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Tres técnicas principales para el crecimiento de cristales de SiC
Como se muestra en la Fig. 3, existen tres técnicas predominantes para obtener monocristales de SiC de alta calidad y eficiencia: epitaxia en fase líquida (LPE), transporte físico de vapor (PVT) y deposición química de vapor a alta temperatura (HTCVD). El PVT es un proceso bien establecido para la producción de monocristales de SiC...Leer más -
Breve introducción a la tecnología epitaxial de semiconductores de tercera generación GaN y tecnologías relacionadas.
1. Semiconductores de tercera generación. La tecnología de semiconductores de primera generación se desarrolló a partir de materiales semiconductores como el Si y el Ge. Constituyen la base material para el desarrollo de transistores y la tecnología de circuitos integrados. Los materiales semiconductores de primera generación sentaron las bases...Leer más -
23.500 millones, el superunicornio de Suzhou se prepara para salir a bolsa.
Tras nueve años de actividad, Innoscience ha recaudado más de seis mil millones de yuanes en financiación total, y su valoración ha alcanzado la asombrosa cifra de 23.500 millones de yuanes. La lista de inversores es tan extensa como la de decenas de empresas: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leer más -
¿Cómo mejoran los productos recubiertos de carburo de tantalio la resistencia a la corrosión de los materiales?
El recubrimiento de carburo de tantalio es una tecnología de tratamiento superficial de uso común que puede mejorar significativamente la resistencia a la corrosión de los materiales. El recubrimiento de carburo de tantalio se puede adherir a la superficie del sustrato mediante diferentes métodos de preparación, como la deposición química de vapor, la deposición física, etc.Leer más -
Introducción al semiconductor de tercera generación GaN y la tecnología epitaxial relacionada.
1. Semiconductores de tercera generación La tecnología de semiconductores de primera generación se desarrolló a partir de materiales semiconductores como el Si y el Ge. Constituyen la base material para el desarrollo de transistores y la tecnología de circuitos integrados. Los materiales semiconductores de primera generación sentaron las bases...Leer más -
Estudio de simulación numérica sobre el efecto del grafito poroso en el crecimiento de cristales de carburo de silicio.
El proceso básico de crecimiento de cristales de SiC se divide en sublimación y descomposición de materias primas a alta temperatura, transporte de sustancias en fase gaseosa bajo la acción de un gradiente de temperatura y crecimiento por recristalización de sustancias en fase gaseosa en el cristal semilla. Sobre esta base, el...Leer más -
Tipos de grafito especial
El grafito especial es un material de grafito de alta pureza, alta densidad y alta resistencia, que posee una excelente resistencia a la corrosión, estabilidad a altas temperaturas y gran conductividad eléctrica. Se obtiene a partir de grafito natural o artificial mediante un tratamiento térmico a alta temperatura y un procesamiento a alta presión.Leer más -
Análisis de equipos de deposición de películas delgadas: principios y aplicaciones de los equipos PECVD/LPCVD/ALD.
La deposición de película delgada consiste en recubrir con una capa una película sobre el material principal del sustrato semiconductor. Esta película puede estar hecha de diversos materiales, como dióxido de silicio (compuesto aislante), polisilicio (semiconductor), cobre (metal), etc. El equipo utilizado para el recubrimiento se denomina deposición de película delgada.Leer más -
Materiales importantes que determinan la calidad del crecimiento del silicio monocristalino: campo térmico
El proceso de crecimiento del silicio monocristalino se lleva a cabo completamente en un campo térmico. Un buen campo térmico favorece la mejora de la calidad de los cristales y aumenta la eficiencia de la cristalización. El diseño del campo térmico influye considerablemente en las variaciones de los gradientes de temperatura.Leer más
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