Harga diskon GaN-Basedepitaksial pada Substrat SiC 4′′

Deskripsi Singkat:

Pembawa wafer yang digunakan dalam proses pertumbuhan epitaksial harus tahan terhadap suhu tinggi dan pembersihan kimia yang keras. Susceptor CoorsTek Clear Carbon™ dirancang khusus untuk aplikasi peralatan epitaksi yang menuntut ini. Konstruksi grafit berlapis silikon karbida (SiC) dengan kemurnian tinggi memberikan ketahanan panas yang unggul, keseragaman termal yang merata untuk ketebalan dan resistansi lapisan epi yang konsisten, serta ketahanan kimia yang tahan lama. Lapisan kristal SiC halus memberikan permukaan yang bersih dan halus, yang sangat penting untuk penanganan karena wafer murni bersentuhan dengan susceptor di banyak titik di seluruh permukaannya.

Kirim email kepada kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

Kini kami memiliki tenaga kerja yang sangat efisien untuk menangani pertanyaan dari konsumen. Tujuan kami adalah “kepuasan konsumen 100% melalui kualitas produk atau layanan kami, harga jual, dan layanan tim kami” dan menikmati reputasi yang baik di antara pelanggan. Dengan banyak pabrik, kami dapat menawarkan berbagai macam GaN-Basedepitaxial on Sic Substrates 4′′ dengan harga diskon. Kami menyambut hangat mitra bisnis dari semua lapisan masyarakat, berharap dapat membangun hubungan bisnis yang ramah dan kooperatif dengan Anda dan mencapai tujuan saling menguntungkan.
Kini kami memiliki tenaga kerja yang sangat efisien untuk menangani pertanyaan dari konsumen. Tujuan kami adalah “kepuasan konsumen 100% melalui kualitas produk atau layanan, harga jual, dan layanan tim kami” dan menikmati reputasi yang baik di kalangan pelanggan. Dengan banyak pabrik, kami dapat menawarkan berbagai macam produk.Substrat GaN dan Film GaN ChinaKami dengan tulus berharap dapat bekerja sama dengan pelanggan di seluruh dunia. Kami yakin dapat memuaskan Anda dengan produk berkualitas tinggi dan layanan sempurna kami. Kami juga dengan hangat menyambut pelanggan untuk mengunjungi perusahaan kami dan membeli produk kami.

Pembawa wafer MOCVD grafit berlapis SiC

Semua susceptor kami terbuat dari grafit isostatik berkekuatan tinggi. Manfaatkan kemurnian tinggi grafit kami – yang dikembangkan khusus untuk proses yang menantang seperti epitaksi, pertumbuhan kristal, implantasi ion, dan etsa plasma, serta untuk produksi chip LED.

Deskripsi Produk
Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian dan ketahanan yang unggul terhadap atmosfer pengoksidasi.
CVD SiC atau CVI SiC diaplikasikan pada grafit untuk bagian-bagian dengan desain sederhana atau kompleks. Pelapisan dapat diaplikasikan dengan ketebalan yang bervariasi dan pada bagian-bagian yang sangat besar.

Compon

Pembawa wafer MOCVD grafit berlapis SiC

Keunggulan khusus dari susceptor grafit berlapis SiC kami meliputi kemurnian yang sangat tinggi, lapisan yang homogen, dan masa pakai yang sangat baik. Selain itu, susceptor ini juga memiliki ketahanan kimia dan stabilitas termal yang tinggi.

Kami menjaga toleransi yang sangat ketat saat mengaplikasikan lapisan SiC, menggunakan pemesinan presisi tinggi untuk memastikan profil susceptor yang seragam. Kami juga memproduksi material dengan sifat resistansi listrik yang ideal untuk digunakan dalam sistem pemanasan induktif. Semua komponen jadi dilengkapi dengan sertifikat kemurnian dan kesesuaian dimensi.

Aplikasi:

Fitur:
• Ketahanan terhadap Guncangan Termal yang Sangat Baik
• Ketahanan Guncangan Fisik yang Sangat Baik
• Ketahanan Kimia yang Sangat Baik
· Kemurnian Sangat Tinggi
• Tersedia dalam Bentuk yang Kompleks
• Dapat digunakan dalam lingkungan yang bersifat oksidatifSifat-Sifat Khas Material Grafit Dasar:

Kepadatan Tampak:	1,85 g/cm3
Resistivitas Listrik:	11 μΩm
Kekuatan Lentur:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Kekerasan Shore:	58
Abu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mhr-℃)

Kini kami memiliki tenaga kerja yang sangat efisien untuk menangani pertanyaan dari konsumen. Tujuan kami adalah “kepuasan konsumen 100% melalui kualitas produk atau layanan kami, harga jual, dan layanan tim kami” dan menikmati reputasi yang baik di antara pelanggan. Dengan banyak pabrik, kami dapat menawarkan berbagai macam GaN-Basedepitaxial on Sic Substrates 4′′ dengan harga diskon. Kami menyambut hangat mitra bisnis dari semua lapisan masyarakat, berharap dapat membangun hubungan bisnis yang ramah dan kooperatif dengan Anda dan mencapai tujuan saling menguntungkan.
Harga diskonSubstrat GaN dan Film GaN ChinaKami dengan tulus berharap dapat bekerja sama dengan pelanggan di seluruh dunia. Kami yakin dapat memuaskan Anda dengan produk berkualitas tinggi dan layanan sempurna kami. Kami juga dengan hangat menyambut pelanggan untuk mengunjungi perusahaan kami dan membeli produk kami.