Вече разполагаме с високоефективен екип, който да обработва запитвания от потребители. Нашата цел е „100% удовлетвореност на клиентите от нашия продукт или услуга, отлична продажна цена и обслужване от нашия екип“ и се радваме на голяма популярност сред клиентите. С много фабрики, ние можем да предложим широка гама от GaN-базирани депитаксиални върху Sic подложки на отстъпка от цената. Горещо приветстваме малки бизнес партньори от всички сфери на живота, надяваме се да установим приятелски и съвместни бизнес контакти с вас и да постигнем печеливша цел за всички.
Сега разполагаме с високоефективен екип, който да се справя със запитванията на потребителите. Нашата цел е „100% удовлетвореност на клиентите от нашия продукт или услуга, отлична продажна цена и обслужване от нашия екип“ и да се радваме на голяма популярност сред клиентите. С много фабрики, можем да предложим широка гама отКитайски GaN субстрати и GaN филмИскрено се радваме да си сътрудничим с клиенти от цял ​​свят. Вярваме, че можем да ви удовлетворим с нашите висококачествени продукти и перфектно обслужване. Също така горещо приветстваме клиентите да посетят нашата компания и да закупят нашите продукти.

SiC покритие графит MOCVD носители на пластини

Всички наши токоприемници са изработени от високоякостен изостатичен графит. Възползвайте се от високата чистота на нашите графити – разработени специално за сложни процеси като епитаксия, отглеждане на кристали, йонна имплантация и плазмено ецване, както и за производството на LED чипове.

Описание на продукта
SiC покритието на графитния субстрат за полупроводникови приложения произвежда част с превъзходна чистота и устойчивост на окислителна атмосфера.
CVD SiC или CVI SiC се нанася върху графит на прости или сложни детайли. Покритието може да се нанася с различна дебелина и върху много големи части.

Компонент

Специалните предимства на нашите графитни токсемпори с SiC покритие включват изключително висока чистота, хомогенно покритие и отличен експлоатационен живот. Те също така имат висока химическа устойчивост и термична стабилност.

Поддържаме много строги допуски при нанасяне на SiC покритието, използвайки високопрецизна машинна обработка, за да осигурим равномерен профил на токоприемника. Също така произвеждаме материали с идеални свойства на електрическо съпротивление за използване в индуктивно нагрявани системи. Всички готови компоненти се доставят със сертификат за чистота и съответствие с размерите.

Приложение:

Характеристики:
· Отлична устойчивост на термичен удар
· Отлична устойчивост на физически удари
· Отлична химическа устойчивост
· Супер висока чистота
· Наличност в сложна форма
· Подходящ за употреба в окислителна атмосфераТипични свойства на базовия графитен материал:

Вече разполагаме с високоефективен екип, който да обработва запитвания от потребители. Нашата цел е „100% удовлетвореност на клиентите от нашия продукт или услуга, отлична продажна цена и обслужване от нашия екип“ и се радваме на голяма популярност сред клиентите. С много фабрики, ние можем да предложим широка гама от GaN-базирани депитаксиални върху Sic подложки на отстъпка от цената. Горещо приветстваме малки бизнес партньори от всички сфери на живота, надяваме се да установим приятелски и съвместни бизнес контакти с вас и да постигнем печеливша цел за всички.
Цена с отстъпкаКитайски GaN субстрати и GaN филмИскрено се радваме да си сътрудничим с клиенти от цял ​​свят. Вярваме, че можем да ви удовлетворим с нашите висококачествени продукти и перфектно обслужване. Също така горещо приветстваме клиентите да посетят нашата компания и да закупят нашите продукти.