Harga diskon GaN-Basedepitaxial pada Substrat Sic 4′′

Deskripsi Singkat:

Pembawa wafer yang digunakan dalam pemrosesan pertumbuhan epitaksial harus tahan terhadap suhu tinggi dan pembersihan kimia yang keras. Susceptor CoorsTek Clear Carbon™ dirancang khusus untuk aplikasi peralatan epitaksi yang menuntut ini. Konstruksi grafit berlapis silikon karbida (SiC) dengan kemurnian tinggi memberikan ketahanan panas yang unggul, keseragaman termal yang merata untuk ketebalan dan ketahanan lapisan epi yang konsisten, dan ketahanan kimia yang tahan lama. Lapisan kristal SiC yang halus memberikan permukaan yang bersih dan halus, yang penting untuk penanganan karena wafer murni menyentuh susceptor di banyak titik di seluruh areanya

Kirim email ke kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

Kami sekarang memiliki tenaga kerja yang sangat efisien untuk menangani pertanyaan dari konsumen. Sasaran kami adalah "100% kepuasan konsumen melalui produk atau layanan kami yang luar biasa, harga jual & layanan kru kami" dan menikmati popularitas yang luar biasa di antara klien. Dengan banyaknya pabrik, kami dapat menawarkan berbagai macam GaN-Basedepitaxial dengan harga diskon pada substrat Sic 4′′, Kami dengan hangat menyambut mitra bisnis kecil dari semua lapisan masyarakat, berharap untuk membangun kontak bisnis yang ramah dan kooperatif dengan Anda dan mencapai tujuan yang saling menguntungkan.
Kami sekarang memiliki tenaga kerja yang sangat efisien untuk menangani pertanyaan dari konsumen. Tujuan kami adalah “100% kepuasan konsumen melalui kualitas produk atau layanan kami, harga jual & layanan kru kami” dan menikmati reputasi yang baik di antara klien. Dengan banyaknya pabrik, kami dapat menawarkan berbagai macamSubstrat GaN dan Film GaN TiongkokKami dengan tulus berharap dapat bekerja sama dengan pelanggan di seluruh dunia. Kami yakin dapat memuaskan Anda dengan produk-produk berkualitas tinggi dan layanan yang sempurna. Kami juga menyambut baik pelanggan untuk mengunjungi perusahaan kami dan membeli produk-produk kami.

Lapisan SiC grafit MOCVD Pembawa wafer

Semua susceptor kami terbuat dari grafit isostatik berkekuatan tinggi. Dapatkan manfaat dari kemurnian tinggi grafit kami – yang dikembangkan khusus untuk proses yang menantang seperti epitaksi, pertumbuhan kristal, implantasi ion, dan plasma etching, serta untuk produksi chip LED.

Deskripsi Produk
Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian unggul dan ketahanan terhadap atmosfer pengoksidasi.
CVD SiC atau CVI SiC diaplikasikan pada Grafit dengan desain sederhana atau rumit. Pelapisan dapat diaplikasikan dalam berbagai ketebalan dan pada komponen yang sangat besar.

Komponen

Lapisan SiC grafit MOCVD Pembawa wafer

Keunggulan khusus dari susceptor grafit berlapis SiC kami meliputi kemurnian yang sangat tinggi, pelapisan yang homogen, dan masa pakai yang sangat baik. Mereka juga memiliki ketahanan kimia dan sifat stabilitas termal yang tinggi.

Kami mempertahankan toleransi yang sangat ketat saat menerapkan lapisan SiC, menggunakan pemesinan presisi tinggi untuk memastikan profil susceptor yang seragam. Kami juga memproduksi material dengan sifat resistansi listrik yang ideal untuk digunakan dalam sistem yang dipanaskan secara induktif. Semua komponen yang sudah jadi dilengkapi dengan sertifikat kemurnian dan kepatuhan dimensi.

Aplikasi:

Fitur:
· Tahan Guncangan Termal yang Sangat Baik
· Ketahanan Fisik yang Sangat Baik terhadap Guncangan
· Ketahanan Kimia yang Sangat Baik
· Kemurnian Super Tinggi
· Ketersediaan dalam Bentuk Kompleks
· Dapat digunakan dalam suasana pengoksidasiSifat Khas Material Dasar Grafit:

Kepadatan Tampak:	1,85 gram/cm3
Resistivitas Listrik:	11 mikron
Kekuatan Lentur:	Tekanan 49MPa (500kgf/cm2)
Kekerasan Pantai:	58
Abu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mjam-℃)

Kami sekarang memiliki tenaga kerja yang sangat efisien untuk menangani pertanyaan dari konsumen. Sasaran kami adalah "100% kepuasan konsumen melalui produk atau layanan kami yang luar biasa, harga jual & layanan kru kami" dan menikmati popularitas yang luar biasa di antara klien. Dengan banyaknya pabrik, kami dapat menawarkan berbagai macam GaN-Basedepitaxial dengan harga diskon pada substrat Sic 4′′, Kami dengan hangat menyambut mitra bisnis kecil dari semua lapisan masyarakat, berharap untuk membangun kontak bisnis yang ramah dan kooperatif dengan Anda dan mencapai tujuan yang saling menguntungkan.
Harga diskonSubstrat GaN dan Film GaN TiongkokKami dengan tulus berharap dapat bekerja sama dengan pelanggan di seluruh dunia. Kami yakin dapat memuaskan Anda dengan produk-produk berkualitas tinggi dan layanan yang sempurna. Kami juga menyambut baik pelanggan untuk mengunjungi perusahaan kami dan membeli produk-produk kami.