Siliziumkarbid-beschichtetBei der Graphitscheibenbeschichtung wird eine Siliciumcarbid-Schutzschicht mittels physikalischer oder chemischer Gasphasenabscheidung und Sprühen auf die Graphitoberfläche aufgebracht. Diese Schutzschicht verbindet sich fest mit der Graphitmatrix, wodurch die Oberfläche des Graphitsubstrats dicht und porenfrei wird. Dies verleiht der Graphitmatrix besondere Eigenschaften wie Oxidationsbeständigkeit, Säure- und Laugenbeständigkeit, Erosionsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit. Aktuell gilt die Gan-Beschichtung als eine der besten Kernkomponenten für das epitaktische Wachstum von Siliciumcarbid.
Siliziumkarbid ist der Kernwerkstoff der neu entwickelten Halbleiter mit breiter Bandlücke. Seine Bauelemente zeichnen sich durch hohe Temperatur-, Spannungs-, Frequenz-, Leistungs- und Strahlungsbeständigkeit aus. Es bietet Vorteile wie schnelle Schaltzeiten und hohe Effizienz. Dadurch lassen sich der Stromverbrauch von Produkten deutlich senken, die Energieumwandlungseffizienz verbessern und das Produktvolumen reduzieren. Hauptanwendungsgebiete sind die 5G-Kommunikation, die Landesverteidigung und die Rüstungsindustrie. Der HF-Bereich, vertreten durch die Luft- und Raumfahrt, sowie der Bereich der Leistungselektronik, vertreten durch neue Energiefahrzeuge und die „neue Infrastruktur“, bieten sowohl im zivilen als auch im militärischen Bereich klare und vielversprechende Marktperspektiven.
Siliziumkarbidsubstrate bilden das Kernmaterial des neu entwickelten Halbleiters mit großer Bandlücke. Sie finden hauptsächlich Anwendung in der Mikrowellenelektronik, der Leistungselektronik und anderen Bereichen.Siliziumkarbid-Substrate stehen am Anfang der Wertschöpfungskette der Halbleiterindustrie mit großem Bandabstand und sind ein hochmodernes und grundlegendes Schlüsselmaterial. Man unterscheidet zwischen halbisolierenden und leitfähigen Siliziumkarbid-Substraten. Halbisolierende Siliziumkarbid-Substrate weisen einen hohen spezifischen Widerstand (≥ 10⁵ Ω·cm) auf. In Kombination mit heterogenen Galliumnitrid-Epitaxieschichten eignen sie sich als Material für HF-Bauelemente und finden vor allem in der 5G-Kommunikation, der Landesverteidigung und der Rüstungsindustrie Anwendung. Leitfähige Siliziumkarbid-Substrate hingegen besitzen einen niedrigen spezifischen Widerstand (15–30 mΩ·cm). Durch homogene Epitaxie von leitfähigem Siliziumkarbid-Substrat und Siliziumkarbid können sie als Materialien für Leistungshalbleiter eingesetzt werden. Hauptanwendungsgebiete sind Elektrofahrzeuge, Energiesysteme und weitere Bereiche.
Veröffentlichungsdatum: 21. Februar 2022