Precio con descuento: Depitaxial a base de GaN sobre sustratos de SiC de 4''

Breve descripción:

Los portaobleas utilizados en el proceso de crecimiento epitaxial deben soportar altas temperaturas y una limpieza química agresiva. Los susceptores CoorsTek Clear Carbon™ están diseñados específicamente para estas exigentes aplicaciones de equipos de epitaxia. Su construcción de grafito recubierto de carburo de silicio (SiC) de alta pureza proporciona una resistencia superior al calor, una uniformidad térmica uniforme para un espesor y resistencia de la capa epitaxial consistentes, y una resistencia química duradera. El fino recubrimiento de cristal de SiC proporciona una superficie limpia y lisa, fundamental para la manipulación, ya que las obleas prístinas entran en contacto con el susceptor en muchos puntos a lo largo de toda su superficie.


Detalles del producto

Etiquetas de producto

Ahora contamos con un equipo de trabajo altamente eficiente para atender las consultas de los consumidores. Nuestro objetivo es la satisfacción total del cliente gracias a la excelencia de nuestros productos y servicios, precios competitivos y un excelente servicio al cliente, y gozamos de una gran popularidad entre nuestros clientes. Con numerosas fábricas, podemos ofrecer una amplia gama de sustratos de SiC de 4" basados ​​en GaN depitaxial a precios con descuento. Damos una cálida bienvenida a socios comerciales de todos los ámbitos y esperamos establecer relaciones comerciales amistosas y de cooperación para lograr un beneficio mutuo.
Ahora contamos con una fuerza laboral altamente eficiente para atender las consultas de los consumidores. Nuestro objetivo es la "satisfacción total del cliente mediante la excelencia de nuestro producto o servicio, el precio de venta y el servicio de nuestro equipo" y disfrutar de una gran popularidad entre la clientela. Con muchas fábricas, podemos ofrecer una amplia gama deSustratos de GaN y películas de GaN de ChinaEsperamos sinceramente colaborar con clientes de todo el mundo. Confiamos en que nuestros productos de alta calidad y nuestro excelente servicio le satisfarán. Asimismo, les invitamos cordialmente a visitar nuestra empresa y adquirir nuestros productos.

Portaobleas de grafito MOCVD con recubrimiento de SiC

Todos nuestros susceptores están fabricados con grafito isostático de alta resistencia. Benefíciese de la alta pureza de nuestros grafitos, desarrollados especialmente para procesos exigentes como la epitaxia, el crecimiento de cristales, la implantación iónica y el grabado por plasma, así como para la producción de chips LED.

Descripción del Producto
El recubrimiento de SiC sobre un sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con una pureza superior y una gran resistencia a la atmósfera oxidante.
El recubrimiento de SiC mediante CVD o CVI se aplica al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento se puede aplicar en diferentes espesores y a piezas de gran tamaño.

 

Compon

Portaobleas de grafito MOCVD con recubrimiento de SiC

Entre las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC se incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. Además, poseen una alta resistencia química y una gran estabilidad térmica.

Mantenemos tolerancias muy estrictas al aplicar el recubrimiento de SiC, utilizando mecanizado de alta precisión para garantizar un perfil de susceptor uniforme. También fabricamos materiales con propiedades de resistencia eléctrica ideales para su uso en sistemas de calentamiento por inducción. Todos los componentes terminados incluyen un certificado de pureza y conformidad dimensional.

Solicitud:

2

Características:
• Excelente resistencia al choque térmico
• Excelente resistencia a los golpes físicos
• Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
• Disponibilidad en formas complejas
• Utilizable en atmósfera oxidantePropiedades típicas del material base de grafito:

Densidad aparente: 1,85 g/cm³
Resistividad eléctrica: 11 μΩm
Resistencia a la flexión: 49 MPa (500 kgf/cm2)
Dureza Shore: 58
Ceniza: <5 ppm
Conductividad térmica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Ahora contamos con un equipo de trabajo altamente eficiente para atender las consultas de los consumidores. Nuestro objetivo es la satisfacción total del cliente gracias a la excelencia de nuestros productos y servicios, precios competitivos y un excelente servicio al cliente, y gozamos de una gran popularidad entre nuestros clientes. Con numerosas fábricas, podemos ofrecer una amplia gama de sustratos de SiC de 4" basados ​​en GaN depitaxial a precios con descuento. Damos una cálida bienvenida a socios comerciales de todos los ámbitos y esperamos establecer relaciones comerciales amistosas y de cooperación para lograr un beneficio mutuo.
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