Susceptor epitaxial MOCVD de grafito recubierto de SiC, fabricante chino

Descripción breve:

Pureza < 5 ppm
‣ Buena uniformidad de dopaje
‣ Alta densidad y adherencia
‣ Buena resistencia a la corrosión y al carbono.

‣ Personalización profesional
‣ Plazo de entrega corto
‣ Suministro estable
‣ Control de calidad y mejora continua

Epitaxia de GaN sobre zafiro(RGB/Mini/Micro LED);
Epitaxia de GaN sobre sustrato de Si(UVC);
Epitaxia de GaN sobre sustrato de Si(Dispositivo electrónico);
Epitaxia de Si sobre sustrato de Si(Circuito integrado);
Epitaxia de SiC sobre sustrato de SiC(Sustrato);
Epitaxia de InP sobre InP

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Compra online de susceptores MOCVD de alta calidad en China

Una oblea debe pasar por varias etapas antes de estar lista para su uso en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio, en la que las obleas se alojan en susceptores de grafito. Las propiedades y la calidad de los susceptores influyen decisivamente en la calidad de la capa epitaxial de la oblea.

Para fases de deposición de película delgada, como la epitaxia o el MOCVD, VET suministra equipos de grafito ultrapuro que se utilizan para soportar sustratos u obleas. En el núcleo del proceso, estos equipos, susceptores de epitaxia o plataformas satélite para el MOCVD, se someten primero al entorno de deposición:

● Alta temperatura.
● Alto vacío.
● Uso de precursores gaseosos agresivos.
● Cero contaminación, ausencia de descamación.
● Resistencia a ácidos fuertes durante las operaciones de limpieza.

VET Energy es un fabricante líder de productos personalizados de grafito y carburo de silicio con recubrimiento para la industria de semiconductores y fotovoltaica. Nuestro equipo técnico, proveniente de importantes instituciones de investigación nacionales, puede ofrecerle soluciones de materiales más profesionales.

Desarrollamos continuamente procesos avanzados para ofrecer materiales más avanzados y hemos elaborado una tecnología patentada exclusiva que puede hacer que la unión entre el revestimiento y el sustrato sea más estrecha y menos propensa al desprendimiento.

Características de nuestros productos:

1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas hasta 1700 ℃.
2. Alta pureza y uniformidad térmica.
3. Excelente resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
4. Alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
5. Mayor vida útil y mayor durabilidad.

ECV SiC Propiedades físicas básicas del SiC CVDrevestimiento
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalino, principalmente orientación (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers de 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10 μm
Pureza química	99.99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimación	2700℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT 4 puntos
Módulo de Young	430 Gpa, curva de 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300 W·m^-1·K^-1
Expansión térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1