Наш веб-сайт: https://www.vet-china.com/ Оскільки процеси виробництва напівпровідників продовжують робити прориви, у галузі поширюється відоме твердження під назвою «Закон Мура». Його було п...
Читати далі
Процес формування напівпровідникового малюнку методом травлення потоком
адміністратором від 24-09-10
Раннє мокре травлення сприяло розвитку процесів очищення або озолення. Сьогодні сухе травлення з використанням плазми стало основним процесом травлення. Плазма складається з електронів, катіонів та радикалів. Енергія, що подається на плазму, призводить до того, що найзовніші електрони...
Читати далі
Дослідження 8-дюймової епітаксіальної печі з карбіду кремнію та гомоепітаксіального процесу-II
адміністратором від 24-09-04
2 Експериментальні результати та обговорення 2.1 Товщина та однорідність епітаксіального шару Товщина епітаксіального шару, концентрація легування та однорідність є одними з основних показників оцінки якості епітаксіальних пластин. Точно контрольована товщина, концентрація легування...
Читати далі
Дослідження 8-дюймової епітаксіальної печі з карбіду кремнію та гомоепітаксіального процесу-II
адміністратором від 24-09-04
Наразі галузь виробництва карбіду кремнію (SiC) трансформується зі 150 мм (6 дюймів) до 200 мм (8 дюймів). Щоб задовольнити нагальний попит на великорозмірні високоякісні гомоепітаксіальні пластини SiC у галузі, було успішно виготовлено гомоепітаксіальні пластини 4H-SiC розміром 150 мм та 200 мм...
Читати далі
Оптимізація структури пористого вуглецю -II
адміністратором від 24-08-27
Ласкаво просимо на наш веб-сайт для отримання інформації про продукцію та консультацій. Наш веб-сайт: https://www.vet-china.com/ Метод фізичної та хімічної активації Метод фізичної та хімічної активації стосується методу приготування пористих матеріалів шляхом поєднання двох вищезазначених активних речовин...
Читати далі
Оптимізація структури пористого вуглецю-II
адміністратором від 24-08-27
Ласкаво просимо на наш веб-сайт для отримання інформації про продукцію та консультацій. Наш веб-сайт: https://www.vet-china.com/ У цій статті аналізується поточний ринок активованого вугілля, проводиться поглиблений аналіз сировини для активованого вугілля, представлена структура пор...
Читати далі
Потік напівпровідникового процесу-II
адміністратором від 24-08-23
Ласкаво просимо на наш веб-сайт для отримання інформації про продукцію та консультацій. Наш веб-сайт: https://www.vet-china.com/ Травлення полімеру та SiO2: Після цього надлишок полімеру та SiO2 витравлюється, тобто видаляється. У цьому випадку використовується спрямоване травлення. У класифікації...
Читати далі
Потік напівпровідникового процесу
адміністратором від 24-08-23
Ви можете зрозуміти це, навіть якщо ніколи не вивчали фізику чи математику, але це трохи занадто просто і підходить для початківців. Якщо ви хочете дізнатися більше про CMOS, вам слід прочитати зміст цього випуску, тому що лише після розуміння процесу (тобто...)
Читати далі