Agora, contamos com uma força de trabalho altamente eficiente para atender às solicitações dos consumidores. Nosso objetivo é "100% de satisfação do consumidor com a excelência de nossos produtos ou serviços, preço de venda e atendimento da nossa equipe" e desfrutar de grande popularidade entre os clientes. Com muitas fábricas, podemos oferecer uma ampla gama de substratos de 4" à base de GaN com desconto. Damos boas-vindas a parceiros de pequenas empresas de todas as esferas da vida e esperamos estabelecer um contato comercial amigável e cooperativo com você e alcançar um objetivo vantajoso para todos.
Agora, contamos com uma força de trabalho altamente eficiente para atender às solicitações dos consumidores. Nosso objetivo é "100% de satisfação do consumidor com a excelência do nosso produto ou serviço, preço de venda e atendimento da nossa equipe" e desfrutamos de grande popularidade entre os clientes. Com muitas fábricas, podemos oferecer uma ampla gama deSubstratos e filmes de GaN da ChinaEstamos sinceramente ansiosos para cooperar com clientes em todo o mundo. Acreditamos que podemos satisfazê-lo com nossos produtos de alta qualidade e serviço impecável. Também convidamos nossos clientes a visitar nossa empresa e adquirir nossos produtos.
Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento de SiC
Todos os nossos susceptores são feitos de grafite isostático de alta resistência. Beneficie-se da alta pureza dos nossos grafites – desenvolvidos especialmente para processos desafiadores como epitaxia, crescimento de cristais, implantação iônica e gravação de plasma, bem como para a produção de chips de LED.
Descrição do produto
O revestimento de SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
O SiC CVD ou SiC CVI é aplicado ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em espessuras variadas e em peças muito grandes.
Composto

As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.
Mantemos tolerâncias muito rigorosas na aplicação do revestimento de SiC, utilizando usinagem de alta precisão para garantir um perfil susceptor uniforme. Também produzimos materiais com propriedades ideais de resistência elétrica para uso em sistemas aquecidos por indução. Todos os componentes acabados possuem um certificado de pureza e conformidade dimensional.
Aplicativo:
Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência física ao choque
· Excelente resistência química
· Super Alta Pureza
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável em atmosfera oxidantePropriedades típicas do material de grafite base:
| Densidade aparente: | 1,85 g/cm3 |
| Resistividade elétrica: | 11 μΩm |
| Resistência à flexão: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Dureza Shore: | 58 |
| Cinzas: | <5 ppm |
| Condutividade térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
Agora, contamos com uma força de trabalho altamente eficiente para atender às solicitações dos consumidores. Nosso objetivo é "100% de satisfação do consumidor com a excelência de nossos produtos ou serviços, preço de venda e atendimento da nossa equipe" e desfrutar de grande popularidade entre os clientes. Com muitas fábricas, podemos oferecer uma ampla gama de substratos de 4" à base de GaN com desconto. Damos boas-vindas a parceiros de pequenas empresas de todas as esferas da vida e esperamos estabelecer um contato comercial amigável e cooperativo com você e alcançar um objetivo vantajoso para todos.
Preço com descontoSubstratos e filmes de GaN da ChinaEstamos sinceramente ansiosos para cooperar com clientes em todo o mundo. Acreditamos que podemos satisfazê-lo com nossos produtos de alta qualidade e serviço impecável. Também convidamos nossos clientes a visitar nossa empresa e adquirir nossos produtos.
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