Avà avemu una forza di travagliu assai efficiente per trattà e dumande di i cunsumatori. U nostru scopu hè "100% di suddisfazione di u cunsumatore per via di u nostru pruduttu o serviziu eccellente, u prezzu di vendita è u serviziu di a nostra squadra" è gode di una grande pupularità trà a clientela. Cù parechje fabbriche, pudemu offre una larga gamma di GaN-Basedepitaxial à prezzu scontatu nantu à substrati Sic 4′′, Accolgimu calorosamente i cumpagni d'impresa di tutti i ceti suciali, speremu di stabilisce cuntatti cummerciali amichevuli è cooperativi cun voi è di ghjunghje à un scopu win-win.
Avà avemu una forza di travagliu assai efficiente per trattà e dumande di i cunsumatori. U nostru scopu hè "100% di suddisfazione di i clienti per via di l'eccellenza di u nostru pruduttu o serviziu, u prezzu di vendita è u serviziu di a nostra squadra" è gode di una grande pupularità trà i clienti. Cù parechje fabbriche, pudemu offre una larga gamma diSubstrati di GaN è film di GaN in Cina, Aspittemu sinceramente di cooperà cù i clienti di tuttu u mondu. Credemu chì pudemu suddisfà vi cù i nostri prudutti di alta qualità è un serviziu perfettu. Accolgimu ancu calorosamente i clienti à visità a nostra sucietà è cumprà i nostri prudutti.
Rivestimentu di SiC grafite MOCVD Wafer carriers
Tutti i nostri suscettori sò fatti di grafite isostatica d'alta resistenza. Prufittate di l'alta purezza di e nostre grafite - sviluppate apposta per prucessi difficili cum'è l'epitassia, a crescita di cristalli, l'impiantu ionicu è l'incisione à plasma, è ancu per a pruduzzione di chip LED.
Descrizzione di u produttu
U rivestimentu di SiC di u substratu di grafite per l'applicazioni di semiconduttori produce una parte cù una purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidante.
U CVD SiC o CVI SiC hè applicatu à a grafite di pezzi di cuncepimentu simplice o cumplessu. U rivestimentu pò esse applicatu in diversi spessori è à pezzi assai grandi.
Compon

I vantaghji particulari di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un rivestimentu omogeneu è una eccellente durata di vita. Anu ancu proprietà di resistenza chimica è stabilità termica elevate.
Mantenemu tolleranze assai strette quandu applichemu u rivestimentu di SiC, aduprendu una machinazione di alta precisione per assicurà un prufilu di suscettore uniforme. Pruducemu ancu materiali cù proprietà di resistenza elettrica ideali per l'usu in sistemi riscaldati induttivamente. Tutti i cumpunenti finiti sò furniti cù un certificatu di purezza è di cunfurmità dimensionale.
Applicazione:
Caratteristiche:
· Eccellente resistenza à i shock termichi
· Eccellente resistenza à i scossa fisica
· Eccellente resistenza chimica
· Super Alta Purezza
· Disponibilità in forma cumplessa
· Adupràbile sottu atmosfera ossidanteProprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:
| Densità apparente: | 1,85 g/cm³ |
| Resistività elettrica: | 11 μΩm |
| Resistenza à a flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Durezza Shore: | 58 |
| Cendra: | <5 ppm |
| Cunduttività termica: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
Avà avemu una forza di travagliu assai efficiente per trattà e dumande di i cunsumatori. U nostru scopu hè "100% di suddisfazione di u cunsumatore per via di u nostru pruduttu o serviziu eccellente, u prezzu di vendita è u serviziu di a nostra squadra" è gode di una grande pupularità trà a clientela. Cù parechje fabbriche, pudemu offre una larga gamma di GaN-Basedepitaxial à prezzu scontatu nantu à substrati Sic 4′′, Accolgimu calorosamente i cumpagni d'impresa di tutti i ceti suciali, speremu di stabilisce cuntatti cummerciali amichevuli è cooperativi cun voi è di ghjunghje à un scopu win-win.
Prezzu scontuSubstrati di GaN è film di GaN in Cina, Aspittemu sinceramente di cooperà cù i clienti di tuttu u mondu. Credemu chì pudemu suddisfà vi cù i nostri prudutti di alta qualità è un serviziu perfettu. Accolgimu ancu calorosamente i clienti à visità a nostra sucietà è cumprà i nostri prudutti.
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