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  • ¿Qué es el recubrimiento de carburo de silicio?

    ¿Qué es el recubrimiento de carburo de silicio?

    El recubrimiento de carburo de silicio, comúnmente conocido como recubrimiento de SiC, se refiere al proceso de aplicar una capa de carburo de silicio sobre superficies mediante métodos como la deposición química en fase de vapor (CVD), la deposición física en fase de vapor (PVD) o la pulverización térmica. Este recubrimiento cerámico de carburo de silicio mejora la superficie...
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  • Seis ventajas del carburo de silicio sinterizado a presión atmosférica y la aplicación de la cerámica de carburo de silicio

    Seis ventajas del carburo de silicio sinterizado a presión atmosférica y la aplicación de la cerámica de carburo de silicio

    El carburo de silicio sinterizado a presión atmosférica ya no se utiliza únicamente como abrasivo, sino como un nuevo material, ampliamente utilizado en productos de alta tecnología, como cerámicas de carburo de silicio. ¿Cuáles son las seis ventajas del carburo de silicio sinterizado a presión atmosférica y...?
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  • Nitruro de silicio: cerámica estructural con el mejor rendimiento general

    Nitruro de silicio: cerámica estructural con el mejor rendimiento general

    La cerámica especial se refiere a un tipo de cerámica con propiedades mecánicas, físicas o químicas especiales. Las materias primas utilizadas y la tecnología de producción requerida difieren considerablemente de la cerámica convencional y su desarrollo. Según sus características y usos, la cerámica especial se puede...
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  • Efecto de la sinterización sobre las propiedades de la cerámica de zirconio

    Efecto de la sinterización sobre las propiedades de la cerámica de zirconio

    Como material cerámico, el circonio posee alta resistencia, alta dureza, buena resistencia al desgaste, resistencia a ácidos y álcalis, resistencia a altas temperaturas y otras excelentes propiedades. Además de su amplio uso en el ámbito industrial, con el vigoroso desarrollo de la industria de prótesis dentales...
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  • Piezas semiconductoras: base de grafito recubierta de SiC

    Piezas semiconductoras: base de grafito recubierta de SiC

    Las bases de grafito recubiertas de SiC se utilizan comúnmente para soportar y calentar sustratos monocristalinos en equipos de deposición química en fase de vapor metalorgánico (MOCVD). La estabilidad térmica, la uniformidad térmica y otros parámetros de rendimiento de la base de grafito recubierta de SiC son decisivos para la calidad del epi...
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  • ¿Por qué silicio como chip semiconductor?

    ¿Por qué silicio como chip semiconductor?

    Un semiconductor es un material cuya conductividad eléctrica a temperatura ambiente se encuentra entre la de un conductor y la de un aislante. Al igual que el cable de cobre en la vida cotidiana, el cable de aluminio es un conductor y el caucho un aislante. Desde el punto de vista de la conductividad, un semiconductor se refiere a un conductor...
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  • Efecto de la sinterización sobre las propiedades de la cerámica de zirconio

    Efecto de la sinterización sobre las propiedades de la cerámica de zirconio

    Efecto de la sinterización en las propiedades de la cerámica de zirconio. Como material cerámico, el zirconio posee alta resistencia, alta dureza, buena resistencia al desgaste, resistencia a ácidos y álcalis, resistencia a altas temperaturas y otras excelentes propiedades. Además de su amplio uso en el ámbito industrial,...
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  • Piezas semiconductoras: base de grafito recubierta de SiC

    Piezas semiconductoras: base de grafito recubierta de SiC

    Las bases de grafito recubiertas de SiC se utilizan comúnmente para soportar y calentar sustratos monocristalinos en equipos de deposición química en fase de vapor metalorgánico (MOCVD). La estabilidad térmica, la uniformidad térmica y otros parámetros de rendimiento de la base de grafito recubierta de SiC son decisivos para la calidad del epi...
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  • Material clave para el crecimiento innovador de SIC

    Material clave para el crecimiento innovador de SIC

    Cuando el cristal de carburo de silicio crece, el "entorno" de la interfaz de crecimiento entre el centro axial del cristal y el borde es diferente, de modo que la tensión del cristal en el borde aumenta y el borde del cristal es fácil de producir "defectos integrales" debido a la inf...
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