-
Ημιαγωγική διαδικασία πλήρους φωτολιθογραφίας
Η κατασκευή κάθε ημιαγωγικού προϊόντος απαιτεί εκατοντάδες διαδικασίες. Χωρίζουμε ολόκληρη τη διαδικασία κατασκευής σε οκτώ βήματα: επεξεργασία πλακιδίων-οξείδωση-φωτολιθογραφία-χάραξη-εναπόθεση λεπτής μεμβράνης-επιταξιακή ανάπτυξη-διάχυση-εμφύτευση ιόντων. Για να σας βοηθήσουμε...Διαβάστε περισσότερα -
4 δισεκατομμύρια! Η SK Hynix ανακοινώνει επένδυση σε προηγμένες συσκευασίες ημιαγωγών στο Purdue Research Park
Δυτικό Λαφαγιέτ, Ιντιάνα – Η SK hynix Inc. ανακοίνωσε σχέδια για επένδυση σχεδόν 4 δισεκατομμυρίων δολαρίων για την κατασκευή μιας προηγμένης μονάδας παραγωγής συσκευασιών και Έρευνας και Ανάπτυξης για προϊόντα τεχνητής νοημοσύνης στο Purdue Research Park. Δημιουργώντας έναν βασικό κρίκο στην αλυσίδα εφοδιασμού ημιαγωγών των ΗΠΑ στο Δυτικό Λαφαγιέτ...Διαβάστε περισσότερα -
Η τεχνολογία λέιζερ ηγείται του μετασχηματισμού της τεχνολογίας επεξεργασίας υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου
1. Επισκόπηση της τεχνολογίας επεξεργασίας υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου Τα τρέχοντα βήματα επεξεργασίας υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου περιλαμβάνουν: λείανση του εξωτερικού κύκλου, τεμαχισμό, λοξοτομή, λείανση, στίλβωση, καθαρισμό κ.λπ. Ο τεμαχισμός είναι ένα σημαντικό βήμα στην παραγωγή υποστρώματος ημιαγωγών...Διαβάστε περισσότερα -
Υλικά θερμικού πεδίου: Σύνθετα υλικά C/C
Τα σύνθετα άνθρακα-άνθρακα είναι ένας τύπος σύνθετων υλικών από ίνες άνθρακα, με ίνες άνθρακα ως υλικό ενίσχυσης και εναποτιθέμενο άνθρακα ως υλικό μήτρας. Η μήτρα των σύνθετων υλικών C/C είναι άνθρακας. Δεδομένου ότι αποτελείται σχεδόν εξ ολοκλήρου από στοιχειακό άνθρακα, έχει εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες...Διαβάστε περισσότερα -
Τρεις κύριες τεχνικές για την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC
Όπως φαίνεται στο Σχήμα 3, υπάρχουν τρεις κυρίαρχες τεχνικές που στοχεύουν στην παροχή μονοκρυστάλλων SiC υψηλής ποιότητας και αποτελεσματικότητας: επιταξία υγρής φάσης (LPE), φυσική μεταφορά ατμών (PVT) και χημική εναπόθεση ατμών σε υψηλή θερμοκρασία (HTCVD). Η PVT είναι μια καθιερωμένη διαδικασία για την παραγωγή αμαρτωλού SiC...Διαβάστε περισσότερα -
Σύντομη εισαγωγή στην τεχνολογία GaN ημιαγωγών τρίτης γενιάς και σχετικής επιταξιακής τεχνολογίας
1. Ημιαγωγοί τρίτης γενιάς Η τεχνολογία ημιαγωγών πρώτης γενιάς αναπτύχθηκε με βάση ημιαγωγικά υλικά όπως το Si και το Ge. Αποτελεί την υλική βάση για την ανάπτυξη τρανζίστορ και τεχνολογίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Τα ημιαγωγικά υλικά πρώτης γενιάς έθεσαν...Διαβάστε περισσότερα -
23,5 δισεκατομμύρια, ο σούπερ μονόκερος της Suzhou πρόκειται να εισαχθεί στο χρηματιστήριο
Μετά από 9 χρόνια επιχειρηματικότητας, η Innoscience έχει συγκεντρώσει συνολικά πάνω από 6 δισεκατομμύρια γιουάν σε χρηματοδότηση και η αποτίμησή της έχει φτάσει στο εκπληκτικό ποσό των 23,5 δισεκατομμυρίων γιουάν. Η λίστα των επενδυτών είναι τόσο μεγάλη όσο δεκάδες εταιρείες: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Διαβάστε περισσότερα -
Πώς τα προϊόντα με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου ενισχύουν την αντοχή των υλικών στη διάβρωση;
Η επίστρωση καρβιδίου τανταλίου είναι μια ευρέως χρησιμοποιούμενη τεχνολογία επιφανειακής επεξεργασίας που μπορεί να βελτιώσει σημαντικά την αντοχή των υλικών στη διάβρωση. Η επίστρωση καρβιδίου τανταλίου μπορεί να προσκολληθεί στην επιφάνεια του υποστρώματος μέσω διαφορετικών μεθόδων προετοιμασίας, όπως χημική εναπόθεση ατμών, φυσική...Διαβάστε περισσότερα -
Εισαγωγή στην τρίτη γενιά ημιαγωγών GaN και τη σχετική επιταξιακή τεχνολογία
1. Ημιαγωγοί τρίτης γενιάς Η τεχνολογία ημιαγωγών πρώτης γενιάς αναπτύχθηκε με βάση ημιαγωγικά υλικά όπως το Si και το Ge. Αποτελεί την υλική βάση για την ανάπτυξη τρανζίστορ και τεχνολογίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Τα ημιαγωγικά υλικά πρώτης γενιάς έθεσαν το...Διαβάστε περισσότερα