Plaque épitaxiale à base de GaN sur substrats Sic 4″ à prix réduit

Description courte :

Les supports de plaquettes utilisés dans les procédés de croissance épitaxiale doivent résister à des températures élevées et à des nettoyages chimiques agressifs. Les suscepteurs CoorsTek Clear Carbon™ sont spécialement conçus pour ces applications exigeantes. Leur structure en graphite revêtu de carbure de silicium (SiC) de haute pureté offre une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique optimale pour une épaisseur et une résistance constantes de la couche épitaxiale, ainsi qu'une excellente résistance chimique. Le revêtement fin en cristaux de SiC assure une surface propre et lisse, essentielle pour la manipulation des plaquettes, car celles-ci sont en contact avec le suscepteur en de nombreux points sur toute leur surface.


Détails du produit

Étiquettes de produit

Nous disposons désormais d'une équipe très performante pour répondre aux demandes des consommateurs. Notre objectif est la satisfaction client à 100 % grâce à l'excellence de nos produits et services, à nos prix compétitifs et à la qualité de notre service. Nous sommes fiers de notre excellente réputation auprès de notre clientèle. Grâce à nos nombreuses usines, nous proposons une large gamme de dalles épitaxiales à base de GaN sur substrat SiC de 4 pouces à prix avantageux. Nous accueillons chaleureusement les partenaires commerciaux de tous horizons et espérons établir avec vous une relation commerciale amicale et coopérative, pour un partenariat gagnant-gagnant.
Nous disposons désormais d'une équipe très performante pour répondre aux demandes des consommateurs. Notre objectif est la satisfaction totale de nos clients grâce à l'excellence de nos produits et services, à nos prix compétitifs et à la qualité de notre service. Nous sommes fiers de notre excellente réputation auprès de notre clientèle. Grâce à nos nombreuses usines, nous pouvons proposer une large gamme de produits.Substrats et films de GaN de ChineNous sommes impatients de collaborer avec des clients du monde entier. Nous sommes convaincus que nos produits de haute qualité et notre service irréprochable sauront vous satisfaire. Nous vous invitons également à visiter notre entreprise et à découvrir nos produits.

Supports de plaquettes MOCVD en graphite revêtus de SiC

Tous nos suscepteurs sont fabriqués en graphite isostatique haute résistance. Bénéficiez de la grande pureté de nos graphites, spécialement conçus pour les procédés exigeants tels que l'épitaxie, la croissance cristalline, l'implantation ionique et la gravure plasma, ainsi que pour la production de puces LED.

Description du produit
Le revêtement SiC d'un substrat en graphite pour applications semi-conductrices permet d'obtenir une pièce d'une pureté supérieure et présentant une excellente résistance à l'atmosphère oxydante.
Le SiC déposé par CVD ou CVI est appliqué sur du graphite pour des pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur des pièces de très grandes dimensions.

 

Composant

Supports de plaquettes MOCVD en graphite revêtus de SiC

Nos suscepteurs en graphite revêtus de SiC présentent des avantages spécifiques, notamment une pureté extrêmement élevée, un revêtement homogène et une excellente durée de vie. Ils offrent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.

Nous appliquons le revêtement SiC avec une extrême précision, grâce à un usinage de haute qualité garantissant un profil de suscepteur uniforme. Nous produisons également des matériaux aux propriétés de résistance électrique idéales pour les systèmes de chauffage par induction. Tous les composants finis sont accompagnés d'un certificat de pureté et de conformité dimensionnelle.

Application:

2

Caractéristiques:
• Excellente résistance aux chocs thermiques
• Excellente résistance aux chocs physiques
• Excellente résistance chimique
· Pureté extrêmement élevée
· Disponible sous forme complexe
Utilisable sous atmosphère oxydantePropriétés typiques du graphite de base :

Densité apparente : 1,85 g/cm3
Résistivité électrique : 11 μΩm
Résistance à la flexion : 49 MPa (500 kgf/cm2)
Dureté Shore : 58
Cendre: <5 ppm
Conductivité thermique : 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Nous disposons désormais d'une équipe très performante pour répondre aux demandes des consommateurs. Notre objectif est la satisfaction client à 100 % grâce à l'excellence de nos produits et services, à nos prix compétitifs et à la qualité de notre service. Nous sommes fiers de notre excellente réputation auprès de notre clientèle. Grâce à nos nombreuses usines, nous proposons une large gamme de dalles épitaxiales à base de GaN sur substrat SiC de 4 pouces à prix avantageux. Nous accueillons chaleureusement les partenaires commerciaux de tous horizons et espérons établir avec vous une relation commerciale amicale et coopérative, pour un partenariat gagnant-gagnant.
prix réduitSubstrats et films de GaN de ChineNous sommes impatients de collaborer avec des clients du monde entier. Nous sommes convaincus que nos produits de haute qualité et notre service irréprochable sauront vous satisfaire. Nous vous invitons également à visiter notre entreprise et à découvrir nos produits.


  • Précédent:
  • Suivant:

  • Chat en ligne WhatsApp !