Filamento de renio puro profesional chino - Mocvd

Descripción breve:


  • Lugar de origen:Porcelana
  • Estructura cristalina:Fase FCCβ
  • Densidad :3,21 g/cm3
  • Dureza:2500 Vickers
  • Tamaño del grano:2~10 μm
  • Pureza química:99.99995%
  • Capacidad calorífica:640 J·kg-1·K-1
  • Temperatura de sublimación:2700℃
  • Resistencia flexural:415 Mpa (RT 4 puntos)
  • Módulo de Young:430 Gpa (curva de 4 puntos, 1300 ℃)
  • Expansión térmica (CTE):4.5 10-6K-1
  • Conductividad térmica:300 (W/MK)
  • Detalle del producto

    Etiquetas de productos

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    Portadores de grafito recubiertos de SiC

    Descripción del Producto

    Mantenemos tolerancias muy estrictas al aplicar el recubrimiento de SiC, mediante mecanizado de alta precisión para garantizar un perfil de susceptor uniforme. También producimos materiales con propiedades de resistencia eléctrica ideales para su uso en sistemas de calentamiento inductivo. Todos los componentes terminados incluyen un certificado de pureza y conformidad dimensional.

    Nuestra empresa ofrece servicios de recubrimiento de SiC mediante el método CVD sobre superficies de grafito, cerámica y otros materiales. Esto permite que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionen a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza. Estas moléculas se depositan sobre la superficie de los materiales recubiertos y forman una capa protectora de SIC. El SIC formado se une firmemente a la base de grafito, lo que le confiere propiedades especiales, lo que permite que la superficie del grafito sea compacta, libre de poros y resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.

    2

    El proceso CVD proporciona una pureza y densidad teórica extremadamente altas para el recubrimiento de SiC, sin porosidad. Además, gracias a la gran dureza del carburo de silicio, se puede pulir hasta obtener una superficie de espejo. El recubrimiento CVD de carburo de silicio (SiC) ofrece varias ventajas, como una pureza superficial ultraalta y una gran durabilidad. Gracias a su excelente rendimiento en alto vacío y altas temperaturas, los productos recubiertos son ideales para aplicaciones en la industria de semiconductores y otros entornos ultralimpios. También ofrecemos productos de grafito pirolítico (PG).

    Características principales:

    1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

    La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.

    2. Alta pureza: fabricado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.

    3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

    4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

    Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidad

    (g/cc)

    3.21

    Resistencia a la flexión

    (Mpa)

    470

    Expansión térmica

    (10-6/K)

    4

    Conductividad térmica

    (W/mK)

    300

    Aplicación: El recubrimiento de carburo de silicio CVD ya se ha aplicado en industrias de semiconductores, como bandejas MOCVD, RTP y cámaras de grabado de óxido, ya que el nitruro de silicio tiene una gran resistencia al choque térmico y puede soportar plasma de alta energía.
    -El carburo de silicio se utiliza ampliamente en semiconductores y recubrimientos.

    Capacidad de suministro:

    10000 piezas por mes
    Embalaje y entrega:
    Embalaje: embalaje estándar y resistente
    Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Palet
    Puerto:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghái
    Plazo de entrega:

    Cantidad (piezas) 1 – 1000 >1000
    Tiempo estimado (días) 15 A negociar

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