ขณะนี้เรามีทีมงานที่มีประสิทธิภาพสูงเพื่อจัดการกับข้อสอบถามจากผู้บริโภค เป้าหมายของเราคือ “ความพึงพอใจของผู้บริโภค 100% ด้วยคุณภาพของผลิตภัณฑ์หรือบริการ ราคาขาย และการบริการจากทีมงานของเรา” และเราภาคภูมิใจในความนิยมอย่างมากในหมู่ลูกค้า ด้วยโรงงานจำนวนมาก เราสามารถนำเสนอ GaN-Based depitaxial บน Sic Substrates ขนาด 4 นิ้ว ในราคาลดพิเศษได้หลากหลาย เรายินดีต้อนรับพันธมิตรทางธุรกิจจากทุกสาขาอาชีพ หวังที่จะสร้างความสัมพันธ์ทางธุรกิจที่เป็นมิตรและร่วมมือกัน และบรรลุเป้าหมายที่เป็นประโยชน์ร่วมกัน
ขณะนี้เรามีทีมงานที่มีประสิทธิภาพสูงเพื่อจัดการกับข้อสอบถามจากผู้บริโภค เป้าหมายของเราคือ “ความพึงพอใจของผู้บริโภค 100% ด้วยคุณภาพของผลิตภัณฑ์หรือบริการ ราคาที่เหมาะสม และการบริการจากทีมงานของเรา” และเราภาคภูมิใจในชื่อเสียงที่ดีในหมู่ลูกค้า ด้วยโรงงานจำนวนมาก เราจึงสามารถนำเสนอผลิตภัณฑ์ที่หลากหลายวัสดุรองรับ GaN และฟิล์ม GaN จากประเทศจีนเราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะได้ร่วมมือกับลูกค้าทั่วโลก เราเชื่อว่าเราสามารถสร้างความพึงพอใจให้แก่ท่านด้วยผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงและบริการที่สมบูรณ์แบบของเรา นอกจากนี้ เรายินดีต้อนรับลูกค้าทุกท่านเข้าเยี่ยมชมบริษัทและเลือกซื้อผลิตภัณฑ์ของเราด้วย

การเคลือบ SiC บนกราไฟต์ด้วยวิธี MOCVD สำหรับแผ่นเวเฟอร์

ตัวรองรับอิเล็กตรอนทั้งหมดของเราผลิตจากกราไฟต์ไอโซสแตติกความแข็งแรงสูง ได้รับประโยชน์จากความบริสุทธิ์สูงของกราไฟต์ของเรา ซึ่งพัฒนาขึ้นเป็นพิเศษสำหรับกระบวนการที่ท้าทาย เช่น การปลูกผลึก การฝังไอออน และการกัดด้วยพลาสมา รวมถึงการผลิตชิป LED

คำอธิบายผลิตภัณฑ์
การเคลือบพื้นผิวแกรไฟต์ด้วย SiC สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ทำให้ได้ชิ้นส่วนที่มีความบริสุทธิ์และทนทานต่อบรรยากาศออกซิไดซ์ได้ดีเยี่ยม
CVD SiC หรือ CVI SiC ถูกนำมาใช้กับกราไฟต์ของชิ้นส่วนที่มีการออกแบบเรียบง่ายหรือซับซ้อน สามารถเคลือบได้ในความหนาที่แตกต่างกันและกับชิ้นส่วนขนาดใหญ่มาก

ส่วนประกอบ

ข้อดีพิเศษของตัวรองรับกราไฟต์เคลือบ SiC ของเรา ได้แก่ ความบริสุทธิ์สูงมาก การเคลือบที่สม่ำเสมอ และอายุการใช้งานที่ยอดเยี่ยม นอกจากนี้ยังมีคุณสมบัติทนต่อสารเคมีและเสถียรภาพทางความร้อนสูงอีกด้วย

เราควบคุมความคลาดเคลื่อนอย่างเข้มงวดมากเมื่อทำการเคลือบ SiC โดยใช้เครื่องจักรที่มีความแม่นยำสูงเพื่อให้แน่ใจว่าพื้นผิวของตัวรับความร้อนมีความสม่ำเสมอ นอกจากนี้เรายังผลิตวัสดุที่มีคุณสมบัติความต้านทานไฟฟ้าที่เหมาะสมสำหรับการใช้งานในระบบทำความร้อนแบบเหนี่ยวนำ ชิ้นส่วนสำเร็จรูปทั้งหมดมาพร้อมกับใบรับรองความบริสุทธิ์และความถูกต้องตามขนาด

แอปพลิเคชัน:

คุณสมบัติ:
· ทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันได้ดีเยี่ยม
· ทนทานต่อแรงกระแทกทางกายภาพได้ดีเยี่ยม
· ทนทานต่อสารเคมีได้ดีเยี่ยม
· ความบริสุทธิ์สูงมาก
• มีจำหน่ายในรูปทรงที่ซับซ้อน
• สามารถใช้งานได้ในบรรยากาศออกซิไดซ์คุณสมบัติทั่วไปของวัสดุกราไฟต์พื้นฐาน:

ขณะนี้เรามีทีมงานที่มีประสิทธิภาพสูงเพื่อจัดการกับข้อสอบถามจากผู้บริโภค เป้าหมายของเราคือ “ความพึงพอใจของผู้บริโภค 100% ด้วยคุณภาพของผลิตภัณฑ์หรือบริการ ราคาขาย และการบริการจากทีมงานของเรา” และเราภาคภูมิใจในความนิยมอย่างมากในหมู่ลูกค้า ด้วยโรงงานจำนวนมาก เราสามารถนำเสนอ GaN-Based depitaxial บน Sic Substrates ขนาด 4 นิ้ว ในราคาลดพิเศษได้หลากหลาย เรายินดีต้อนรับพันธมิตรทางธุรกิจจากทุกสาขาอาชีพ หวังที่จะสร้างความสัมพันธ์ทางธุรกิจที่เป็นมิตรและร่วมมือกัน และบรรลุเป้าหมายที่เป็นประโยชน์ร่วมกัน
ราคาลดพิเศษวัสดุรองรับ GaN และฟิล์ม GaN จากประเทศจีนเราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะได้ร่วมมือกับลูกค้าทั่วโลก เราเชื่อว่าเราสามารถสร้างความพึงพอใจให้แก่ท่านด้วยผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงและบริการที่สมบูรณ์แบบของเรา นอกจากนี้ เรายินดีต้อนรับลูกค้าทุกท่านเข้าเยี่ยมชมบริษัทและเลือกซื้อผลิตภัณฑ์ของเราด้วย