Precio rebajado de pitaxial basado en GaN sobre sustratos de Sic de 4′′

Descripción breve:

Los soportes de obleas utilizados en el procesamiento de crecimiento epitaxial deben soportar altas temperaturas y una limpieza química agresiva. Los susceptores CoorsTek Clear Carbon™ están diseñados específicamente para estas exigentes aplicaciones en equipos de epitaxia. Su construcción de grafito recubierto con carburo de silicio (SiC) de alta pureza proporciona una resistencia térmica superior, uniformidad térmica uniforme para un espesor y resistencia constantes de la capa epitaxial, y una resistencia química duradera. El fino recubrimiento de cristal de SiC proporciona una superficie limpia y lisa, fundamental para su manipulación, ya que las obleas en perfecto estado entran en contacto con el susceptor en muchos puntos de su superficie.


Detalle del producto

Etiquetas de productos

Contamos con un equipo altamente eficiente para atender las consultas de los clientes. Nuestro objetivo es la satisfacción total del cliente gracias a la excelente calidad de nuestros productos y servicios, el precio y el servicio de nuestro equipo, y gozamos de una gran popularidad entre nuestros clientes. Gracias a nuestras numerosas fábricas, ofrecemos una amplia gama de sustratos de 4" de pitaxial sobre SiC basados ​​en GaN a precios reducidos. Damos una cálida bienvenida a socios comerciales de todos los ámbitos y esperamos establecer relaciones comerciales amistosas y cooperativas con usted para lograr un objetivo mutuamente beneficioso.
Contamos con un equipo altamente eficiente para atender las consultas de los clientes. Nuestro objetivo es la satisfacción total del cliente gracias a la excelencia de nuestros productos y servicios, el precio y el servicio de nuestro equipo, y gozamos de gran popularidad entre nuestros clientes. Gracias a nuestras numerosas fábricas, podemos ofrecer una amplia gama de...Sustratos y películas de GaN de ChinaNos complace colaborar con clientes de todo el mundo. Creemos que podemos satisfacer sus necesidades con nuestros productos de alta calidad y un servicio impecable. Les damos una cálida bienvenida a visitar nuestra empresa y adquirir nuestros productos.

Recubrimiento de SiC, grafito MOCVD, portadores de obleas

Todos nuestros susceptores están fabricados con grafito isostático de alta resistencia. Benefíciese de la alta pureza de nuestros grafitos, desarrollados especialmente para procesos complejos como la epitaxia, el crecimiento de cristales, la implantación de iones y el grabado por plasma, así como para la producción de chips LED.

Descripción del Producto
El recubrimiento de SiC del sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con una pureza superior y resistencia a la atmósfera oxidante.
El SiC CVD o el SiC CVI se aplican al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento puede aplicarse en diferentes espesores y en piezas de gran tamaño.

 

Compon

Recubrimiento de SiC, grafito MOCVD, portadores de obleas

Las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. Además, poseen alta resistencia química y estabilidad térmica.

Mantenemos tolerancias muy estrictas al aplicar el recubrimiento de SiC, mediante mecanizado de alta precisión para garantizar un perfil de susceptor uniforme. También producimos materiales con propiedades de resistencia eléctrica ideales para su uso en sistemas de calentamiento inductivo. Todos los componentes terminados incluyen un certificado de pureza y conformidad dimensional.

Solicitud:

2

Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
· Utilizable en atmósfera oxidantePropiedades típicas del material base de grafito:

Densidad aparente: 1,85 g/cm3
Resistividad eléctrica: 11 μΩm
Resistencia a la flexión: 49 MPa (500 kgf/cm2)
Dureza Shore: 58
Ceniza: <5 ppm
Conductividad térmica: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

Contamos con un equipo altamente eficiente para atender las consultas de los clientes. Nuestro objetivo es la satisfacción total del cliente gracias a la excelente calidad de nuestros productos y servicios, el precio y el servicio de nuestro equipo, y gozamos de una gran popularidad entre nuestros clientes. Gracias a nuestras numerosas fábricas, ofrecemos una amplia gama de sustratos de 4" de pitaxial sobre SiC basados ​​en GaN a precios reducidos. Damos una cálida bienvenida a socios comerciales de todos los ámbitos y esperamos establecer relaciones comerciales amistosas y cooperativas con usted para lograr un objetivo mutuamente beneficioso.
Precio descontableSustratos y películas de GaN de ChinaNos complace colaborar con clientes de todo el mundo. Creemos que podemos satisfacer sus necesidades con nuestros productos de alta calidad y un servicio impecable. Les damos una cálida bienvenida a visitar nuestra empresa y adquirir nuestros productos.


  • Anterior:
  • Próximo:

  • ¡Chat en línea de WhatsApp!