Epitaxial à base de GaN sur substrats SiC 4′′ à prix réduit

Brève description :

Les supports de plaquettes utilisés pour la croissance épitaxiale doivent supporter des températures élevées et un nettoyage chimique agressif. Les suscepteurs CoorsTek Clear Carbon™ sont spécialement conçus pour ces applications exigeantes en matière d'équipement d'épitaxie. Leur construction en graphite revêtu de carbure de silicium (SiC) de haute pureté offre une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique homogène pour une épaisseur et une résistance constantes de la couche épitaxiale, ainsi qu'une résistance chimique durable. Le revêtement en cristaux de SiC fins offre une surface propre et lisse, essentielle à la manipulation, car les plaquettes intactes sont en contact avec le suscepteur en de nombreux points sur toute leur surface.


Détails du produit

Étiquettes de produit

Nous disposons désormais d'une équipe hautement qualifiée pour répondre aux demandes de nos clients. Notre objectif est de satisfaire pleinement nos clients grâce à l'excellence de nos produits, de nos prix et de notre service client, et nous bénéficions d'une excellente réputation auprès de nos clients. Grâce à nos nombreuses usines, nous proposons une large gamme de substrats épitaxiaux GaN sur silicium 4 pouces à prix réduit. Nous accueillons chaleureusement les partenaires commerciaux de tous horizons et espérons établir avec eux une relation d'affaires conviviale et coopérative afin d'atteindre un objectif mutuellement avantageux.
Nous disposons désormais d'une équipe hautement qualifiée pour répondre aux demandes de nos clients. Notre objectif est de satisfaire pleinement nos clients grâce à l'excellence de nos produits, de nos prix et du service de notre équipe, et de bénéficier d'une excellente réputation auprès de nos clients. Grâce à nos nombreuses usines, nous pouvons offrir une large gamme de produits.Substrats et films GaN de ChineNous sommes impatients de collaborer avec nos clients du monde entier. Nous sommes convaincus de pouvoir vous satisfaire grâce à nos produits de haute qualité et à notre service irréprochable. Nous vous invitons chaleureusement à venir visiter notre entreprise et à acheter nos produits.

Supports de plaquettes MOCVD en graphite avec revêtement SiC

Tous nos suscepteurs sont fabriqués en graphite isostatique haute résistance. Bénéficiez de la grande pureté de nos graphites, spécialement développés pour les procédés exigeants comme l'épitaxie, la croissance cristalline, l'implantation ionique et la gravure plasma, ainsi que pour la production de puces LED.

Description du produit
Le revêtement SiC du substrat en graphite pour les applications semi-conductrices produit une pièce d'une pureté et d'une résistance supérieures à l'atmosphère oxydante.
Le SiC CVD ou CVI est appliqué au graphite pour des pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur de très grandes pièces.

 

Composant

Supports de plaquettes MOCVD en graphite avec revêtement SiC

Nos suscepteurs en graphite revêtus de SiC présentent des avantages particuliers : une pureté extrêmement élevée, un revêtement homogène et une excellente durée de vie. Ils présentent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.

Nous appliquons le revêtement SiC avec des tolérances très strictes, grâce à un usinage de haute précision garantissant un profil de suscepteur uniforme. Nous produisons également des matériaux aux propriétés de résistance électrique idéales pour les systèmes de chauffage par induction. Tous les composants finis sont accompagnés d'un certificat de pureté et de conformité dimensionnelle.

Application:

2

Caractéristiques:
· Excellente résistance aux chocs thermiques
· Excellente résistance aux chocs physiques
· Excellente résistance chimique
· Très haute pureté
· Disponibilité sous forme complexe
· Utilisable sous atmosphère oxydantePropriétés typiques du matériau de base en graphite :

Densité apparente : 1,85 g/cm3
Résistivité électrique : 11 μΩm
Résistance à la flexion : 49 MPa (500 kgf/cm2)
Dureté Shore : 58
Cendre: <5 ppm
Conductivité thermique : 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Nous disposons désormais d'une équipe hautement qualifiée pour répondre aux demandes de nos clients. Notre objectif est de satisfaire pleinement nos clients grâce à l'excellence de nos produits, de nos prix et de notre service client, et nous bénéficions d'une excellente réputation auprès de nos clients. Grâce à nos nombreuses usines, nous proposons une large gamme de substrats épitaxiaux GaN sur silicium 4 pouces à prix réduit. Nous accueillons chaleureusement les partenaires commerciaux de tous horizons et espérons établir avec eux une relation d'affaires conviviale et coopérative afin d'atteindre un objectif mutuellement avantageux.
Prix ​​​​réduitSubstrats et films GaN de ChineNous sommes impatients de collaborer avec nos clients du monde entier. Nous sommes convaincus de pouvoir vous satisfaire grâce à nos produits de haute qualité et à notre service irréprochable. Nous vous invitons chaleureusement à venir visiter notre entreprise et à acheter nos produits.


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