Filamento di renio puro professionale cinese - Mocvd

Breve descrizione:


  • Luogo di origine:Cina
  • Struttura cristallina:Fase FCCβ
  • Densità:3,21 g/cm
  • Durezza:2500 Vickers
  • Granulometria:2~10μm
  • Purezza chimica:99,99995%
  • Capacità termica:640 J·kg-1·K-1
  • Temperatura di sublimazione:2700℃
  • Forza felessurale:415 Mpa (RT 4 punti)
  • Modulo di Young:430 Gpa (piegatura a 4 punti, 1300℃)
  • Espansione termica (CTE):4.5 10-6K-1
  • Conduttività termica:300 (W/MK)
  • Dettagli del prodotto

    Tag dei prodotti

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    Supporti in grafite rivestiti in SiC

    Descrizione del prodotto

    Manteniamo tolleranze molto strette durante l'applicazione del rivestimento in SiC, utilizzando lavorazioni meccaniche ad alta precisione per garantire un profilo del suscettore uniforme. Produciamo inoltre materiali con proprietà di resistenza elettrica ideali per l'impiego in sistemi a riscaldamento induttivo. Tutti i componenti finiti sono corredati da un certificato di purezza e conformità dimensionale.

    La nostra azienda fornisce servizi di rivestimento in SiC mediante il metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramiche e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole di SiC ad elevata purezza, che si depositano sulla superficie dei materiali rivestiti formando uno strato protettivo in SiC. Il SiC formato si lega saldamente alla base di grafite, conferendole proprietà speciali e rendendo la superficie della grafite compatta, priva di porosità, resistente alle alte temperature, alla corrosione e all'ossidazione.

    2

    Il processo CVD offre un rivestimento in SiC con purezza e densità teorica estremamente elevate, senza porosità. Inoltre, grazie all'elevata durezza del carburo di silicio, può essere lucidato fino a ottenere una superficie a specchio. Il rivestimento in carburo di silicio (SiC) con tecnologia CVD offre diversi vantaggi, tra cui una purezza superficiale estremamente elevata e un'estrema resistenza all'usura. Grazie alle eccellenti prestazioni in condizioni di alto vuoto e alta temperatura, i prodotti rivestiti sono ideali per applicazioni nell'industria dei semiconduttori e in altri ambienti ultra-puliti. Forniamo anche prodotti in grafite pirolitica (PG).

    Caratteristiche principali:

    1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:

    la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche a temperature elevate, fino a 1600 °C.

    2. Elevata purezza: ottenuto mediante deposizione chimica da vapore in condizioni di clorazione ad alta temperatura.

    3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.

    4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sali e reagenti organici.

    Specifiche principali dei rivestimenti CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densità

    (g/cc)

    3.21

    Resistenza alla flessione

    (Mpa)

    470

    dilatazione termica

    (10-6/K)

    4

    Conduttività termica

    (W/mK)

    300

    Applicazione: il rivestimento in carburo di silicio CVD è già stato applicato nell'industria dei semiconduttori, come nei vassoi MOCVD, nelle camere di incisione RTP e negli ossidi, poiché il nitruro di silicio ha un'elevata resistenza agli shock termici e può sopportare il plasma ad alta energia.
    -Il carburo di silicio è ampiamente utilizzato nei semiconduttori e nei rivestimenti.

    Capacità di fornitura:

    10000 pezzi al mese
    Imballaggio e consegna:
    Imballaggio: imballaggio standard e resistente
    Sacchetto di polietilene + scatola + cartone + pallet
    Porta:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Tempi di consegna:

    Quantità (pezzi) 1 – 1000 >1000
    Tempo stimato (giorni) 15 Da negoziare

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