当社は、お客様からのお問い合わせに対応するため、非常に効率的なチーム体制を整えています。「製品の品質、価格、そしてスタッフのサービスによって100%のお客様にご満足いただくこと」を目標としており、お客様から高い評価をいただいております。多数の工場を保有しているため、SiC基板上GaN系デピタキシャル成長用基板(4インチ)を幅広く、割引価格でご提供できます。あらゆる分野のビジネスパートナーの皆様を温かく歓迎いたします。皆様と友好的で協力的なビジネス関係を築き、双方にメリットのある目標を実現できるよう願っております。
お客様からのお問い合わせに対応するため、非常に効率的なチーム体制を整えています。「製品・サービスの品質、価格、そしてスタッフのサービスによって100%のお客様満足」を目標とし、お客様から高い評価をいただいています。多数の工場を保有しているため、幅広い製品ラインナップをご用意しております。中国 GaN基板およびGaNフィルム世界中のお客様との協力を心よりお待ちしております。高品質な製品と完璧なサービスで、お客様にご満足いただけると確信しております。また、弊社へのご来店と製品のご購入も心よりお待ちしております。
SiCコーティンググラファイトMOCVDウェーハキャリア
当社のサセプターはすべて高強度のアイソスタティックグラファイト製です。エピタキシー、結晶成長、イオン注入、プラズマエッチングといった高度なプロセス、そしてLEDチップの製造向けに特別に開発された当社のグラファイトは、高純度というメリットをお届けします。
製品説明
半導体用途のグラファイト基板の SiC コーティングにより、純度と酸化雰囲気に対する耐性に優れた部品が生成されます。
CVD SiCまたはCVI SiCは、シンプルな設計から複雑な設計まで、様々な形状の部品のグラファイトに塗布できます。コーティングは様々な厚さで、また非常に大型の部品にも適用可能です。
コンポン

当社のSiCコーティンググラファイトサセプターは、極めて高い純度、均一なコーティング、そして優れた耐用年数といった特長を備えています。また、高い耐薬品性と熱安定性も備えています。
SiCコーティングの適用においては、高精度機械加工により均一なサセプタープロファイルを確保し、非常に厳しい公差を維持しています。また、誘導加熱システムに最適な電気抵抗特性を持つ材料も製造しています。すべての完成品には、純度および寸法適合証明書が付属しています。
応用:
特徴:
· 優れた耐熱衝撃性
· 優れた物理的耐衝撃性
· 優れた耐薬品性
· 超高純度
· 複雑な形状でも利用可能
· 酸化雰囲気下で使用可能ベースグラファイト材料の代表的な特性:
| 見かけ密度: | 1.85 g/cm3 |
| 電気抵抗率: | 11μΩm |
| 曲げ強度: | 49 MPa(500kgf/cm2) |
| ショア硬度: | 58 |
| 灰: | 5ppm未満 |
| 熱伝導率: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
当社は、お客様からのお問い合わせに対応するため、非常に効率的なチーム体制を整えています。「製品の品質、価格、そしてスタッフのサービスによって100%のお客様にご満足いただくこと」を目標としており、お客様から高い評価をいただいております。多数の工場を保有しているため、SiC基板上GaN系デピタキシャル成長用基板(4インチ)を幅広く、割引価格でご提供できます。あらゆる分野のビジネスパートナーの皆様を温かく歓迎いたします。皆様と友好的で協力的なビジネス関係を築き、双方にメリットのある目標を実現できるよう願っております。
割引価格中国 GaN基板およびGaNフィルム世界中のお客様との協力を心よりお待ちしております。高品質な製品と完璧なサービスで、お客様にご満足いただけると確信しております。また、弊社へのご来店と製品のご購入も心よりお待ちしております。
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