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¿Cuáles son las dificultades técnicas de un horno para el crecimiento de cristales de carburo de silicio?
Publicado por el administrador el 24-06-07
El horno de crecimiento de cristales es el equipo principal para el crecimiento de cristales de carburo de silicio. Es similar al horno tradicional de crecimiento de cristales de silicio cristalino. La estructura del horno no es muy compleja. Se compone principalmente del cuerpo del horno, el sistema de calentamiento, el mecanismo de transmisión de la bobina, etc.
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¿Cuáles son los defectos de la capa epitaxial de carburo de silicio?
Publicado por el administrador el 24-06-05
La tecnología fundamental para el crecimiento de materiales epitaxiales de SiC es, en primer lugar, la tecnología de control de defectos, especialmente aquella que es propensa a fallos en los dispositivos o a la degradación de su fiabilidad. El estudio del mecanismo de propagación de defectos del sustrato hacia la capa epitaxial...
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Tecnología de crecimiento epitaxial y de grano erguido oxidado-II
Publicado por el administrador el 24-05-30
2. Crecimiento de película delgada epitaxial El sustrato proporciona una capa de soporte físico o capa conductora para los dispositivos de potencia de Ga2O3. La siguiente capa importante es la capa de canal o capa epitaxial utilizada para la resistencia de voltaje y el transporte de portadores. Para aumentar el voltaje de ruptura y minimizar la con...
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Tecnología de crecimiento epitaxial y de monocristales de óxido de galio
Publicado por el administrador el 24-05-30
Los semiconductores de banda prohibida ancha (WBG), representados por el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), han recibido una gran atención. Existen grandes expectativas sobre las aplicaciones del carburo de silicio en vehículos eléctricos y redes eléctricas, así como sobre las del nitruro de galio.
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¿Cuáles son las barreras técnicas para el carburo de silicio?Ⅱ
Publicado por el administrador el 24-05-22
Las dificultades técnicas para la producción en masa estable de obleas de carburo de silicio de alta calidad con un rendimiento estable incluyen: 1) Dado que los cristales necesitan crecer en un entorno sellado de alta temperatura por encima de 2000 °C, los requisitos de control de temperatura son extremadamente altos; 2) Dado que el carburo de silicio tiene...
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¿Cuáles son las barreras técnicas para el carburo de silicio?
Publicado por el administrador el 24-05-22
La primera generación de materiales semiconductores está representada por el silicio (Si) y el germanio (Ge) tradicionales, que constituyen la base de la fabricación de circuitos integrados. Se utilizan ampliamente en transistores y detectores de bajo voltaje, baja frecuencia y baja potencia. Más del 90 % de los productos semiconductores...
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¿Cómo se fabrica el micropulvo de SiC?
Publicado por el administrador el 24-05-13
El monocristal de SiC es un material semiconductor compuesto del Grupo IV-IV formado por dos elementos, Si y C, en una proporción estequiométrica de 1:1. Su dureza solo es superada por la del diamante. El método de reducción de óxido de silicio con carbono para preparar SiC se basa principalmente en la siguiente fórmula de reacción química...
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¿Cómo ayudan las capas epitaxiales a los dispositivos semiconductores?
Publicado por el administrador el 24-05-13
El origen del nombre oblea epitaxial. Primero, aclaremos un concepto básico: la preparación de la oblea incluye dos etapas principales: la preparación del sustrato y el proceso epitaxial. El sustrato es una oblea hecha de material semiconductor monocristalino. El sustrato puede ingresar directamente a la fabricación de obleas...
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Introducción a la tecnología de deposición de películas delgadas por deposición química en fase vapor (CVD).
Publicado por el administrador el 24-05-06
La deposición química en fase vapor (CVD) es una importante tecnología de deposición de películas delgadas, que se utiliza a menudo para preparar diversas películas funcionales y materiales de capa fina, y se emplea ampliamente en la fabricación de semiconductores y otros campos. 1. Principio de funcionamiento de la CVD En el proceso de CVD, un precursor gaseoso (uno o...
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