GaN-basiertes Epitaxie auf SiC-Substraten 4′′ zum Discountpreis

Kurze Beschreibung:

Waferträger für epitaktische Wachstumsverfahren müssen hohen Temperaturen und aggressiven chemischen Reinigungen standhalten. CoorsTek Clear Carbon™ Suszeptoren wurden speziell für diese anspruchsvollen Epitaxieanwendungen entwickelt. Ihre mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion bietet hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für konstante Epitaxieschichtdicke und -beständigkeit sowie dauerhafte chemische Beständigkeit. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, die für die Handhabung entscheidend ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über die gesamte Fläche berühren.


Produktdetail

Produkt Tags

Wir verfügen über ein hocheffizientes Team, das Kundenanfragen bearbeitet. Unser Ziel ist die 100-prozentige Kundenzufriedenheit durch unsere exzellenten Produkte und Dienstleistungen, unseren günstigen Preis und unseren Service. Wir erfreuen uns großer Beliebtheit bei unseren Kunden. Dank unserer zahlreichen Produktionsstätten bieten wir eine große Auswahl an preisgünstigen GaN-basierten Epitaxie-Modulen auf SiC-Substraten (4 Zoll). Wir heißen Geschäftspartner aus allen Lebensbereichen herzlich willkommen und hoffen, mit Ihnen freundliche und kooperative Geschäftskontakte aufzubauen und eine Win-Win-Situation zu erreichen.
Wir verfügen nun über eine hocheffiziente Belegschaft, die sich um Kundenanfragen kümmert. Unser Ziel ist „100% Kundenzufriedenheit durch unser Produkt oder unsere Dienstleistung, unseren Verkaufspreis und unseren Crew-Service“ und wir erfreuen uns großer Beliebtheit bei unseren Kunden. Mit vielen Fabriken können wir eine große Auswahl anChina GaN-Substrate und GaN-FilmWir freuen uns aufrichtig auf die Zusammenarbeit mit Kunden weltweit. Wir sind überzeugt, Sie mit unseren hochwertigen Produkten und unserem perfekten Service zufriedenstellen zu können. Wir heißen Kunden herzlich willkommen, unser Unternehmen zu besuchen und unsere Produkte zu kaufen.

SiC-Beschichtung Graphit MOCVD Waferträger

Alle unsere Suszeptoren bestehen aus hochfestem isostatischem Graphit. Profitieren Sie von der hohen Reinheit unserer Graphite – entwickelt speziell für anspruchsvolle Prozesse wie Epitaxie, Kristallzüchtung, Ionenimplantation und Plasmaätzen sowie für die Herstellung von LED-Chips.

Produktbeschreibung
Durch die SiC-Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiteranwendungen entsteht ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von einfachen oder komplexen Konstruktionsteilen aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Dicken und auf sehr große Teile aufgetragen werden.

 

Komponente

SiC-Beschichtung Graphit MOCVD Waferträger

Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind ihre extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und hervorragende Lebensdauer. Zudem zeichnen sie sich durch eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität aus.

Wir gewährleisten beim Auftragen der SiC-Beschichtung sehr enge Toleranzen und durch hochpräzise Bearbeitung ein gleichmäßiges Suszeptorprofil. Darüber hinaus produzieren wir Materialien mit optimalen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßhaltigkeitszertifikat geliefert.

Anwendung:

2

Merkmale:
· Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
· Hervorragende physikalische Stoßfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender AtmosphäreTypische Eigenschaften des Graphit-Basismaterials:

Scheinbare Dichte: 1,85 g/cm³
Elektrischer Widerstand: 11 μΩm
Biegefestigkeit: 49 MPa (500 kgf/cm²)
Shore-Härte: 58
Asche: <5 ppm
Wärmeleitfähigkeit: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

Wir verfügen über ein hocheffizientes Team, das Kundenanfragen bearbeitet. Unser Ziel ist die 100-prozentige Kundenzufriedenheit durch unsere exzellenten Produkte und Dienstleistungen, unseren günstigen Preis und unseren Service. Wir erfreuen uns großer Beliebtheit bei unseren Kunden. Dank unserer zahlreichen Produktionsstätten bieten wir eine große Auswahl an preisgünstigen GaN-basierten Epitaxie-Modulen auf SiC-Substraten (4 Zoll). Wir heißen Geschäftspartner aus allen Lebensbereichen herzlich willkommen und hoffen, mit Ihnen freundliche und kooperative Geschäftskontakte aufzubauen und eine Win-Win-Situation zu erreichen.
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